Запоминающие устройства ЭВМ, страница 13

Рис. 1.2.5.2. Временная диаграмма статического ЗУ. Цикл записи.

Рис.1.2.5.3. Временная диаграмма статического ЗУ. Цикл считывания.

<56>

Таблица 1.2.5.7. Динамические параметры БИС ЗУ.

Параметры

Обозначение

Определение параметра

По ГОСТ 19480-74 с изменениями

МЭК

Международное

Отечественное

Время выборки

tA

tв

ta

Интервал времени между подачей на вход ИС заданного сигнала и получением на выходе микросхемы данных, при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.

Время выбора

tCS

tв.м

ts

Интервал времени между подачей на вход микросхемы сигнала выбора микросхемы и получением на ее выходе данных, при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы

Время цикла

tCY

tц

tс

Интервал времени между началами (окончаниями) сигналов на одном из управляющих входов микросхемы. При этом микросхема выполняет одну функцию.

Период следования импульсов тактовых сигналов

TС

Tт

T

Интервал времени между началами (окончаниями) следующих друг за другом импульсов тактовых сигналов микросхемы, измеряемый на заданном уровне напряжений.

Время запрещения

tDIS

tзпр

tdis

Интервал времени, в течение которого происходит запрещение данных на выходе микросхемы

Временной интервал между двумя импульсами

tD

tзад

td

Время задержки между специально упомянутыми точками на двух сигналах микросхемы.

Время разрешения

tCE

tр

ten

Интервал времени, в течение которого разрешен выход данных микросхемы.

Время спада

tF

tс

tf

Время спада сигнала между двумя установившимися уровнями.

Время удержания

tH

tу

th

Интервал времени между началом одного и окончанием другого сигналов микросхемы на разных входах.

Время считывания

tRD

tсч

tr

Минимальное время совпадения управляющих сигналов на входах микросхемы, обеспечивающее считывание данных.

Время фронта

tR

tф

tr

Время нарастания сигнала между двумя установившимися уровнями.

Время восстановления

tREC

tвос

trec

Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала следующего цикла, необходимый для восстановления хранимой микросхемой информации.

Время регенерации

tREF

tрег

trf

Интервал времени, необходимый для восстановления хранимой информации ЭП

Период регенерации

TREF

Tрег

Trf

Максимальный интервал времени между двумя обращениями к ЭП микросхем для восстановления хранимой информации

Время установления

tSU

tус

tsu

Интервал времени между началами двух заданных входных сигналов на разных входах

Время сохранения

tV

tсх

tv

Интервал времени между окончанием двух заданных входных сигналов на разных входах микросхемы.

Время хранения данных (информации)

tSG

tхр

tsg

Интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме сохраняет данные (информацию)

Длительность сигнала

tW

t

tw

Интервал времени между заданными точками на фронте и спаде сигнала.

Время записи

tWR

tзп

tw

Минимальное время совпадения управляющих сигналов на входах микросхем, обеспечивающее запись данных

Емкость нагрузки

CL

Cн

Cl

Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы

Входная (выходная) емкость

CI (CO)

Cвх (Cвых)

CI (CO)

Величина, равная отношению емкостной реактивной составляющей входного (выходного) тока микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное (выходное) напряжение микросхемы при заданном значении частоты сигнала.