Министерство образования Российской Федерации
Марийский государственный технический университет
Методические указания к выполнению
контрольной работы для студентов очной и заочной форм обучения специальностей:
220500 «Проектирование и технология ЭВС»
200800 «Проектирование и технология РЭС»
210100 «Управление и информатика в ТС»
201500 «Бытовая радиоаппаратура»
Йошкар-Ола
2003
УДК 681. 34.
Методические указания к выполнению контрольной работы для студентов очной и заочной форм обучения специальностей:
220500 «Проектирование и технология ЭВС»
200800 «Проектирование и технология РЭС»
210100 «Управление и информатика в ТС»
201500 «Бытовая радиоаппаратура»
/Сост. Б.Ф. Лаврентьев – Йошкар-Ола; МарГТУ, 2003. Ó
Приводится содержание контрольной работы по общей электронике и основные требования к ее оформлению. Контрольная работа посвящена элементной базе и содержит шесть вопросов.
Печатается по разрешению редакционно-издательского совета МарГТУ.
Рецензент: А.А. Власов, к.т.н., доцент кафедры «Информационно-вычислительных комплексов».
Ó Марийский государственный технический университет, 2003.
1. Задачи контрольной работы
Основной задачей контрольной работы является знакомство с элементной базой электроники и расчет аналоговых электронных устройств.
Контрольная работа состоит из расчётно-пояснительной записки объёмом 8 ¸ 12 листов.
Расчётно-пояснительная записка должна иметь титульный лист, который содержит наименование дисциплины, фамилию студента, фамилию руководителя и оценку работы. На второй странице должен быть номер варианта и техническое задание. Расчётно-пояснительная записка должна быть аккуратно оформлена, подшита и пронумерована. Чертежи должны быть выполнены в соответствии с ЕСКД. Перечень элементов может быть дан в пояснительной записке.
В конце пояснительной записки необходимо привести перечень используемой литературы.
Контрольная работа посвящена элементной базе электроники и содержит шесть вопросов.
3.1. Вопрос 1. Является теоретическим и связан с элементной базой. (Выполняется студентами заочной формы обучения).
3.2. Вопрос 2. Посвящён расчёту цепи, состоящей из последовательно соединённых диода VD и резистора R, к которой подключено входное напряжение Uвх, состоящее из постоянной составляющей U0 и синусоидальной составляющей U~=Uмак sin(wt)
Uвх=U0+Uмак sin(wt)
Значения Uвх0 и U~ даны в заданиях (Приложение 1).
Методика расчета приведена в литературе [Л4. стр. 42 ¸ 46].
Рис. 1. Рассчитываемая цепь RD
Для решения используется графоаналитический метод зеркального отображения (метод пересечения характеристик). В соответствии с этим методом находят ВАХ диода и строят на ней нагрузочную прямую для постоянной составляющей Uвх=Uд+J0Rн. Точка пересечения А определяет постоянную составляющую тока J0 и падения напряжения на диоде Uд.. Затем проводятся две параллельные линии U0+Uмак и U0-Uмак, и определяются точки В и С, которые позволяют определить Jмак, Jмин, Uд.мак, Uд.мин. Записываем значения тока J(t) и напряжения Uд.(t).
J(t)=J0+(Jmax-J0)sin(wt)
![]() |
Рис. 2. Расчет цепи RD методом зеркального отображения
3.3. Вопрос 3. Построение амплитудной характеристики функционального устройства на ОУ. Нарисовать функциональное устройство на ОУ в соответствии с вашим вариантом и построить его амплитудную характеристику. Полное функциональное устройство на ОУ приведено на рис. 3.
![]() |
Для неинвертирующего усилителя:
Z2 – сопротивление обратной связи.
![]() |
![]() |
Рис. 3. Полное функциональное устройство на ОУ
3.4. Вопрос 4. Спроектировать параметрический стабилизатор напряжения с заданными параметрами. Заданы Uвых, Jн.max, Jн.min, Uвх.min.
Расчёт производится в следующей последовательности:
3.4.1. В соответствии с техническим заданием выбираем стабилитрон и выписываем его параметры: Uст, Iст.мин.доп., Iст.мак.доп., Rдиф.
![]() |
а)
б)
Рис. 4. Схема параметрического стабилизатора напряжения (а)
и его вольтамперная характеристика (б)
3.4.2. Определяем Rб из условия работы в рабочей зоне стабилитрона.
, где
Uб.мин.=Uвх.мин.-Uвых., Jвх.мин.=Jст.мин.+Jн.мак., Jст.мин.<Jст.мак.доп.
3.4.3. Определяем максимальный ток через стабилитрон:
Jст.мак.=Jвх.мак.-Jн.мин.
![]() |
3.4.4. Определяем величину изменения выходного напряжения
DUвых .
DUвых= (Jст.мак.-Jст.мин.)·Rдиф,
где Rдиф. - динамическое сопротивление стабилитрона (из справочника).
3.4.5. Определим коэффициент нестабильности по напряжению.
![]() |
3.4.6. Определим мощность рассеивания на стабилитроне и на резисторе Rб.
Pмак.ст.=Uвых. ·Jст.мак.<Pдоп.,
PRб=J2вх.мак.Rб.
Выбираем тип резистора Rб.
3.5. Вопрос 5. Спроектировать стабилизатор напряжения на интегральных микросхемах серии К142ЕН (рис. 5).
![]() |
![]() |
а)
б)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.