Конструктивно ИС состоит из корпуса, подложки и контактных площадок.
Корпус ИС – это часть конструкции ИС, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и для соединения ее с внешними электрическими цепями посредством выводов.
Подложка ИС – заготовка, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИС, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.
Контактные площадки – металлизированные участки на кристалле, предназначенные для подсоединения контактных выводов интегральных схем.
Классификация ИМС
По конструктивно – технологическому принципу ИМС можно разделить на полупроводниковые, пленочные, гибридные, совмещенные.
По функциональному назначению ИМС делят на аналоговые и цифровые.
Полупроводниковой интегральной схемой называется ИС, все элементы которой изготовлены на общей полупроводниковой подложке (кристалле кремния) в процессе общих технологических операций.
В качестве активного элемента применяют биполярный или полевой МДП-транзистор. Поэтому полупроводниковые ИС подразделяют на биполярные и МДП-микросхемы.
В биполярных ИС используют исключительно транзисторы типа n-p-n. Это объясняется большим быстродействием транзисторов типа n-p-n по сравнению с транзисторами типа p-n-p и возможностью получения для транзисторов типа n-p-n большего значения коэффициента a.
Пассивные элементы и диоды в биполярных ИС изготавливают на основе p-n перехода (конденсаторы) и слоев полупроводника (резисторы).
В МДП ИС преимущественное распространение получили полевые транзисторы с индуцированным каналом. Напряжение пробоя участка сток-затвор в них существенно выше, чем коллекторного перехода в биполярных транзисторах. Поэтому МДП ИС применяют при более высоком напряжении питания, чем биполярные микросхемы.
Пленочной интегральной схемой называют ИС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок.
Вариантами технического исполнения пленочных интегральных схем являются тонкопленочные и толстопленочные ИС. К тонкопленочным условно относятся интегральные схема с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным – ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм.
С помощью пленочной технологии можно делать пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности), а также соединительные проводники, контактные площадки и элементы СВЧ схем.
Гибридная технология позволяет создавать электронные устройства, выполняющие достаточно сложные функции. По этой технологии на керамическую подложку последовательно наносят пленки для получения пассивных элементов.
Активные элементы изготовляют в бескорпусном микроминиатюрном исполнении и используют в качестве навесных элементов.
Гибридной интегральной схемой называют ИС, содержащую кроме элементов, простые и сложные компоненты. Частным случаем гибридной ИС является многокристальная ИС.
В совмещенных интегральных схемах активные элементы создают также как в полупроводниковых ИМС, а пассивные элементы получают методами
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.
