Электротехника \ Электроника

Лабораторный практикум по дисциплине "Электроника": Методические указания к лабораторным работам № 1-9 (Исследование гибридных интегральных микросхем. Исследование логических интегральных микросхем на полевых транзисторах), страница 18

- установить амплитуду входного импульса соответствующее n=2, запирающее напряжение 0 В,  и измерить временные параметры выходного импульса. Результаты записать в таблицу 2. Сравнить с п. 4.8.

4.11 Исследовать работу ключа на индуктивную нагрузку. Для этого:

- отключить ёмкость С, между коллектором БТ и резистором RК последовательно включить индуктивность L=10 мГн, установить частоту генератора 100 кГц, амплитуду входного импульса соответствующую n=2, запирающее напряжение 0 В, время развертки осциллографа 1mс/div, масштаб канала В - 50 V/div

-  исследовать осциллограммы напряжения на коллекторе UКЭ, определить амплитуду импульса UКЭ, возникающего в результате запирания транзистора. Зарисовать осциллограммы.

          5 Указания к составлению отчета

5.1 Привести схемы исследования, таблицы с результатами измерений, осциллограммы.

5.2 На графике 1 построить характеристику передачи и зависимость напряжения на коллекторе от тока базы.

5.3 По кривым графика 1 определить статический коэффициент передачи тока базы, IБ НАС, остаточное напряжение на транзисторе в точке насыщения.

          5.4 На графиках 2 и 3 построить зависимость временных параметров от прямого тока базы и запирающего напряжения.

5.5 Проанализировать и объяснить все полученные зависимости и осциллограммы. 

Приложение А

Таблица А.1- Варианты заданий

№  Вар

1

2

3

4

5

Тип БТ

KT 315B

KT 315D

KT 315E

KT 315G

KT 315I      

№ Вар

6

7

8

9

10

Тип БТ

KT 315V

KT 315Z

KT316A

KT316B

KT316D

№  Вар

11

12

13

14

15

Тип БТ

KT316G

KT316V

KT355A

KT368A

KT368B

Лабораторная работа № 8

Исследование логических интегральных микросхем

на биполярных транзисторах

1 Цель работы

Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем, выполненных на биполярных транзисторах (БТ), исследовать их характеристики и определить параметры.

2       Подготовка к работе

2.1Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Понятие о логических элементах НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ-НЕ, И-НЕ.

2.1.2 Условные обозначения логических ИМС.

2.1.3 Основные параметры и характеристики логических ИМС.

2.1.4 Схемотехническая реализация логических ИМС на биполярных транзисторах.

2.1.5 Схемы для исследования характеристик и определения параметров.

2.2  Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Назначение и применение логических ИМС.

2.2.2.Принцип работы логических схем И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.

2.2.3 Основные законы алгебры  логики.

2.2.4 Дать определение ниже перечисленных параметров  логических ИМС: а) величина напряжения, соответствующего логическому нулю и единице;

б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице;

в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу); г) среднее время задержки распространения сигнала; д) статическая помехоустойчивость; е) потребляемая мощность; ж) энергия переключения.

2.2.5 Начертить схемы электрические принципиальные базовых элементов и объяснить принцип работы ИМС следующих  типов:

а) диодно-транзисторная логика (ДТЛ);

б) транзистор - транзисторная логика (ТТЛ);

в) ТТЛ с открытым коллектором;

г) ТТЛ со сложным инвертором;

д) ТТЛ с тремя состояниями;

е) ТТЛ с диодами Шоттки (ТТЛШ).

2.2.6 Статические характеристики исследуемых  логических ИМС и    определение по ним параметров.

3 Литература

1 Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 152-162.

2 Алексенко А.Г. Шагурин И.И., Микросхемотехника - Учебное пособие для ВУЗов.- М.: Радио и связь, 1990, с. 74-88, 99-100

3 Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Издательство «Лань», 2008,  с.258-275.

4 Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. -М: Лаборатория Базовых Знаний, 2001, с. 412-426.

5 Савиных В.Л. Электроника. Конспект лекций. Электронная  версия. СибГУТИ, 2009.

Скачать файл