Физические процессы в полупроводниках и их свойства. Термоэлектрические явления в полупроводниках, страница 13

 

                    R_к             I_кR_к                                                           R_k          I_kR_k

+   I_э      

                                                    

    Э                    К                                                           К  

                                                                        -I_б

 U_эб                                               -U_кб

        -I_б      Б                                                              Б                                 -U_кэ

.                                                                      -U_бэ                                      Э

                                         +                                                            I_э

+

               Рис.10.16.                                                       Рис.10.17.

Схема с общей базой                               Схема с общим эмиттером

Исходя из равенств В=I_k/I_б и I_б=I_э-I_k , получаем формулу для определения В:

В=I_k/(I_э-I_k).Поделим на I_э с учетом, что Ik/I_э=А; тогда получим

_B=                                                                                 (10.19)

Обратите внимание: поскольку А=0,95-0,995, из формулы 10.19 следует, что В=20-200.

10.10.3. Характеристики транзисторов

Функциональная зависимость важнейших величин определяется характеристиками транзистора, которые часто изображаются на одном чертеже. В каждом квадранте приводится своя характеристика.

                 -I_k                                                                     -I_k

                          Р_МАКС                                                                                                      P_МАКС

                                             I_Э растёт                                                       -I_б растёт

                                                         

 

                                                    I_э=0                                                                 I_б=0

I_э                                                         -U_кб         -I_б                                                     

                                                                                                                       -U_кэ

 

                                                                                                                   -I_б растёт а)                     U_эб                                            б)                          -U_бэ

Рис.10.18.Характеристики транзисторов: а) схема с общей базой б) схема с общим эмиттером

Характеристики представлены в табл. 10.3.

Таблица 10.3

Характеристика транзисторов

Схема с общей базой	Схема с общим эмиттером
1-й квадрант(выходные характеристики)
-Ik=f(-Ukб)	-Ik= -f(Uкэ)
при различных значениях тока
эмиттера Iэ	базы Iб
Значению Iэ=0 соответствует обратный ток Iкбо.	Значению Iб=0 соответствует остаточный ток Iкэо
2-й квадрант(переходные характеристики или характеристики усилениятока)
-Ik=f(Iэ) при –Uкб=1В	–Ik=f(-Iб) при –Uкэ=1В.
3-й квадрант(входные характеристики)
Iэ=f(Uэб) при –Uкб=1В (характеристика открытого эмиттерного перехода)	-Iб=f(-Uбэ) при –Uкэ=1В
4-й квадрант(характеристики обратной связи по напряжению)
Эту характеристику часто не изображают, так как её можно получить из других характеристик
-Uкб=f(Uэб ) при различных значениях тока эмиттера Iэ	-Uкэ=f(-Uбэ) при различных значениях тока базы – Iб.

10.11.Фотодиод

Если на запертый обратным напряжением диод падает свет, то число не основных носителей возрастает, вследствие чего увеличивается обратный ток.