Запоминающие устройства ЭВМ, страница 7

Чаще всего кристалл полупроводникового ЗУ (микросхема) представляет собой матрицу для хранения битов одного разряда слов (другими словами, для хранения одноразрядных слов), а также схемы ДшА, ФЗ, УсСч, управления и межсоединения. В совокупности это позволяет сократить число внешних выводов и уменьшить задержки в распространении сигналов.

Обобщенная структура ИС ЗУ.

Рис. 1.2.3.1

<48>

1.2.4. Модули памяти и элементы памяти (БИС).

Вначале несколько слов о микросхемах (самое существенное).

Модуль памяти вертикален – сохраняет место на МВ.

История.

SIP-модули: Single In-line Package; 8´1.7 см²; 30 выводов; надежность мала!

SIMM-модули: Single In-line Memory Module; размеры ~ те же. Другая конструкция контактов! Луженые, золоченые, парно соединены. Первые – 30 контактов; потом – 72 контакта; DRAM, EDO DRAM.

DIMM-модули: Dual In-line Memory Module; Контакты с двух сторон электрически независимы. Основные 168-контактные 64-разрядные. (Есть SO DIMM – Small Outline DIMM – 144 контакта); SD RAM, редко EDO DRAM.

RIMM-модули: Rambus In-line Memory Module; похож на DIMM, но контактов 184 и расположены по-другому. Ориентация на канал Direct Rambus.

Рис 1.2.4.1

<49>

DRAM – динамическая оперативная память.

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) – память, реализующая страничный режим. Сигнал CAS используется не только для адресации, но и для указания «срока годности» адреса, т.е. времени, в течение которого будет выполняться считывание данных. .

EDO DRAM (Extended Data Output DRAM) – память с расширенным выводом данных. Похожа на FPM, но усовершенствована путем сохранения подключения линий ввода/вывода, а вместо сигнала CAS используется сигнал OE (Output Enable): одновременно считываются данные и задаются следующие адреса. .

BEDO DRAM (Burst EDO DRAM) – разновидность EDO; добавлен специальный генератор столбца (адреса последующих 4-х столбцов сигнал CAS генерируется внутри).

CDRAM, EDRAM (Cache DRAM, Enhanced DRAM) содержат понемногу статической памяти  с , по структуре близкой к кэш-памяти.

SDRAM – синхронная DRAM (до 1997г. были только асинхронные) Суть в том, что память работает синхронно с CPU. За счет разбивки на банки (обычно 4) при работе с ними CPU избегают циклов ожидания. Сначала – как альтернатива Video DRAM, а теперь на материнских платах.

PC100 SDRAM; ES DRAM – расширение SDRAM, работать могут на более высоких частотах (66, 100, 166  и т.д. МГц).

DDR SDRAM (они же SDRAM II) (Double Date Rate – удвоенная скорость передачи данных) – следующее поколение SDRAM (скорость выше в 2 раза).

RDDRAM (Direct DRAM), Base RDDRAM – в основе разработки фирмы Rambus (и канала Rambus – высокоскоростной 8-разрядной шины на 700 МГц плюс специальный контроллер памяти). Фирма Intel сотрудничает с 1995г.. Планирует перейти только на Direct DRAM ® RIMM!

SLDRAM – альтернатива других фирм Rambus’у с 1997г. (Sync Line DRAM).   Новый пакетный протокол передачи данных и адресов.

<50>

SRAM – статическая RAM, . Стоимость выше на порядок. Для сохранения данных могут быть использованы аккумуляторы. Разновидности:

Async SRAM – асинхронная SRAM

Sync Burst SRAM – синхронная пакетная SRAM

Pipelend Burst SRAM – конвейерная пакетная SRAM

NVRAM – (Non Volatile – не временная).

Для справки: ROM (Read Only Memory),  PROM (Programmable ROM).

EPROM (Erasable PROM) -  хранение BIOS и карт расширения.

EEPROM – Electrically EPROM () – Flash ( и менее) – малое время стирания.