Определение физико-химических параметров полупроводников, страница 4

4. Выводы.

Приборы и реактивы

Весы аналитические АДВ-200 - 1 шт. (метод взвешивания на аналитических весах приведен в приложении). Исследуемыми веществами являются монокристаллический кремний, монокристаллический германий, монокристаллический арсенид галлия.

Контрольные вопросы

1. Метод гидростатического взвешивания.

2. Атомные параметры вещества.

3. Критические параметры вещества.

4. Вириальное уравнение состояния и вириальные коэффициенты.

5. Объем Бойля и температура Бойля.

6. Потенциал взаимодействия Леннарда-Джонса и молекулярные параметры

    взаимодействия.

7. Семь сингоний кристаллов и 14 типов решеток Браве.

8. Элементарная ячейка гранецентированной решетки.

9. Определение параметров элементарной ячейки.

10.Определение поверхностной плотности атомов для различных

     кристаллографических направлений.

11.Последовательность определения параметров монокристаллического

    полупроводника и основные выводы.

Приложение 1

Метод гидростатического взвешивания

Масса  m  в граммах исследуемого слитка вещества определяется взвешиванием на аналитических весах типа АДВ-200 в подвешенном
состоянии (рис. 9). Для точного нахождения объема слитка вещества
определяется масса остатка в воде m(в H2O ), г при опускания повешенного на нитке или тонкой проволочке к коромыслу весов слитка
в чашку с дистиллированной водой, находящейся на подставке над тарелкой аналитических весов (рис.9). Объем слитка

V=,

где m–m(в H₂O) –масса воды, вытесненной кристаллом, г;

ρ_m(H₂0) – массовая плотность воды ( при комнатной температуре

ρ_m(H₂0) = 1,002 г/см³ ), г/см³.

Приложение 2

Рис 4. Расположение атомов в элементарной ячейке некоторых типах структур (от  до ) кубической системы

          

Рис 5. «Выделение» элементарной ячейки из кристаллической решетки вещества

Рис 6. Деление элементарной ячейки на 8 октантов: Заполненные и незаполненные октанты чередуются в шахматном порядке.

(Координатный многогранник – тетраэдр, координатное число 4)

Рис 7. Обозначение кристаллографических направлений [h k l] и кристаллографических плоскостей (h k l) для простой кубической решетки через индексы Миллера: , ,

Простая кубическая
Объемно-центрированная
Гране-центрированная

Рис 8. Определение межплоскостных расстояний трех типов кубических кристаллических решеток

Семь сингоний кристаллов и 14 типов решеток Бравэ`

Сингония	Система координат	Тип решетки
		Простая	Объемно-центриро-ванная	Базо-центроро-ванная	Гранеце-нтриро-ванная
1. Триклинная
2. Моноклинная
3. Ромбическая (орторомбическая)
4. Тригональная (ромбоэдрическая)
5. Тетрагональная
6. Гексагональная
7. Кубическая