Расчет радиопередающего устройства радиоэлектронной системы связи диапазона 150-600 кГц, страница 6

        I_{К доп}³  (1,1..1,3)×I_{Кm 11,12} = (1,1..1,3)×2,279 = 2,507..2,963 (А),

        U_{КЭ  доп}³  (1,1..1,3)×E₀=(1,1..1,3)×39 =42,9..50,7 (В),

        f_ГР³ (10..20)× f_В=(10..20)× 6×10⁵ =  6×10⁶.. 1,2×10⁷ (Гц).

          Параметры выбранных транзисторов в таблице 4.1.

Таблица 4.1.

Тип транзистора	Структура	UКЭ, В	IК, А	PК, Вт	h21Э	fГР, МГц
2Т875Б	N-P-N	70	10	50(3)	80..250	120
2Т876Б	P-N-P	70	10	50(3)	80..250	120

Так как постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода транзисторов 2Т875Б, 2Т876Б не превышает 3 Вт, то необходимо применить радиатор (см. конструктивный расчёт).

Пользуясь параметрами выбранных транзисторов VT11, VT12 определим требования к VT9, VT10 (рис. 4.1).

          Амплитуда тока базы ведомого транзистора:

.

Находим ток покоя выходных транзисторов:

I_{0К 11,12} = (0,05..0,15) I_Нт=(0,05..0,15)×2,279 =0,114..0,342(А), выбираем ток I_{0К 11,12} = 0,2 А. Тогда ток базы ведомого транзистора в рабочей точке в режиме В равен:

.

Ведомые транзисторы непосредственно связаны с ведущими, поэтому:

I_Km9,10= I_Бm11,12= 0,0285 (А).

Для уменьшения нелинейных искажений в ведущих транзисторах постоянный ток коллектора у них делают больше постоянного тока базы ведомых транзисторов, включением дополнительного резистора R17. Выбираем ток коллектора ведущих транзисторов в три раза больше чем ток базы ведомых:

I_{0K 9,10}=3I_{0Б 11,12}=3×0,0025=0,0075 (А)                             (4.2)

Теперь определим сопротивление R17:

, выбираем из стандартного ряда R17=300(Ом), мощность резистора  (Вт), из стандартного номинала мощностей P₁₇ = 0,25 Вт.

Найдём рассеиваемую на ведущих транзисторах мощность (коэффициент перед Р_К11,12 выбирается таким же как и в выражении (4.2)):

.

Определим необходимый коэффициент передачи по току для ведущих транзисторов VT9, VT10 с учётом выражения (4.1):

.

Требования к граничной частоте и предельному напряжению U_КЭ такие же как и у VT11, VT12. Таким образом, критерии выбора транзисторов VT9, VT10 следующие:

        P_{К доп}³  (1,1..1,2)×P_{К 9,10} = (1,1..1,2)×0,2 = 0,22..0,264(Вт),

        I_{К доп}³  (1,1..1,3)×I_{Кm 9,10} = (1,1..1,3)×0,0285 = 0,0314..0,0371 (А),

        U_{КЭ  доп}³ 42,9..50,7 (В),

        f_ГР³  6×10⁶.. 1,2×10⁷ (Гц).

Этим параметрам удовлетворяют транзисторы 2Т9181В и 2Т9180В. Их параметры приведены в таблице 4.2.

Таблица 4.2.

Тип транзистора	Структура	UКЭ, В	IК, А	PК, Вт	h21Э	fГР, МГц
2Т9181В	N-P-N	60	3	12,5(1,5)	50..100	100
2Т9180В	P-N-P	60	3	12,5(1,5)	50..100	100

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода транзисторов 2Т9181В, 2Т9180В равна 1,5 Вт, то есть больше рассчитанной, поэтому транзисторы могут эксплуатироваться без радиатора.

          Амплитуда тока базы ведущих транзисторов:

 (А).

Найдём эквивалентный коэффициент передачи выходного каскада:

Входное сопротивление транзисторов выходного каскада:

R_ВЫХ.Т= (1+h_21Э,ЭКВ)R_H’=(1+4000) 7,24=28967 (Ом).

Рассчитаем напряжение смещения: U_СМ=4U_БЭ =4×0,6= 2,4 (В).

Сопротивления резисторов R15, R16 выбирают примерно равными входному сопротивлению транзисторов выходного каскада, следовательно, выбираем из стандартного ряда: R15 = R16 = 27 кОм.

Результирующее входное сопротивление всего выходного каскада равно:

 (Ом).

Расчёт предоконечного каскада.

Исходные данные:

                            I_Бm9,10 = 0,57×10^-3 А,

                            E₀= 39 В,

                            U_СМ= 2,4 В.

Задаёмся током покоя:

I_0K6³5I_БМ9,10=5×0,57×10^-3=2,85×10^-3 (А), выбираем значение тока I_0K6=3×10^-3 А. Заданный ток должен обеспечивать генератор стабильного тока на транзисторе VT8 (рис. 4.1).

Мощность, рассеиваемая на коллекторе VT6:

 (Вт).

Определим критерии выбора транзисторов VT5, VT6, с учётом того, что требования к граничной частоте и предельному напряжению U_КЭ такие же, как и у транзисторов выходного каскада. Таким образом, критерии выбора транзисторов VT5, VT6 следующие: