1. Цель работы
Определить линейный коэффициент ослабления интенсивности коллимированного пучка γ-квантов.
2. Закон ослабления интенсивности коллимированного пучка γ-квантов
При прохождении через вещество мононаправленных γ-квантов происходит ослабление их потока в результате актов поглощения (фотоэффект, образование электронно-позитронных пар) или рассеяния (эффект Комптона).
Интенсивность φ моноэнергетического мононаправленного γ-излучения определяют по соотношению:
, (7.1)
где Еγ – энергия γ-кванта, МэВ; Nγ – плотность потока γ-квантов, γ – кв/(см2.с).
Значение Nγ равно числу γ-квантов, проходящих за 1 с через площадку в 1 см2 , которая ориентирована перпендикулярно направлению их распространения.
Узкий мононаправленный пучок образуется путем коллимирования диафрагмами 2 потока γ-квантов, излучаемых источником И (рис. 7.1). Если источник моноэнергетический, то детектор 3 регистрирует γ-кванты одинаковой энергии, не испытавшие взаимодействия с исследуемым образцом 1 толщиной х. Поэтому для регистрации γ-квантов в геометрии узкого пучка можно использовать гейгеровский счетчик.
Рис. 7.1. Геометрия узкого пучка γ-квантов
В случае однократного взаимодействия уменьшение интенсивности dφ при прохождении слоя dx пропорционально толщине этого слоя и значению φ:
, (7.2)
где μ – линейный коэффициент ослабления, см-1.
Перейдем от дифференциальной к интегральной форме закона ослабления:
, (7.3)
где φ0 и φ(x) – соответственно, интенсивности пучка, входящего (х = 0) в слой вещества и выходящего из него.
Экспоненциальный множитель в правой части представляет вероятность прохождения толщины х без взаимодействия. Согласно закону ослабления в случае моноэнергетического источника зависимость от x является прямой, выходящей из начала координат. Ее угол наклона определяется значением μ. Используя определение эффективности регистрации γ-излучения счетчиком Гейгера, получим для скорости счета n [имп/мин] соотношение, аналогичное предыдущему:
, (7.4)
Закон ослабления в таком виде используется для определения μ в геометрии узкого пучка, приведенной на рис. 7.1:
. (7.5)
Характеристикой проникающей способности γ-квантов является толщина Δ1/2 слоя половинного ослабления, необходимая для снижения вдвое интенсивности узкого пучка. Подставив условие или в (7.3) или (7.4), соответственно, получим:
. (7.6)
При возрастании Еγ увеличивается проникающая способность γ-излучения. Наиболее эффективным защитным материалом является свинец, имеющий минимальные значения Δ1/2.
Второй характеристикой проникающей способности излучения является средний свободный пробег γ-кванта в веществе, который обратно пропорционален линейному коэффициенту ослабления μ.
Отнесение результатов взаимодействия не к единице объема вещества, а к единице его массы соответствует переходу от линейного к массовому коэффициенту ослабления μm:
, (7.7)
где ρ – плотность вещества, г/см3.
Введение μm приводит к необходимости использования массовой толщины х [г/см2]:
. (7.8)
Согласно размерности хm, эта величина соответствует толщине материала с площадью основания в 1 см2, содержащей 1 г вещества.
При теоретическом рассмотрении взаимодействия γ-излучения с веществом его результаты относят к одному атому (эффекты поглощения) или электрону (эффект Комптона), вводя атомный μа и электронный μе коэффициенты ослабления:
; , (7.9)
где nа, nе – соответственно атомная [ат/см3] и электронная [эл/см3] плотность вещества.
Значения nа, nе находятся по соотношению:
, (7.10)
где NA – число Авогадро, А – атомная масса, Z – атомный номер вещества.
3. Процессы взаимодействия γ-квантов с веществом
Поток γ-квантов при прохождении через защиту ослабляется вследствие трех независимых процессов: фотоэффекта, эффекта Комптона и эффекта образования пар, следовательно:
, (7.11)
где τ, σ, χ – соответствующие линейные коэффициенты взаимодействий.
а) Фотоэффект – поглощение γ-кванта связанным электроном, входящим в состав одной из оболочек атома. Не существует однозначной взаимосвязи между направлением распространения γ-кванта и углом вылета фотоэлектрона. Вероятность процесса уменьшается при возрастании разности между энергией γ-кванта Еγ и энергией связи электрона с ядром на К-, L-оболочках (ЕK, ЕL). Следовательно, если Еγ > ЕK, то основной вклад в общее поглощение на всех оболочках вносит фотоэффект на K-оболочке, в результате которого вырывается фотоэлектрон с кинетической энергией, равной разности Еγ - ЕK. Поскольку для выполнения закона сохранения импульса в этом процессе необходима третья частица, поглощение γ-кванта свободным электроном невозможно.
Значение ЕK пропорционально Z2 и равно 0,088 МэВ для свинца (Z = 82). Поэтому для большинства γ-излучателей выполняется условие Еγ >> ЕK. Если при этом Еγ не превышает энергию массы покоя электрона (m0c2 = 0,511 МэВ), то массовый коэффициент τm фотоэлектрического поглощения на K-оболочке вычисляют по формуле Гайтлера:
, (7.12)
где α — относительная энергия γ-кванта, равная .
Согласно формуле Гайтлера вклад фотоэлектрического поглощения возрастает при увеличении Z и уменьшении Еγ и является доминирующим при Еγ < 0,05; 0,15; 0,5 МэВ для алюминия (Z = 13), меди (Z= 29) и свинца соответственно.
б) Эффект Комптона – рассеяние γ-кванта на свободном покоящемся электроне.
В результате рассеяния первичного γ-кванта с энергией Еγ0 возникают рассеянный γ-квант с энергией Еγs и комптоновский электрон отдачи с энергией Екэ.
В соответствии с законом сохранения энергии величина Екэ определяется как разность энергий первичного и рассеянного γ-квантов
. (7.13)
Обозначив углы вылета рассеянного γ-кванта и электрона относительно направления распространения первичного γ-кванта θ и φ соответственно, запишем закон сохранения импульса в проекциях на оси х и у:
, (7.14)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.