Практически, прежде всего, следует убедиться в приемлемости данной аппроксимации. Для этого используют метод приведения к линейному виду. Логарифмируя обе части (1.16), получаем линейную зависимость между логарифмом тока и напряжением:
или
. (1.17)
По заданной ВАХ составляют таблицу, а затем по ней график или
(рис.1.12,а,б).
Если графики мало отличаются от прямой, то ВАХ НЭ можно аппроксимировать
экспонентой. По первому графику значение
определяют
как тангенс наклона прямой
, а по второму – как
среднее значение:
.
|
|
|
… |
|
|
|
|
… |
|
|
|
|
… |
|
|
|
|
… |
|
|
|
а б Рис.1.12 |
Другой пример.
Характеристика полупроводникового диода (рис.1.13) имеет вид:
, (1.18)
где ,
выбирают так, чтобы
вся аппроксимированная характеристика лежала выше прямой
, как показано на рис. 1.13. В этом случае
линеаризация производится для функции
, что
возможно, так как величина
.
3.3. Кусочно-линейная и кусочно-нелинейная функции.
Реальная плавно изменяющаяся зависимость заменяется приближенной, состоящей из
отрезков прямых и кривых.
На рис. 1.14 в качестве примера приведены характеристики, аппроксимированные двумя отрезками: а) прямых линий; б) прямой и параболы.
а |
1. 2. |
б |
1. 2. |
Рис.1.14 |
Наиболее широкое использование получила кусочно-линейная аппроксимация. Она обеспечивает достаточную точность только при больших амплитудах воздействующих сигналов, а потому применяется при расчетах мощных усилителей, генераторов, умножителей частоты, некоторых схем модуляторов, детекторов и др.
3.4. Трансцендентные функции: гиперболические тангенс и синус, функция Гаусса, тригонометрические функции и др.
В первую очередь следует отметить функцию, содержащую гиперболический тангенс
,
(1.19)
предложенную Н. И. Крыловым, которая хорошо описывает симметричные характеристики и изменения производной (крутизны) и второй производной (кривизны) ряда ВАХ ламп и транзисторов. В тех задачах, где главную роль играет изменения этих параметров, данный вид аппроксимации является незаменимым.
|
|
а б
Рис. 1.15
Проанализируем наиболее важные свойства функции (рис.1.15,а). При малых значениях аргумента c большой точностью
можно считать, что функция равна аргументу, т.е.
(при
, ошибка
),
а при больших значениях аргумента – единице, т.е.
(при
, ошибка
).
На рис.1.15, б
приведена ВАХ НЭ, аппроксимированная гиперболическим тангенсом. Здесь ток насыщения, коэффициенты
,
, где
–
крутизна линейного участка характеристики.
Тригонометрический синус. Хорошо описывает симметричные характеристики. Для ВАХ, изображенной на рис.1.16 можно записать:
. (1.20)
Коэффициенты можно выразить через
два параметра: ток
в начале координат и начальное
напряжение
. Действительно, при
ток равен
и
коэффициент
. При
ток равен
нулю и, следовательно,
,
. Отсюда
,
.
Аппроксимация реактивных (индуктивных и емкостных) НЭ ничем не отличается от аппроксимации резистивных НЭ – ламп, транзисторов и др. Используются как упомянутые функции, так и другие. Например, вольт-фарадная характеристика p-n-перехода полупроводникового элемента аппроксимируется выражением:
,
(1.21)
где – напряжение (обратное) на переходе;
– высота потенциального барьера
(контактная разность потенциалов);
– емкость перехода при
отсутствии внешнего напряжения (
);
– постоянная, зависящая от распределения
примесей.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.