Рис. 5. Стабилизатор напряжения на ИС с фиксированным напряжением (а)
и на универсальной ИС (б)
Выбор микросхемы производится в зависимости от технического задания. Если выходное напряжение не стандартное, то следует применить универсальные микросхемы типа К142ЕН1, К142ЕН2 или К142ЕН3. Если напряжения стандартные (5В, 6В, 9В, 12В, 15В, 20В, 24В, 27В), - следует использовать ИС с фиксированным напряжением ЕН5, ЕН8, ЕН9.
Задано Uвых и Jн. Из справочника находим основные параметры микросхемы и значения С1, С2, С3.
Для схемы «б» расчёт ведётся исходя из соотношений:
Jдел>1,5mA и
Задаёмся током Jдел, определяем R1+R2 и рассчитываем R2 и R1.
Резистор R1-2 является постоянным и составляет ~95% от номинала R1. Резистор R1-1 является подстроечным и составляет ~10% от номинала R1. Если выходное напряжение должно измениться в заданных пределах, то соответственно необходимо расчитать R1-1 и R1-2.
Рассчитываем мощность, рассеиваемую на микросхеме.
P=(Uвых.-Uвх.)·Jн.;
обычно (Uвх.-Uвых.)>3В (из справочника).
Расчитываем мощности на резисторах и по справочнику выбираем их тип. Схема стабилизатора должна быть вычерчена на формате, иметь перечень элементов и соответствовать ЕСКД.
3.6. Вопрос 6. Спроектировать мультивибратор на транзисторах с заданными параметрами. В качестве исходных данных к расчёту мультивибратора даны: напряжение питания Uп, частота f,Jк, и скважность q. Необходимо выбрать транзистор и расчитать элементы Rk1, Rk2, Rд1, Rд2, Cд1, Сд2.
а)
Рис. 6. Схема мультивибратора (а), временная диаграмма работы (б).
Расчёт выполняется в следующей последовательности:
3.6.1. Определить длительность Т, Т1, Т2.
T2=T-T1.
3.6.2. Выбираем транзистор VT1 из следующих условий: UКЭ>UП; UБЭ³UП; fгр>5f; и записываем его параметры UКЭ мак.доп., UБЭ мак.доп., fгр, h21Э=b; Jк. мак. доп., Uнас.
3.6.3. Определяем сопротивление резистора Rk1=Rk2, исходя из заданного коллекторного тока Jk.
, где UНАС – напряжение насыщения.
Проверяем условие JK£0.7Jk.мак.доп.
Определим мощность резистора Rk:
PRк @ JKUП и выбираем его тип.
3.6.4. Находим сопротивление RД1=RД2 из условия обеспечения коэффициента насыщения транзистора g=1,5
Определяем мощность рассеивания на резисторе Rд и выбираем его по справочнику.
3.6.5. Находим ёмкость конденсаторов Сд1 и Сд2.
t f 1=2.3RKCД2; t f 2=2.3RKCД1.
В соответствии с ЕСКД вычертить схему мультивибратора с перечнем элементов.
Приложение 1
Варианты контрольных работ
1. Классификация и область применения полупроводниковых диодов.
2. RН= 100 Ом, UВХ = 5+2sin(wt)
3. SA1= “+”, SA2 = “вкл”, R1= 10 кОм
4. UВЫХ = 9 В, JН = (10-15) мА, UВХ = (12-15) В
5. UВЫХ = 10 В, JН = 0.5 А
6. UП = 10 В, f = 1 кГц, Jk = 10 мА, q = 2
1. Условные обозначения и маркировка п/п диодов.
2. RН = 200 Ом, UВХ = 4+3sin(wt)
3. SA1 = “-”, SA3, SA5 = “вкл”, R1 = 20 кОм
4. UВЫХ = 3.3 В, JН = (10-16) мА, UВХ = (5-7) В
5. UВЫХ = 5 В, JН = 1 А
6. UП = -10 В, f = 10 кГц, Jk = 15 мА, q = 3
1. Выпрямительные диоды.
2. RН = 50 Ом, UВХ = 5+2sin(wt)
3. SA1= “-”,SA4, SA5 = “вкл”, R1 = 40 кОм
4. UВЫХ = 5.6 В, JН = (5-15)мА, UВХ = (8-10) В
5. UВЫХ = 8 В, JН = 2 А
6. UП = 5 В, f = 15 кГц, Jk = 5 мА, q = 4
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.