Лабораторный практикум по дисциплине "Электроника": Методические указания к лабораторным работам № 1-9 (Исследование гибридных интегральных микросхем. Исследование логических интегральных микросхем на полевых транзисторах), страница 20

На входы одного из логических элементов ИМС подать сигналы от генератора слова  в соответствии с вариантом задания 1.

Зарисовать осциллограммы двух входных сигналов и сигнал на выходе исследуемой микросхемы, располагая рисунки один под другим с соблюдением масштаба по оси времени.

4.9 Используя правила преобразования логических функций, составить структурную схему устройства, реализующего уравнение  в соответствии с заданием 2. Собрать устройство и исследовать его. Зарисовать входные сигналы и сигналы на выходах каждого из используемых элементов.

5 Указания к составлению отчета

5.1 Указать номер варианта схем,  которые исследовались в лабораторной работе.

5.2 Привести схемы исследуемых устройств и таблицы с результатами измерений.

5.3 На графиках № 1 и 2 построить входную и передаточную характеристики ЦИМС. По характеристикам определить I⁰_ВХ, I¹_ВХ, U⁰ и  U¹.

5.4 На графиках № 3 построить выходные характеристики ЦИМС.

5.5 Вычислить и привести Р_{ПОТР СР}.

5.6 На графиках № 4 и 5 построить  зависимости t_{ЗД Р СР}  = f (N) .

5.7 Дать сравнительную оценку среднего времени задержки при включенном диоде VD5 и без него. Объяснить это явление.

5.8  Вычислить энергию переключения W=Р_{ПОТР СР}∙ t_{ЗД Р СР}  без нагрузки.

5.9  Привести осциллограммы, полученные в п. 4.8.

5.10 Привести структурную схему устройства  и осциллограммы его работы согласно п. 4.9

Приложение A.

Таблица А.1- Варианты заданий к лабораторной работе

Лабораторная работа № 9

Исследование логических интегральных микросхем

на полевых транзисторах

1 Цель работы

Ознакомиться с принципом работы логических интегральных схем, выполненных на МДП ПТ,  исследовать их характеристики и определить параметры.

2 Подготовка к работе

2.1    Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Понятие о логических элементах НЕ, ИЛИ, И, ИЛИ-НЕ, И-НЕ, их условные обозначения.

2.1.2 Схемотехническая реализация базовых логических ИМС на МДП-транзисторах:

а) логические ИМС на р- и  n - канальных МДП ПТ;

б) логические элементы на ПТ с барьером Шоттки;

в) КМДП логика.

2.1.3 Схемы для исследования характеристик и определения параметров.

2.1.4 Статические характеристики исследуемых  логических ИМС и   определение по ним параметров.

2.1.5 Переходные процессы в ПТ при переключении. Параметры переключения.

2.1.6 Основные параметры логических ИМС:

а) величина напряжения, соответствующего логическому нулю и единице;

б) входной и выходной токи, соответствующие логическому нулю и единице;

в) нагрузочная способность (коэффициент разветвления по выходу); г) среднее время задержки распространения сигнала; д) статическая помехоустойчивость; е) потребляемая мощность; ж) энергия переключения.

2.2    Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Объяснить принцип работы логических схем И, ИЛИ, НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.

2.2.2 Привести принципиальные схемы базовых элементов и объяснить принцип работы ИМС следующих  типов: