В.А.Пустоваров
ТЕРМОстимулированная ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ твердых тел
Министерство образования Российской Федерации
ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-УПИ»
В.А.Пустоваров
ТЕРМОстимулированная ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ твердых тел
Учебное пособие
Научный редактор – проф. д-р физ.-мат. наук Б.В.Шульгин
Екатеринбург
2003
УДК 535.377
ББК 22.345
П 89
Рецензенты: Институт промышленной экологии УрО РАН, лаборатория математического моделирования, зав. лаб. д-р физ.- мат. наук проф. А.Н.Вараксин;
д-р физ.- мат. наук проф. В.И.Соломонов (Институт электро-физики УрО РАН)
Автор: В.А.Пустоваров
П89 Термостимулированная люминесценция твердых тел: Учебное пособие / В.А.Пустоваров. Екатеринбург: ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2003. 41 с.
ISBN 5-321-00300-9
В учебном пособии излагаются физические основы, основные закономерности и механизм формирования термостимулированной люминесценции твердых тел. Термостимулированная люминесценция лежит в основе работы индивидуальных твердотельных детекторов ионизирующих излучений, находящих в настоящее время широкое применение в дозиметрической практике.
Учебное пособие предназначено для студентов физико-технического факультета, изучающих курсы «Физика твердого тела», «Детекторы излучений», «Дозиметрия и защита от ионизирующих излучений», а также аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированных сред.
Библиогр.: 8 назв. Табл. 1. Рис.11.
УДК 535.377
ББК 22.345
Подготовлено кафедрой экспериментальной физики ГОУ ВПО УГТУ-УПИ
ISBN 5-321-00300-9 © ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет-УПИ», 2003
© В.А.Пустоваров, 2003
Список сокращений
ТСЛ - термостимулированная люминесценция
ТЛД - термолюминесцентный детектор
ТЛ - термолюминесценция
ФЛ - фотолюминесценция
РЛ - рентгенолюминесценция
КТВ - кривая термовысвечивания
ЭВ - электронные возбуждения
СВЛ - спектр возбуждения люминесценции
ТСЭЭ – термостимулированная экзоэлектронная эмиссия
УФ - излучение - ультрафиолетовое излучение
ПЭВМ – персональная электронно-вычислительная машина
Оглавление
1. Основные определения ..……………………………………………………. 4
1.1. Механизм термолюминесценции ...…………………………………… 4
1.2. Кинетика термолюминесценции……………………………………….7
2. Кривая термовысвечивания ………… ………………………… …………10
3. Влияние продолжительности облучения, мощности дозы
и энергии излучения на чувствительность ТЛД ……………….……….. 19
4. Затухание термолюминесценции
(потеря дозиметрической информации) …….…………………………..23
5. Регистрация ультрафиолетового излучения……….. …………………… 28
6. Термолюминесцентные дозиметры……….……………………………… 29
7. Дозиметрическая термолюминесцентная система
«Сапфир – 001» …………………………………………………………… 37
Библиографический список …………………………………………….. 40
1. ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Под термостимулированной люминесценцией (термолюминесценцией) понимают процесс, при котором аккумулированная в кристалле энергия ионизирующего излучения преобразуется в энергию квантов света (фотонов) под действием теплового возбуждения, то есть нагрева кристалла [1-3].
1.1. Механизм термолюминесценции
Рассмотрим вначале чистый кристалл, обладающий дефектами, его зонная схема показана на рис.1. Валентная зона и зона проводимости для диэлектрика разделены энергетической щелью Eg, А - ловушки для электронов, В – ловушки для дырок, до облучения кристалла они не заполнены, то есть пустые. Под действием ионизирующего излучения создаются центры, обусловленные захватом электронов или дырок соответствующими ловушками (А и В, показаны на рис.1). Затем под действием внешнего тепла (нагрева кристалла) электрон, локализованный на ловушке А, может перейти в зону проводимости (переход 1). Такой зонный электрон в результате миграции по кристаллу может быть захвачен локализованной на центре В дыркой, прорекомбинировать с ней (переход 2), выделяющаяся в результате рекомбинации энергия наблюдается в виде люминесценции. Это и есть термостимулированная люминесценция (ТСЛ).
Рис.1. Зонная схема диэлектрического кристалла с дефектами, иллюстрирующая механизм формирования ТСЛ
Переход 1 может быть инициирован также засветкой облученного кристалла фотонами из красной или инфракрасной областей спектра, энергия которых достаточна для перевода электрона в зону проводимости. В этом случае происходит оптически стимулированная фотолюминесценция или фотостимулированная люминесценция (не путать с фотолюминесценцией!) Если глубина ловушек невелика, то освобождение электронов с уровней захвата и перевод их в зону проводимости могут происходить вследствие обычного теплового движения при комнатной температуре; для достаточно же глубоких ловушек необходим дополнительный нагрев кристалла.
Отличительной чертой этих процессов является разрушение центров, образующихся в результате облучения кристаллов в процессе измерения термо- или фотостимулированной люминесценции независимо от способа возбуждения (нагрев, тепловое движение при фиксированной температуре, облучение инфракрасным светом). Таким образом, термолюминесценция связана с разрушением центров, созданных в кристалле под действием ионизирующего излучения.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.