Лабораторный практикум по дисциплине "Электроника": Методические указания к лабораторным работам № 1-9 (Исследование гибридных интегральных микросхем. Исследование логических интегральных микросхем на полевых транзисторах), страница 3

5.1 Извлечь файл " ППИМС"  из папки "Электроника"  и выбрать топологию соответствующей ИМС согласно заданного варианта. Записать тип исследуемой микросхемы.

5.2 Провести анализ топологического чертежа ИМС заданной ППИМС. Для этого используя принципиальную схему:

а) нанести на топологический чертеж соединительные пленочные проводники; б) определить и обозначить на топологическом чертеже транзисторы, области коллектора, базы и эмиттера; контакты выводов эмиттера, базы и коллектора;

в) найти и указать диодные структуры;

г) выяснить, как осуществляется изоляция для каждой транзисторной и диодной структуры;

д)определить область на кристалле (карман), в которой сформированы резисторы. Определить и обозначить номера резисторов. Определить контакты выводов резисторов.

5.3 Используя второй топологический чертеж базового кристалла (рисунок 1) составить схему разводки соединительных пленочных проводников для указанного преподавателем варианта электрической схемы в соответствии с рисунком 4, при этом  проводники не должны пересекаться. Внешние выводы (за исключением выводов питания 1 и 7) располагать произвольно с наибольшей целесообразностью.

6  Указания к составлению отчета.

6.1 Привести принципиальную схему исследуемой  ППИМС  и схему, заданную для выполнения пленочных соединений на базовом кристалле.

6.2 Привести два топологических чертежа с обозначением на них элементов согласно исследуемой и заданной принципиальным схемам (пп 5.2-5.3).

6.3 Дать пояснения по пунктам задания 5.2а -5.2д.

Рисунок 4 – Варианты принципиальных схем


Лабораторная работа № 3

Исследование  усилителя на биполярном транзисторе

1 Цель работы

Исследовать принцип работы усилителя на биполярном транзисторе (БТ) для схемы с ОЭ и влияние параметров биполярного транзистора и элементов схемы на  параметры и частотные характеристики усилителя.

2 Подготовка к работе

2.1  Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Принципиальная схема усилителя на БТ и назначение её элементов;

2.1.2 Параметры и характеристики усилителя;

2.1.3 Влияние элементов схемы на параметры и характеристики усилителя.

2.2  Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Привести схему усилителя при включении БТ с ОЭ. Пояснить назначение элементов. 

2.2.2 Перечислить и дать пояснение основным характеристикам и параметрам усилителя.

2.2.3 Как зависят параметры усилителя от параметров транзистора и других элементов схемы?

2.2.4 Привести примерный вид и объяснить какие факторы влияют на амплитудную и частотную характеристики усилителя.

3 Литература

1 Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 86-89.

2 Алексенко А.Г., Шагурин Н.Н. Микросхемотехника, - М.: Высшая школа, 1991, стр. 378-381.

3 Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. -М.: Высшая школа, 1991, стр. 215 - 225, 264 – 282.

4 Войшвилло Г.В. Усилительные устройства.-М.: Радио и связь, 1983, стр. 64-81.

5 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с.336-347.

6 Савиных В.Л. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ. 2009

4 Задание на работу в лаборатории

В качестве активного элемента усилителя используется один из биполярных транзисторов структуры  n-p-n (тип транзистора выбирается по указанию преподавателя из приложения А). Для расчета параметров усилителя необходимо определить h-параметры транзистора. Затем измеряются  параметры усилителя и сравниваются расчетные  и экспериментальные данные.

4.1 Записать тип БТ, который используется в исследуемом усилителе. 

4.2 Для измерения h-параметров транзистора собрать схему в соответствии с рисунком 1.

Рисунок 1 – Принципиальная схема для определения h-параметров

В цепь базы включены два источника тока: источник постоянного тока G1 и   переменного тока G2.  Источник постоянного тока задает рабочую точку транзистора, а источник  G2 служит для измерения h-параметров.  Вольтметр pV1 используется для определения  переменного напряжения на базе БТ при расчете параметра h11Э. Амперметр pA1 необходим для установки режима по постоянному току и определения переменного тока для расчета параметра h21Э. В цепь коллектора включен источник питания G3  напряжением UКЭ=15 В.