Практически, прежде всего, следует убедиться в приемлемости данной аппроксимации. Для этого используют метод приведения к линейному виду. Логарифмируя обе части (1.16), получаем линейную зависимость между логарифмом тока и напряжением:
или . (1.17)
По заданной ВАХ составляют таблицу, а затем по ней график или (рис.1.12,а,б). Если графики мало отличаются от прямой, то ВАХ НЭ можно аппроксимировать экспонентой. По первому графику значение определяют как тангенс наклона прямой , а по второму – как среднее значение: .
… |
||||
… |
||||
… |
||||
… |
а б Рис.1.12 |
Другой пример. Характеристика полупроводникового диода (рис.1.13) имеет вид:
, (1.18)
где , выбирают так, чтобы вся аппроксимированная характеристика лежала выше прямой , как показано на рис. 1.13. В этом случае линеаризация производится для функции , что возможно, так как величина .
3.3. Кусочно-линейная и кусочно-нелинейная функции.
Реальная плавно изменяющаяся зависимость заменяется приближенной, состоящей из отрезков прямых и кривых.
На рис. 1.14 в качестве примера приведены характеристики, аппроксимированные двумя отрезками: а) прямых линий; б) прямой и параболы.
а |
1. , . 2. , при . |
б |
1. , . 2. , при |
Рис.1.14 |
Наиболее широкое использование получила кусочно-линейная аппроксимация. Она обеспечивает достаточную точность только при больших амплитудах воздействующих сигналов, а потому применяется при расчетах мощных усилителей, генераторов, умножителей частоты, некоторых схем модуляторов, детекторов и др.
3.4. Трансцендентные функции: гиперболические тангенс и синус, функция Гаусса, тригонометрические функции и др.
В первую очередь следует отметить функцию, содержащую гиперболический тангенс
, (1.19)
предложенную Н. И. Крыловым, которая хорошо описывает симметричные характеристики и изменения производной (крутизны) и второй производной (кривизны) ряда ВАХ ламп и транзисторов. В тех задачах, где главную роль играет изменения этих параметров, данный вид аппроксимации является незаменимым.
а б
Рис. 1.15
Проанализируем наиболее важные свойства функции (рис.1.15,а). При малых значениях аргумента c большой точностью можно считать, что функция равна аргументу, т.е.
(при , ошибка ),
а при больших значениях аргумента – единице, т.е.
(при , ошибка ).
На рис.1.15, б приведена ВАХ НЭ, аппроксимированная гиперболическим тангенсом. Здесь ток насыщения, коэффициенты , , где – крутизна линейного участка характеристики.
Тригонометрический синус. Хорошо описывает симметричные характеристики. Для ВАХ, изображенной на рис.1.16 можно записать:
. (1.20)
Коэффициенты можно выразить через два параметра: ток в начале координат и начальное напряжение . Действительно, при ток равен и коэффициент . При ток равен нулю и, следовательно, , . Отсюда , .
Аппроксимация реактивных (индуктивных и емкостных) НЭ ничем не отличается от аппроксимации резистивных НЭ – ламп, транзисторов и др. Используются как упомянутые функции, так и другие. Например, вольт-фарадная характеристика p-n-перехода полупроводникового элемента аппроксимируется выражением:
, (1.21)
где – напряжение (обратное) на переходе; – высота потенциального барьера (контактная разность потенциалов); – емкость перехода при отсутствии внешнего напряжения (); – постоянная, зависящая от распределения примесей.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.