Для того, чтобы регенерировать информацию необходимо перебирать адреса всех строк.
DRAM имеют более сложную систему управления.
Асинхронная DRAM
FPM DRAM (Fast Page Mode)
После выставления адреса данные появляются не сразу.
EDO DRAM (Extended Data Out)
Имеют на выходе регистры защелки, что позволяет уменьшить время между появлением данных и выставлением следующего адреса.
В режиме EDO удалось совместить по времени считывание данных предыдущего столбца и получения адреса следующего столбца.
BEDO DRAM (Burst EDO)
Синхронная DRAM
SDR DRAM
Требуют дополнительные регистры защелки. Все сигналы синхронизированы по переднему фронту.
Память разделена на два банка и, читая данные из одного банка, можно устанавливать адрес в другом банке.
DDR SDRAM (Double Data Rate)
Имеет две серии тактовых импульсов, сдвинутых относительно друг друга на полтакта.
Память разделена на два банка.
DDR2 SDRAM
DRDRAM (Direct Rambus)
Всю память поделили на несколько каналов (стандартно два канала) и каждый канал разделили на банки (16 – 32 банка). ШД сузили из-за помех влияния емкости и индуктивности.
Принципиальная схема DRAM с ескостью 4М х 4 бит.
ПЗУ
МПЗУ (ROM)
Способы организации ячейки памяти:
1.
Имеется набор перемычек. При программировании некоторые перемычки пережигаются.
2.
Ucc – напряжение источника питания
РШ – разрядные шины.
Данные микросхемы изготавливаются по биполярной технологии (ТТЛ, ТТЛШ) и по неполярной (n-МДП, р-МДП, КМДП).
МПЗУ – это однократно программированное ПЗУ, которое программируется на заводе изготовителе.
Достоинства: высокая устойчивость к внешним магнитным полям, низкая стоимость, большая скорость доступа к информации.
Недостатки: невозможность изменить данные после записи, сложный производственный цикл изготовления (4 – 8 недель), достаточно большое потребление электроэнергии, при программировании существует вероятность, что перемычка не перезжется, перемычка может восстановиться.
Структура микросхемы МПЗУ:
DCX – дешифратор строк.
DCY – дешифратор столбцов.
Многократно программируемое ПЗУ
EEPROM
Микросхема с электрической записью информации и стиранием при помощи ультрафиолетового излучения. Могут программироваться только в программаторе. Впервые появились в 1971 г (Intel). Эти микросхемы были изготовлены на ЛИЗМОП-транзисторах с двойным затвором (металл - оксид кремния - полупроводник с лавинной инжекцией заряда).
ЛИЗ МОП с двойным затвором:
Uсч – напряжение считывания,
Uзи – напряжение затвор / исток.
«0» - транзистор закрыт, «1» - транзистор открыт.
Время стирания информации от5 до 60 мин. При стирании заряды с плавающим затвором вытесняются обратно. Информация хранится от 5 до 15 лет.
Достоинства: меньшая стоимость хранения информации, чем у обычных EPROM, возможность перезаписи информации.
Недостатки: относительно небольшое количество циклов перзаписи, большая длительность цикла записи (для 32 кб – от 3,54 мин), невозможность модификации части данных, существует вероятность, что не удастся стереть всю информацию из всех ячеек памяти, возможно случайное стирание информации.
Элемент памяти для EPROM на ЛИЗ МОП:
Маркировки:
ППЗУ (PROM) – РТ
СПЗУ (EPROM) – РФ
EEPROM
Электрически стираемая ПЗУ:
- обычные EEPROM (поадресное стирание)
- параллельные Flash, последовательные Flash (стирание поблочно или все сразу).
Элементы памяти строятся на: ЛИЗ МОП транзисторах и МНОП транзисторах.
Программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ)
Программируемые логические матрицы – FPLA (Field programmable Logic Array)
Элементы которые могут использоваться с обратной связью. Индикаторы/повторители, буферные элементы с тремя состояниями, D-триггер, D-триггеры.
Знакосинтезирующие индикаторы.
- называют прибор у которого информация предназначена для визуального восприятия, отображается в виде одного или нескольких дискретных элементов.
Классификация:
I По виду отображаемой информации, индикаторы отображают:
А) единичные – предназначены для отображения различных геометрических фигур (круг, квадрат и треугольник)
Б) шкальные – отображена информация в виде шкал, столбиков и т.д.
В) пневмонические – служат для отображения различных мнемосхем и их частей,
Г) цифровые для отображения информации в виде синтезирующих ли полновыделеных цифр.
Д) буквенно-цифровые – служат для индикации цифр, букв, различных алфавитов, специальных символов.
Е) графические – позволяют отобразить возможных символов(буквы, цифры) на основе различных матрицах, получая качества до телевизионных.
II. По способу светового воздействия индикаторы подразделяются:
А) активные – т.е. индикаторы которые преобразует электроэнергия, в световой поток
В) пассивные – модулирование светового потока, под воздействием внешнего электрического поля и тока.
III По принципу действия:
- Полупроводниковые
- Электролюминесцентные
- Катодолюминесцентные
- Газоразрядные
- Жидкокристаллические
- OLED – дисплей
- Плазменные панели.
Газоразрядные индикаторы.
Газоразрядные индикаторы – представляют из себя колбу заполненную инертным газом (неон), имеется сетка анод, электроды катоды выполнены в виде отдельных знаков.
(+) Достаточно экономично, высокая контрастность, простота управления.
(-) Требуют высокого напряжения, ограниченный набор символов, достаточно большие габаритные размеры, имеют ограниченный ресурс, разница света у индикаторв.
Электролюминесцентный
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.