Полупроводниковые приборы, расчет параметров, страница 2

6. Рассчитать токи I_к, I_э, I_б при включении ОБ и ОЭ, если известно, что ток I_к одинаков для обеих схем, а соотношение управляющих токов I_э = nI_б, заданы β и I_{к о}:

Задание	Номер варианта
	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
β	30	45	70	50	60	42	75	80	35	65
n	35	50	75	55	65	45	80	85	40	70
Iк.о, мА	10	20	15	25	10	20	15	25	10	20

7. Какой коэффициент передачи транзистора α при включении ОБ необходимо выбрать, чтобы коэффициент усиления при включении ОЭ β = 50; 70; 100. Построить график зависимости α = f(β) для транзистора в диапазоне β от 0 до 100.

8. Коэффициент усиления транзистора при включении ОЭ β = 50. Разброс значений этого коэффициента δ_β для приборов одной партии лежит в пределах 10%. Определить коэффициент передачи α при включении ОБ и его разброс δ_α.

9. Определить коэффициент передачи транзистора по току α и коэффициент усиления β, если при изменении тока эмиттера на 1.6 мА ток коллектора увеличивается на 1.57 мА.

10. Определить внутренние физические параметры r_б, r_э, r_к и коэффициенты α и β Т-образной эквивалентной схемы замещения транзистора, если известны его h-параметры как активного линейного четырехполюсника, включенного по схеме ОБ:

Задание	Номер варианта
	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
h11б, Ом	40	30	35	32	24	25	40	28	38	36
h12б∙10-4	6	5	4	2	2	3	4	2	5	4
h21б	0,97	0,94	0,95	0,98	0,99	0,96	0,98	0,95	0,98	0,98
h22б∙10-6, См	2	1	1	1	50	3	1	1	50	40

ВОПРОСЫ ПО ТЕМЕ 2

«ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ»

1.  Какие вещества называют полупроводниковыми?

2.  Какие свойства имеют полупроводники?

3.  Какие энергетические зоны имеют твердые тела?

4.  Что называют собственной проводимостью полупроводника?

5.  Каким образом получают электронную проводимость?

6.  Как создать полупроводник с дырочной проводимостью?

7.  Чем отличается донорная примесь от акцепторной?

8.  От чего зависит величина дрейфового и диффузионного тока?

9.  Какие носители заряда называют основными и неосновными в полупроводнике?

10.  Какой процесс называют рекомбинацией, инжекцией, экстракцией?

11.  Почему не образуется дырка при добавлении к чистому полупроводнику донорной примеси?

12.  Что называют металлургической границей? Какими методами ее получают?

13.  Для чего используют опорные диоды?

14.  На какой ветви вольт-амперной характеристики работает стабилитрон?

15.  Какой полупроводниковый материал используют для изготовления стабилитронов?

16.  Какими параметрами оценивают стабилитрон?

17.  Какой ток в транзисторе больше – коллекторный или эмиттерный?

18.  При какой схеме включения транзистора возможно усиление тока?

19.  Как меняется с ростом температуры обратный ток коллектора?

20.  Какой ток является входным для схемы ОК?

21.  Почему изменение напряжения на коллекторном переходе мало влияет на величину коллекторного тока?

22.  Какая схема включения транзистора усиливает мощность?

23.  Какая характеристика транзистора является входной для схемы ОБ?

24.  Транзистор какого типа усиливает ток при отрицательных потенциалах на базе и коллекторе?

25.  Какая область в транзисторе осуществляет инжекцию носителей?

26.  Почему необходимо уменьшать толщину базы?

27.  Когда экстракция носителей в коллектор интенсивней: при увеличении напряжения на коллекторном переходе или при увеличении тока базы?

28.  От чего зависит величина коэффициента передачи транзистора по току?

29.  Какой режим работы транзистора называют статическим?

30.  Какая схема включения транзистора дает наименьшие нелинейные искажения?

31.  Почему в схеме ОБ (ОК, ОЭ) r_вх<r_вых (r_вх>r_вых, r_вх≈r_вых)?

32.  Какие используют системы параметров транзистора?

33.  От чего зависит f_α (f_β) - граничная частота усиления транзистора?

34.  Какие параметры характеризуют работу полупроводниковых диодов?

35.  Какие типы диодов используют в электронных устройствах?

36.  Какие классификационные параметры транзистора используют?

37.  Какие параметры относят к параметрам малого и большого сигналов?

38.  Перечислите предельные параметры транзистора.