Таблица 2- Вариант №....., (тип микросхемы)
|
Rm, Ом |
lm |
bm |
КФm |
RS, Ом |
ln |
bn |
КФn, |
Rn, Ом (расч) |
Rn, Ом (измер) |
5.5 Используя коэффициент формы, рассчитать удельное сопротивление пленки Rs=RmKфm.
5.6 Определить длину ln и ширину bn резистора Rn, рассчитать Кфn, а затем величину его сопротивления Rn= Кфn× Rs.
5.7 Измерить при помощи омметра величину сопротивления Rn и сравнить ее с расчетной.
6 Указания к составлению отчета
6.1 Привести принципиальную схему и чертеж топологии ГИМС с обозначением всех элементов и компонентов.
6.2 Результаты исследований по форме таблицы 2.
Рисунок 1- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ2
Рисунок 2- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ3
Рисунок 4- Принципиальная схема ГИМС К217ЛБ4
Рисунок 3- Принципиальная схема ГИМС К217ТР1
Рисунок 5- Принципиальная схема ГИМС К217ТК1
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводниковых интегральных микросхем
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводниковых интегральных микросхем (ППИМС) и её элементов.
2 Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Подложки полупроводниковых интегральных микросхем;
2.1.2 Способы изоляции элементов ППИМС (p-n переходом, резистивная диэлектрическая и др.);
2.1.3 Активные элементы ППИМС: биполярные транзисторы (БТ), полевые транзисторы (ПТ) и диоды;
2.1.4 Пассивные элементы ППИМС: резисторы, конденсаторы, пленочные проводники и контактные площадки;
2.1.5 Основные технологические процессы, используемые при изготовлении ППИМС (эпитаксия, получение пленки SiO2, литография, локальная диффузия, ионное легирование, металлизация).
2.2 При подготовке к работе рекомендуется ответить на следующие контрольные вопросы.
2.2.1 Дать определение ППИМС.
2.2.2 Какие способы изоляции элементов используются при изготовлении ПП ИМС?
2.2.3 Какие основные технологические операции применяются при изготовлении ПП ИМС? Рассказать о них.
2.2.4 Объяснить устройство планарного биполярного транзистора ППИМС.
2.2.5 Привести эквивалентную схему биполярного транзистора в составе ППИМС и объяснить влияние подложки.
2.2.6 Разновидности БТ: многоэмиттерные, горизонтальные p-n-p и др.
2.2.7 Каким образом выполняются диоды в ППИМС? Перечислить варианты и сравнить их.
2.2.8 Объяснить устройство полевых транзисторов различных структур в ППИМС.
2.2.9 Объяснить устройство диффузионного и ионно-легированного резистора ППИМС. Привести эквивалентные схемы и указать паразитные элементы.
2.2.10 Объяснить устройство конденсаторов ППИМС на основе p-n перехода и МДП структуры, привести эквивалентные схемы и указать паразитные элементы.
1 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008, с.169-270.
2 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 274-280.
3 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Под редакцией Федорова Н.Д. - М.: Радио и связь, 1998, с.201-214.
4 Савиных В.Л. Конспект лекций. Электронная версия. СибГУТИ. 2009
4 ИМС, используемые в работе
В лабораторной работе исследуются ППИМС серии К122. Все ИМС этой серии изготавливают на основе единого базового кристалла (рисунок 1), т.е.
Рисунок 1- Базовый кристалл ППИМС серии К122
без пленочных межэлементных соединений.
единого набора пассивных и активных элементов, расположенных в полупроводниковой подложке, которые в зависимости от назначения имеют различное соединение, согласно принципиальной схеме.
Принципиальная схема исследуемой ППИМС типа К122УТ1А приведена на рисунке 2, а микросхемы К122ТШ1- на рисунке 3.
|
Рисунок 2- Принципиальная схема ППИМС типа К122УТ1А |
Рисунок 3- Принципиальная схема ППИМС типа К122ТШ1 |
5 Задание к работе в лаборатории
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.