Задания для самоподготовки к итоговому тестированию по темам части № 2 «Металлы, полупроводники, диэлектрики», страница 4

4)  любому целому числу                                

45.  Теплоемкость электронного газа определяется формулой

1) 

2) 

3) 

     4)                                                                                                  

z - число свободных электронов на атом.

46 Температурные зависимости теплоемкости электронного газа и решеточной теплоемкости кристалла правильно отражены на рисунке

47.  Работа выхода электрона из металла - это

1)  минимальная энергия, необходимая электрону для его выхода на внешнюю  поверхность кристалла

2)  максимальная энергия, необходимая электрону для его выхода на внешнюю  поверхность кристалла

3)  энергия, равная энергии ионизации атомов, из которых построен кристалл

4)  минимальная энергия,  необходимая электрону чтобы вырваться из атома кристалла

48. На рисунке представлена потенциальная яма некоторого кристалла. Работа выхода электронов из этого металла определяется значением величины

1)  С

2)  А

3)  В

4)  В-А

49. Высокотемпературная сверхпроводимость сложных по химическому составу керамик наблюдается в интервале температур

1)  (20 - 80) 0 С

2)  (60 - 80) К

3)  (10 - 20) К

4)  300 К

50. Куперовская пара - это совокупность

1)двух электронов с одинаково направленными спинами, расстояние между которыми составляет примерно 10-4 см

2)двух электронов с противоположно направленными спинами, расстояние между которыми составляет примерно 10-4 см                        

3)двух электронов с противоположно направленными спинами, расстояние между которыми составляет примерно 10-2 см

4)двух электронов с одинаково направленными спинами, расстояние между которыми составляет примерно 10-2 см

51. Рекомбинация свободных носителей заряда - это

1)  процесс уничтожения дырок

2)  процесс уничтожения электронов

3)  процесс уничтожения дырок и электронов попарно

4)  процесс образования дырок и электронов попарно

52. Донорные уровни расположены

1)  в середине зоны проводимости и они заполнены дырками

2)  вблизи потолка валентной зоны и они являются пустыми

3)  вблизи дна зоны проводимости и они заполнены электронами

4)  вблизи дна зоны проводимости и они заполнены дырками

53. Акцепторные уровни расположены

5)  в середине зоны проводимости и они заполнены дырками

6)  вблизи потолка валентной зоны и они являются пустыми

7)  вблизи дна зоны проводимости и они заполнены электронами

8)  вблизи дна зоны проводимости и они заполнены дырками

54. Проводимость акцепторного полупроводника обусловлена переходами

1)  свободных электронов примеси с донорных уровней в зону проводимости

2)  электронов из валентной зоны на акцепторные уровни

3)  свободных электронов из валентной зоны в зону проводимости

4)  дырок с акцепторных уровней в зону проводимости

55.  Проводимость донорного полупроводника обусловлена переходами

1)  свободных электронов примеси с донорных уровней в зону проводимости

2)  электронов из валентной зоны на акцепторные уровни

3)  свободных электронов из валентной зоны в зону проводимости

4)  дырок с акцепторных уровней в зону проводимости

56.Валентность чистых полупроводников равна

5)  2

6)  3

7)  4

8)  5

57.Для атомов чистых полупроводников характерна

1)  ионная связь

2)  ковалентная связь

3)  водородная связь

4)  атомная связь

58.У чистых полупроводников валентная зона заполнена

1)   наполовину электронами

2)   полностью дырками

3)   полностью электронами

4)  раполовину электронами, наполовину дырками

59.Запрещенная зона чистого полупроводника имеет порядок величины

1)  до 1 эВ