PК доп³ (1,2..1,5)×PК 6 = (1,2..1,5)×0,0585 = 0,0702..0,0876 (Вт),
IКдоп³(1,1..1,3)×IК6mах=(1,1..1,3)×(IК6+IБМ9,10)=(1,1..1,3)×(3×10-3..0,57×10-3)= =0,00393..0,00464 (А),
UКЭ доп³ 42,9..50,7 (В),
fГР³ 6×106.. 1,2×107 (Гц).
Выше приведённым требованиям удовлетворяет транзистор КТ6116А, его параметры приведены в таблице 4.3.
|
P-N-P |
UКЭ, В |
IК, А |
PК, Вт |
h21Э |
fГР, МГц |
|
КТ6116А |
160 |
0,6 |
0,625 |
60..240 |
100 |
Рассчитаем каскад на составном транзисторе VT5, VT6 (рис. 4.1).
Для уменьшения коэффициента нелинейных искажений в эмиттерную цепь VT6 введён резистор местной ОС R13, его номинал выбирается из условия:
R13 ³ (3..5)rЭ6, (4.3)
где rЭ6 – дифференциальное сопротивление эмиттера транзистора VT6. Так как I0Э6 = I0K6 = 3×10-3 А, то
(Ом), (4.4)
Таким образом, из (4.3) и (4.4):
R13=(3..5)8,7=26..43,3 (Ом), выбираем из ряда номиналов R13 = 39 Ом,
мощность резистора 
(Вт), из
стандартного номинала мощностей P18,19 =
0,25 Вт.
Найдём входное сопротивление транзистора VT6:
RВХ.VT6= (rЭ6+R13)(1+h21Э,Э6)=(8,7+39)(1+60)=2910 (Ом).
Что бы уменьшить нелинейные искажения, вносимые транзистором VT5, его ток коллектора делают в три раза больше тока базы VT6, включением дополнительного резистора R10. С учётом
(А)
и
I0K5=3I0Б6= 3×0,05×10-3 =0,15 ×10-3 (А)
находим сопротивление R10:
(Ом), и выбираем из стандартного ряда R10 = 7,5 кОм.
Рассчитаем эквивалентный коэффициент передачи составного транзистора:
, теперь можно определить входное
сопротивление (с учётом (4.4)), постоянный ток базы и амплитуду тока базы,
соответственно:
RВХ.ПОК= (rЭ6+R13)h21Э5,6=(8,7+39)2696=128599 (Ом),
(А)
и
(А).
Так как нагрузкой предоконечного каскада являются выходной каскад и генератор стабильного тока (ГСТ) на транзисторе VT8, то, учитывая, что выходное сопротивление ГСТ на много больше, чем входное выходного каскада, то коэффициент усиления определяется как:
Расчёт входного каскада.
Исходные данные:
RВХ.ПОК= 128599 Ом,
IБm5,6= 0,211×10-6 А,
I0Б5,6= 1,113×10-6 А.
Задаёмся током покоя:
I0K1 ³ (5..10)IБМ5,6=(5..10)×0,211×10-6=1,075×10-6…2,15×10-6 (А), выбираем значение тока I0K1=0,3×10-3 А.
Определяем сопротивление R2:
(Ом),
выбираем ближайший номинал из стандартного ряда: R2=4,7 кОм.
Для повышения линейности дифференциального каскада в цепи эмиттеров транзисторов VT1, VT2 (рис. 4.1) включены резисторы местной ОС R3, R4. Их номиналы рассчитываются из условия (4.3):
(Ом), из ряда номиналов выбираем R3 = R4 = 270 Ом.
Ток покоя I0Д.K дифференциального каскада равен сумме токов транзисторов VT1, VT2:
I0Д.K= 2I0Э1=2×0,3×10-3=0,6×10-3 (А), следовательно, этот ток должен поддерживать ГСТ на транзисторе VT3.
Мощность, рассеиваемая на коллекторе VT1:
(Вт).
Определим критерии выбора транзисторов VT1, VT2 с учётом того, что требования к предельному напряжению UКЭ меньше, так как базы VT1, VT2 находятся под нулевым потенциалом. Значит предельному напряжению UКЭ=E0/2. Таким образом, критерии выбора транзисторов VT1, VT2 следующие:
PК доп³ (1,2..1,5)×PК1 = (1,2..1,5)×5,85×10-3 = 7,02×10-3..8,76×10-3 (Вт),
IКдоп³ (1,1..1,3)×I0К1=(1,1..1,3)×0,3×10-3=0,33×10-3..0,39×10-3(А),
UКЭ доп³ (1,1..1,3)×E0/2=(1,1..1,3)×39/2 =21,45..25,35 (В),
fГР³ (10..20)× fВ=(10..20)× 6×105 = 6×106.. 1,2×107 (Гц).
Выше приведённым требованиям удовлетворяет транзистор КТ6111В, его параметры приведены в таблице 4.4.
|
N-P-N |
UКЭ, В |
IК, А |
PК, Вт |
h21Э |
fГР, МГц |
|
КТ6111В |
50 |
0,1 |
0,45 |
200..600 |
150 |
Найдём коэффициент усиления входного каскада по напряжению:
, где
(Ом),
(Ом), тогда
.
Расчёт цепей ОС.
Коэффициент усиления схемы охваченной ООС определяется как
, (4.5)
где F=1+bК0 – глубина ООС, К0= КВК КПОК КОК – коэффициент усиления без ООС, b – коэффициент передачи цепи ОС, который равен:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.