Германий является наиболее широко применяемым и наиболее изученным полупроводниковым материалом с интересной историей. Незадолго перед тем, как его удалось обнаружить, его существование предсказал Менделеев, который назвал его экасилицием. Его выделение в 1886 г. в Германии (отсюда название) было одним из блестящих подтверждений справедливости Периодической системы элементов Д.И. Менделеева, которую вначале некоторые ученые того времени не признавали. Хотя германия в земной коре очень мало(2·10 –4%), были найдены эффективные способы его получения из сырья с низким содер-жанием этого элемента, например из золы каменного угля электростанций. Где его содержится до 1%.
Германий кристаллизуется в кубической системе. Он используется для изготовления диодов, транзисторов, фотоэлементов, термодатчиков, терморезисторов и других полупроводниковых приборов, которые могут работать при температуре до 75оС.
Кремний является после кислорода наиболее распространённым элементом в земной коре. В настоящее время он является важнейшим полупроводниковым материалом. Важным преимуществом кремния по сравнению с германием является то, что изготовленные из него приборы могут работать при существенно более высоких температурах(до 200оС).
Структура кремния подобна структуре германия. Аналогичны и области их применения. Кремний является основным материалом для изготовления интегральных микросхем.
Селен имеет полупроводниковые свойства лишь в модификации, называемой серым селеном (β-Se) , который кристаллизуется в гексагональной системе. Это типичный полупроводник р - типа, т.е. он имеет дырочную электропроводность. Хотя это самый простой полупроводник и перед выходом на арену Ge, Si был важнейшим полупроводником, его свойства изучены гораздо меньше.
Таблица 10.1
Некоторые показатели свойств чистых полупроводниковых элементов
(простых полупроводников)
Показатель |
единица |
Ge |
Si |
Se |
Постоянная решетки |
м |
5,65·10-10 |
5,43·10-10 |
— |
Плотность |
кг/м3 |
5330 |
2330 |
4800 |
Коэффициент теплопроводности |
Вт/(м·К) |
58,61 |
83,84 |
370 |
Относительная диэлектрическая проницаемость |
— |
16,0 |
12,5 |
6,3 |
Ширина запрещенной зоны |
эВ |
0,7 |
1,11 |
1,79 |
Концентрация носителей заряда |
м –3 |
2,5·1019 |
1,5·1016 |
1015 |
Удельное сопротивление при 20оС |
Ом·м |
0,47-0,6 |
2,3·103 |
103 |
Работа выхода |
эВ |
4,5 |
4,1 |
2,8 |
Элементарный селен используется ограниченно для изготовления выпрямителей, фотоэлементов и светофильтров. Селен является важной составной частью полупроводниковых соединений (селенидов).
Некоторые основные показатели свойств простых полупроводников приведены в табл.10.1.
10.9. Полупроводниковые соединения
Среди сложных полупроводников(полупроводниковых соединений) наибольшее значение в технике имеют полупроводники типа AIII BV . К этой группе относятся фосфиды (GaP,InP), арсениды (GaAs,InAs) и антимониды (InSb,AlSb, GaSb). Между собой, а также с германием и кремнием они образуют твёрдые соединения, в которых можно в определенном диапазоне изменять ширину запрещенной зоны и подвижность электронов.
Важнейшим полупроводниковым соединением является в настоящее время арсенид галлия GaAs, который по значению уступает только Ge и Si. Арсенид галлия имеет лучшие свойства и более широкую область применения, чем германий и кремний (частота до 1011 Гц, температура до 450 оС). Он используется для изготовления транзисторов, фотолюминесцентных источников света, лазеров и т.д.
Арсенид индия InAs используется для изготовления лазеров, зондов для измерения магнитных полей и детекторов инфракрасного излучения.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.