Информатика и выч. техника \ Конструкторско-технологическое обеспечение производства ЭВМ

Размещение элементов на печатной плате

Страницы работы

8 страниц (Word-файл)

Посмотреть все страницы

Скачать файл

Содержание работы

Лабораторная работа №1.

Размещение элементов на печатной плате.

Цель: на основе алгоритмов размещения эффективно разместить элементы на печатной плате.

Рисунок 1. Схема.

В соответствие с заданной схемой зададим элементарную базу.

Обозначение	Тип	Название элемента
B11	АЛ145А	Излучающие диод ИК-диапазон
B12	АЛ156А	Излучающие диод ИК-диапазон
VT2	КТ972А	Транзистор биполярный п-н-п, составной
VT1	КТ315Б	Транзистор биполярный п-н-п, малой мощности высокой частоты
DD1	K561ЛЕ	4 логических элемента 2 ИЛИ-НЕ
С1, С5	КМ 6 (А)	Конденсатор
С2-С3	К52 – 1Б	Конденсаторы
С4	К51 – 1	Конденсатор
BL1	ISGP- 1736	Сложная оптопара
DA1	7805	Усилитель сигнала.
R1-R14	МЛТ-0,25	Резисторы

Зададим параметры элементов.

Название	Обозначение	Параметры	Геометрические размеры	Эскиз
Резисторы:	R1, R3 – 15 кОм	Т_{рабочая} –60 – +125 ⁰С P = 0,25 Вт. U_пред.= 250 В.
	R2, R8 – 10 кОм
	R4 – 910 кОм
	R5 – 2,7 кОм
	R6 – 4,7 кОм
	R7 – 520 Ом
	R9 – 15 Ом
	R10 – 1,3 MОм
	R11 – 150 кОм
	R12 – 1 кОм
	R13 – 43 кОм
Конденсаторы:	С1 – 0,1 мк	Т_{рабочая} –60 – +85 ⁰С Относительная влажность воздуха до 98 % Атмосферное давление 0,0000013 – 2942 пПа. U_ном.=50, 25 В. Тангенс угла потерь– 0,0012 Допустимая реактивная мощность – 0,5 – 2 ВАР Наработка – 10000 часов Срок сохраняемости– 12 лет
	С5 – 220
	С2-С3 – 10 мк. 63В.	Т_{рабочая} –60 – +85 ⁰С Относительная влажность воздуха до 98 % Атмосферное давление 1,3 – 2942 ГПа. U_ном.=50, 25 В. Тангенс угла потерь 15-30 % / 5 – 16 % Наработка – 5000 часов Срок сохраняемости– 12 лет	L = 14,5 мм. D = 4 мм. d = 0,6мм Масса – 1,5 г.	Рис 2.
	С4 – 100 мк.16 В		L = 20 мм. D = 6 мм. d = 0,6мм. Масса – 5 г.
Транзисторы:	VT1	P_max –8 Вт. T_max–150 ⁰С f_гр_.= 250 МГц
	VT2	P_max –150 мВт. T_max–120 ⁰С f_гр_.= 200 МГц
Диоды:	B11	Т_{рабочая} –60 – +85 ⁰С P_min – 8 мВт. U_пр_.max=1,6 В.
	B12	Т_{рабочая} –60 – +70 ⁰С P_min – 5 мВт. U_пр_.max=1,8 В.
Микросхемы:	BL1	Т_{рабочая} –60 – +85 ⁰С P –51,2 мВт	Рис 3.
	DA1	Т_{рабочая} –60 – +85 ⁰С P –51,2 мВт	Рис 4.
	DD1	Т_{рабочая} –60 – +85 ⁰С P –51,2 мВт	Рис 5.