По количеству одновременно выполняемых программ
1) Однопрограммные
2) Многопрограммные
По организации структуры МП систем
1) Системы с раздельными шинами
2) С изолированными
3) Общими
4) Мультиплексируемыми (переключаемыми)
Микросхемы памяти:
Классификация по функциональному назначению:
Описание:
ОЗУ – оперативное запоминающее устройство – микросхема, кот-ая может хранить информацию.
Регистровые ОЗУ – FIFO
LIFO
Статические ОЗУ – используется триггеры.
Динамические ОЗУ – накопитель→конденсатор. Может сформировать большое число объема памяти.
ПЗУ:→постоянное запоминающее устройство (хранится информация при отключенном ист.пит.).
Однократнопрограммные: МПЗУ, ППЗУ, ПЛМ(ППЛМ).
Многократнопрограммные: все остальные.
Программируются с помощью электрического сигнала. Для стирания используется ультрафиолетовое излучение. Также используется стирание с электрическим сигналом (стирание по одной ячейки (у обычных, КМОП ОЗУ с литиевой батареей); информация перебирается; стирание поблочно и стирание всего).
По способу стирания: 1).в программаторах (специальное устройство для стирания).
2).на плате (не снимать устройство из платы).
МПЗУ – масочные постоянные запоминающие устройства (программируют на заводе).
ППЗУ – сами программируем (пользовательские) в специальных программаторах.
ПЛМ, ППЛМ – программно-логические матрицы; прогр-ся пользователем.
РПЗУ – репрограммируемые запоминающие устройства.
EPROM с УФ стиранием – микросхемы с электрической записью и стиранием с УФ.
КМОП ОЗУ →
NOVRAR – при исчезновении питания из ОЗУ информация переходит в ПЗУ.
FRAM – выполнены на сегнетоэлектриках.
ВЗУ – внешнее запоминающее устройство.
На ЦМД – на цилиндрических магнитных доменах.
Типовая структура микросхемы памяти:
Основные характеристики микросхем памяти:
1).емкость памяти (Бит, Кбит) – показывает количество памяти в микросхеме.
2).информационная организация кристалла памяти → M x N →
где: M – число слов (ячеек памяти)
N – разрядность этого слова.
3).время доступа – это время от момента, когда микропроцессор выставил на ША адрес требуемой ячейки, на ШУ-сигнал чтения (записи до момента осуществления связи с данной ячейкой). Быстродействие памяти – это то, как быстро мы до нее можем добраться.
4).время восстановления – время, необходимое для того чтобы микросхема памяти вернулась в исходное состояние после того как микропроцессор снял адрес с ША, сигнал чтения/записи с ШУ и данные с ШД.
5).потребляемая энергия или рассеиваемая мощность → приводится для 2х режимов (хранение/чтение, запись в номинальном режиме работы).
6).плотность упаковки – характеризуется площадью, занимаемой одним элементом памяти на кристалле.
7).допустимая температура окр. среды – для 2х режимов: активная работы и для режима хранения (указывается верхний и нижний рабочий диапазоны).
8).удельная стоимость запоминающего устройства – отношение стоимости микросхемы памяти, деленная на емкость памяти.
Эксплуатационные параметры:
Допустимая влажность, температура, устойчивость к биологическим воздействиям, микроорганизмам.
II).По степени зависимости от источ.пит.:
1).энергозависимые.
2).энергонезависимые.
III).По физикотехнологическим признакам:
1).биполярные.
2).неполярные.
IV).По схемотехнологическим признакам:
1).ЭСЛ - эммитерно-связанная логика.
2).ТТЛ – транзисторно-транзисторная логика.
3).ТТЛШ – транзисторно-транзисторная логика с диодами Шоттки.
4).ИИЛ – интегрально-инжекционная логика.
5).n-МОП – полевые транзисторы с n-каналом (Ме, окись, п\проводники).
6).КМДП – комплиментарные (Ме, диэлектрические, п\проводниковые).
V).По возможности доступа к информации:
1).с произвольным доступом.
2).с последовательным доступом (FIFO, LIFO).
VI).По структуре организации накопителей:
1).с одноразрядной организацией.
2).со словарной организацией (яч.памяти > элемента памяти).
Статические ОЗУ → SRAM (RAMS, RAM):
Элементы памяти статических ОЗУ:
на комплиментарных КМДП-транзисторах:
Принцип работы:
РШ1 – регистр шины.
Считывание происходит также как и работа, только наоборот.
на n-МДП транзисторах (элементы памяти):
С – для того чтобы триггер был в рабочем состоянии.
на ИИЛ – логике:
Элемент памяти на ТТЛ – логике:
Структура микросхемы ОЗУ с одноразрядной организацией:
Структура микросхемы ОЗУ со словесной организацией:
Имеется 128 строк и 16 столбцов (128 х 16 = 2048 х 8(разр.в слове) = 16384)
Чтобы получить 16 столбцов достаточно 4 разряда (4 х 4 = 16 столбцов).
OE(не) – разрешение выборки.
Циклы чтения\записи из микросхемы статического ОЗУ:
Цикл записи:
1).ранняя запись – сигнал WRITE=0, а запись инициируется отрицательным фронтом сигнала CS(не).
2).поздняя запись – во времени всего цикла = 0, а запись инициируется сигналом WRITE.
Цикл записи RAM:
Микросхемы динамической памяти (DRAM)
Достоинства: более простая, занимает меньше места, в том же объеме можно изготовить больше объема памяти (по сравнению со статической ОЗУ).
Недостатки: информацию нужно регенерировать (схема регенерации в ОЗУ); обычно одноразрядные, следовательно, адрес разбивают на две части и передают его последовательно (RAS – часть адреса выборки строки, CAS – часть выборки столбца).
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.