, (4.6)
в котором
, (4.7)
, 
, (4.8)
RГ – выходное сопротивление предыдущего каскада (в нашем случае модуль выходного сопротивления ФНЧ RГ= 3 кОм).
Так как коэффициент усиления без ООС равен (учитывая, что КОК»1):
К0= КВК КПОК КОК=13×293×1=3809,
то есть больше предварительно рассчитанного (2790) что даже лучше, так как даёт ещё больше повысить стабильность усилителя и уменьшить КГ за счёт увеличения глубины ОС. Значит нужно пересчитать необходимую глубину ООС, принимая во внимание то, что требуемый коэффициент усиления КЕ=23. Тогда из (4.5)получим:
.
Теперь с откорректированным значением F можно продолжить расчёт.
Чтобы сохранить идентичность параметров транзисторов VT1, VT2 сопротивление R1 выбирается равным величине резистора R7. Так как входное сопротивление усилителя будет определяться в основном сопротивлением резистора R1, то его номинал выберем равным 3 кОм. Соответственно и резистор R7 = 3 кОм.
Следовательно, по выражениям (4.8):
(кОм), 
(Ом).
На основании (4.6), (4.7) и того, запишем
.
Решив это равенство относительно R6 получим
(Ом),
ближайший номинал из стандартного ряда: R6=150 Ом.
Входное сопротивление усилителя:
(Ом),
то есть, как и было сказано выше, входное сопротивление определяется величиной R1.
Рассчитываем разделительную емкость С1 на входе усилителя. Учитывая входное сопротивление усилителя RВХ.У=3 кОм и нижнюю рабочую частоту fН=150 кГц, она должна вносить минимальные частотные искажения МН.Примем МН=1,01 тогда:
, выбираем емкость из
стандартного ряда номиналов С1=2,7 нФ.
Так как емкость С2 находится в петле обратной связи, то искажения вносимые ей будут уменьшены в F раз, поэтому её величина может быть рассчитана исходя из более простых соображений. Учитывая величину сопротивления R6 =150 Ом и нижнюю рабочую частоту fН=150 кГц:
(Ф), выбираем величину С2 =100 нФ.
Для устранения возможности самовозбуждения на высоких частотах частотную характеристику коэффициента петлевого усиления ограничивают за счёт включения конденсатора С3, определяемого по выражению
(Ф), выбираем из стандартного ряда С3
= 2 пФ.
Расчёт цепи смещения.
Исходные данные:
UСМ= 2,4 В,
I0K6=3×10-3 А.
Напряжение смещения определяется выражением:
,
Ток через делитель R11, R12 выбирается согласно следующему соотношению:
IД=(0,2..0,3)I0K6=(0,2..0,3) 3×10-3=0,6×10-3.. 0,9×10-3 (A).
Тогда
RД= UСМ× IД=2,4/0,5×10-3=4800 (Ом),
R12= U0БЭ× IД=0,6/0,5×10-3=1200 (Ом),
R11= RД – R12=4800 –1200 = 3600 (Ом).
выбираем из стандартного ряда номиналов R12=1,2 кОм, а так как резистор R11 подстроечный, то выбираем сопротивление с запасом на регулировку R11=4,7 кОм.
Определим параметры транзистора VT7. Так как напряжение очень мало UКЭ=2,4 В, то единственными критериями остаются максимальный ток и максимальную мощность:
I0K7 = I0K6 = 3×10-3 А.
PК7= UСМ× I0К7=2,4×3×10-3= 7,2×10-3 (Вт).
К приведённым параметрам подходит практически любой маломощный транзистор, поэтому будем руководствоваться конструктивными соображениями. Так как этот транзистор играет роль термочувствительного элемента, то для удобства закрепления его на радиаторе выходных транзисторов выберем в качестве VT7 транзистор КТ815А.
Расчёт генераторов стабильного тока.
Исходные данные:
I0К3= 0,6×10-3 (А),
I0К8= 3×10-3 А.
Рассчитаем номинал резистора R8, так как он задаёт ток в ГСТ через транзистор VT4 (рис.4.1) в диодном включении.
(Ом), стандартный номинал R8 = 33 (кОм).
Токи коллекторов в транзисторах VT3, VT8 примерно равны соответственно эмиттерным токам:
I0К3 » I0Э3, I0К8 » I0Э8.
Справедливы следующие соотношения между токами транзисторов:
и 
, (4.9)
тогда из соображений симметрии предоконечного каскада определим сопротивление R14 = R13 = 39 (Ом). Следовательно, задав равенство токов I0К4 = I0К3 = 0,6×10-3 (А), видим, что величины резисторов равны R5 = R9, а значит их можно найти из (4.9):
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.