Задания для самоподготовки к итоговому тестированию по темам части № 2 «Металлы, полупроводники, диэлектрики»

Страницы работы

14 страниц (Word-файл)

Содержание работы

ЗАДАНИЯ

для самоподготовки к итоговому тестированию по темам части № 2

 «МЕТАЛЛЫ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ДИЭЛЕКТРИКИ»

1. Критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние в металлах лежит в интервале температур …

1)  (0 - 20) 0С

2)  (273 - 300) 0С

3)  (0 - 20) К

4)  (60 - 100) К

2. Валентность типичных чистых полупроводников (например, Si, Ge) равна …

1)  двум

2)  трем

3)  четырем

4)  пяти

3. Собственная проводимость типичных чистых полупроводников обусловлена …

1)  дырками в зоне проводимости

2)  электронами в валентной зоне

3)  электронами в валентной зоне и дырками в зоне проводимости

4)  электронами в зоне проводимости (электронная проводимость) и дырками в валентной зоне (дырочная проводимость) в равной мере

4. Валентность примеси, поставляющей в полупроводник свободные электроны, должна быть

1)  на две единицы меньше валентности атомов чистого полупроводника

2)   на единицу меньше валентности атомов чистого полупроводника

3)  равна валентности атомов чистого полупроводника

4)  на единицу больше валентности атомов чистого полупроводника

5. Дырочной проводимостью обладает полупроводник, содержащий примесь, валентность которой

1)  на единицу меньше валентности атомов чистого полупроводника

2)  равна валентности атомов чистого полупроводника

3)  на единицу больше валентности атомов чистого полупроводника

4)  может быть любой

6. Работа выхода электронов из металла равна

1) разности глубины потенциальной ямы и уровня Ферми и составляет величину нескольких электронвольт

2) глубине потенциальной ямы и составляет величину нескольких электронвольт

3) глубине потенциальной ямы и составляет величину нескольких микроджоулей

4) разности потенциальной ямы и уровня Ферми и составляет величину нескольких сотен электронвольт

7. Проводимость примесного полупроводника n - типа обусловлена переходами …

1) свободных электронов примеси с донорных уровней в зону проводимости

2) дырок из валентной зоны на акцепторные уровни

3) свободных электронов из зоны проводимости на акцепторные уровни

4) свободных электронов из валентной зоны на акцепторные уровни

8. Проводимость примесного полупроводника p –типа обусловлена переходами …

1) свободных электронов примеси с донорных уровней в зону проводимости

2) дырок из валентной зоны на акцепторные уровни

  3) свободных электронов из валентной зоны на акцепторные уровни

4) свободных электронов из валентной зоны на акцепторные уровни

9. Свободными носителями заряда при акцепторной проводимости полупроводников являются …

1)  дырки в валентной зоне

2)  электроны на акцепторных уровнях

3)  дырки на акцепторных уровнях

4)  электроны на донорных уровнях

10. Свободными носителями заряда при донорной проводимости полупроводников являются …

1)  дырки в валентной зоне

2)  электроны в зоне проводимости

3)  дырки в зоне проводимости

4)  электроны на донорных уровнях

11. Электронный газ при комнатной температуре во многих полупроводниках является

1)  вырожденным и подчиняется классической статистике

2)  вырожденным и подчиняется статистике Бозе-Эйнштейна

3)  невырожденным и подчиняется классической статистике          

4)  невырожденным и подчиняется статистике Ферми-Дирака

12. Уровень Ферми в области контакта p-n-перехода находится …

1)   на одинаковой высоте в запрещенной зоне

2)   на одинаковой высоте в зоне проводимости

3)   на одинаковой высоте в валентной зоне

4)   на разной высоте для каждого типа полупроводника в валентной зоне

13.  Вблизи границы контакта p-n-перехода образуется область …

1)  электрического слоя, напряженность которого направлена от n-  к  p-области

2)  электрического слоя, напряженность которого направлена от р-  к  n-области

3)  двойного электрического слоя, напряженность которого направлена от n-  к p-области

4)  двойного электрического слоя, напряженность которого направлена от p- к n-области

14. Энергия Ферми - …

1)  это максимальная энергия, которую могут иметь электроны в металле при   T = 0 К

2)  это максимальная энергия, которую могут иметь электроны в металле при   T = 300 К

3)  это минимальная энергия, которую могут иметь электроны в металле при    T = 0 К

4)  это максимально возможное значение энергии электрона в кристалле при температуре 300 К

15. При температуре абсолютного нуля …

1)  все электроны находятся в одном квантовом состоянии с минимальной энергией

2)  электроны попарно заполняют уровни энергии, начиная с низшего

3)  электроны по одному заполняют уровни энергии, начиная с низшего

4)  все электроны находятся в одном квантовом состоянии с энергией, равной энергии Ферми

16. Работа выхода электронов из металла, получившего внешний отрицательный электрический заряд, …

1)  уменьшается

2)  увеличивается

3)  не изменяется

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Физика
Тип:
Тестовые вопросы и задания
Размер файла:
630 Kb
Скачали:
0