Однофазный полууправляемый выпрямитель, страница 4

·  I _вх =0,1 А.

·  U_вых = 11 В.

Т.к. коэффициент усиления k = 0.8 = , то зададимся R2 = 10 кОм, а R3 соответственно будет 8 кОм.

Перечень элементов датчика скорости.

Позиционное обозначение	Наименование	Кол.
	Конденсаторы
С1	К75-10-250В-0,63 мкФ±5%	1
	Резисторы
R18	МЛТ-0,125-5,1 кОм±5%	1
R2	МЛТ-0,125-10 кОм±5%	1
R3	МЛТ-0,125-9.1 кОм±5%	1
	Усилители
DA1	К140УД6	1
	Прочие изделия
BR1	ТГП-3А	1

7.  Расчет параметров датчиков координат электропривода и проектирование их принципиальных схем

Датчик положения предназначен для измерения положений. В большинстве случаев контур положения используется в металлорежущих станках, где сигналы с датчика поступают в систему ЧПУ.

В аналоговых системах автоматического управления используются, в основном, в качестве датчиков положения сельсины и вращающиеся трансформаторы.

В курсовой работе рассматривается в качестве датчика положения вращающийся трансформатор. Принципиальная схема датчика приведена на рисунке 7.1.

Выбираем ВТ . Его технические данные приведены в таблице 7.1.

Таблица 7.1

ПАРАМЕТР	ЗНАЧЕНИЕ
Номинальная частота напряжения возбуждения
Диапазон рабочих частот напряжения возбуждения
Номинальное напряжение
Рабочий диапазон напряжений
Сопротивление
Коэффициент вращающегося трансформатора

В качестве одновибратора выбирим микросхему МС Л155АГ3

t_м=0,28×R×С(1+0.7/R);

Зададимся длительностью импульсов t_м=

t_м=0,25Т=0,25×(1/f)=0.25×(1/0.8×10^-3)=0.2×10^-3

Зададимся емкостью конденсатора С1 = 0,1 мкФ.

Зная все значения найдем сопротивление резистора R:

Зададимся сопротивлениями ГИ. Исходить будем из условия R1+R2£3 кOм. при питании микросхемы от Uп=5 В. Примем R1=1 кОм, R2=2 кОм.

Примем R=7,2 кОм.

Рассчитаем длительность импульса ГИ:

t1=0.69(R1+R2)C1=0.69(1000+2000)0.1×10^-6=0.2×10^-3

Теперь длительность паузы:

t2=0.69R2C1=0.69×2000×0.1×10^-6=0.14×10^-3

Позиционное обозначение	Наименование	Кол.
	Конденсаторы
С1	К75-10-250В-0,1 мкФ±5%	3
С2	К75-10-250В-0,01 мкФ±5%	1
	Резисторы
R	МЛТ-0,125-7,2 кОм±5%	4
R1	МЛТ-0,125-1 кОм±5%	1
R2	МЛТ-0,125-2 кОм±5%	1
	Усилители
DA1.1, DA1.2	К140УД6	2
	Mикросхемы
DA2.1	KP1006BИ1	1
DA2.2	ИЕ4	1
DA3	К155ЛА3	1
DA1.3	MC k155АГ3	2
	Прочие изделия
ВТ	СКТ-232Б	1

Литература

1.  Галкин В.И., Полупроводниковые приборы, Справочное пособие, Минск: Беларусь, 1987г.

2.  Джон Г. Мэтьюз, Куртис . Д. Финк. Численыу методы. Использование Мatlab.Под редакцией физ. Мат. Наук проф. Ю. В. Козаченко, М.; ИД Вильянс, 2001-713с.

3.  Цифровые интегральные микросхемы: Справочник / М. И. Богданович, И. И. Грель, С. А. Дубинина и др. – 2-е изд., перераб. и доп. – Мн.: Беларусь, 1996