Полупроводниковые приборы, расчет параметров

Страницы работы

Содержание работы

Тема 2. «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ»

Цель практического занятия:

-  изучить полупроводниковые приборы, особенности работы, параметры;

-  получить навыки расчета полупроводниковых приборов.

На тему отводится 4 часа аудиторных занятий.

Наибольшее распространение имеют полупроводниковые приборы с электронно-дырочными переходами.

Полупроводниковые приборы с двумя p-n переходами называют транзисторами. При включении транзистора с общим эмиттером (ОЭ) управляющим является ток базы Iб, а при включении с общей базой (ОБ) – ток эмиттера Iэ.

Ток коллектора Iк для схемы ОЭ можно определить по зависимости:

,

где β – коэффициент усиления тока;

Ιк.о – обратный ток p-n перехода при Ιэ = 0.

Для схемы ОБ имеем:

Iк = αIэ + Iк.о,

где α – коэффициент передачи транзистора по току.

Между коэффициентами α и β существует связь:

 и

В табл. 2.1 приведены расчетные формулы физических и h - параметров транзистора.

При расчете входных и выходных сопротивлений биполярных транзисторов можно принять:

для схемы ОБ:

rвх.б = h11б, rвых.б = 1/h22б ,

rвх.б = rэ + (1-α)rб;

для схемы ОЭ:

rвх.э = h11э , rвых.э = 1/h22э,

rвх.э = rб + (1+β)rэ.

Таблица 2.1. Формулы для расчета физических и h–параметров.

h-параметры

Физические параметры

, ;

, ;

, ;

, ;

;

;

;

;

.

ВАРИАНТЫ ЗАДАЧ ПО ТЕМЕ 2:

«ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ»

1. Определить управляющий ток транзистора при включении ОЭ, если в его входную цепь включен резистор Rб, напряжение источника Еб и известно падение напряжения Uб. э:

Задание

Номер варианта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Rб, кОм

4

6

8

10

5

7

9

4

8

5

Eб, В

3

3

6

3

9

9

6

3

9

6

Uб.э, В

0,3

0,5

0,7

0,4

0,6

0,8

0,3

0,7

0,6

0,5

Изобразить схему включения транзистора для данных условий.

2. При увеличении управляющего тока транзистора в схеме ОЭ в два раза изменяется коллекторный ток на ∆Ιк. Определить первоначальные токи Iб и Iк, если известны коэффициент  β и ток Iк. о:

Задание

Номер варианта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

∆Iк, мА

10

15

20

25

30

35

40

20

30

15

β

50

60

70

80

90

10

20

30

40

50

Iк.о, мкА

5

10

5

10

15

5

10

15

5

10

Изобразить схему включения.

3. Найти сопротивление нагрузки в коллекторной цепи транзистора, включенного по схеме ОБ, если известны Iк, Eк и Uк. б:

Задание

Номер варианта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Iк, мА

50

60

70

50

60

70

50

70

60

80

Eк, В

6

9

12

6

9

12

6

12

9

15

Uк.б, В

1

1,5

2

2,5

1

1,5

2

2,5

2

2,5

Изобразить схему включения.

4. Определить коэффициент передачи транзистора по току α при включении ОБ, если известны Iэ, Iк, Iк.о. Чему равен коэффициент усиления β этого транзистора при включении ОЭ:

Задание

Номер варианта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Iэ, мА

5

6

4

7

9

11

5

4

9

6

Iк, мА

4,9

5,9

3,9

6,9

8,9

10,8

4,9

3,9

8,9

5,9

Iк.о, мкА

20

10

80

50

70

60

30

30

50

40

5. При включении ОБ используют транзистор с коэффициентом передачи α. Найти диапазон изменения тока коллектора, если известен предел изменения тока эмиттера Iэ1 и Iэ2, а также ток Iк о:

Задание

Номер варианта

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

α

0,97

0,98

0,97

0,98

0,98

0,97

0,97

0,96

0,98

0,97

Iэ1, мА

5

6

4

7

9

11

5

4

9

6

Iэ2, мА

16

17

15

19

21

23

17

14

22

18

Iк.о, мкА

20

10

80

50

70

60

30

30

50

40

Похожие материалы

Информация о работе

Предмет:
Электроника
Тип:
Задания на лабораторные работы
Размер файла:
115 Kb
Скачали:
0