Определение физико-химических параметров полупроводников, страница 3

33. Нормальная температура плавления вещества (при Р = 1 атм.) Т_ПЛ , К определяется методом термического анализа или методом вибрационного фазового анализа. Т_ПЛ = 1693К

34. Нормальная температура кипения вещества (при Р = 1 атм.) определяется из эмпирических соотношений: Т_ПЛ = 0,6Т_КИП = 0,4Т_КР              

Т_КИП  = 2821.667К                                                                           (29)

35. Критическая температура вещества в соответствии с уравнением (29), К,

Т_кр =                                                                                                             (30)

36. Параметр а – параметр уравнения состояния Ван-дер-Ваальса
при потенциале взаимодействия Леннарда-Джонса (12-6), атм.·см⁶/моль²,

a = 3,375bRТ_кр                                                                                                   (31)

37. Внутреннее давление, атм.,

P_z =                                                                                                              (32)

38. Критическое давление, атм.,

P_кр =                                                                                                      (33)

39. Критический коэффициент сжимаемости

Z_кр =                                                                                                             (34)

40. Критический коэффициент вязкости, мкП,

η_кр  = 61,6 (M_Si ·T_кр) ^1/2 (V_М(кр)) ^–2/3                                                                                                   (35)

41. Температура Бойля, К,

T_B = .                                                                                                            (36)

42. Параметр потенциала Леннарда-Джонса (12-6), К,

                                                                                                            (37)

где k =  = 1,3806 ·10^–23 Дж/К - постоянная Больцмана.

43. Минимальная энергия взаимодействия между атомами (молекулами) вещества, Дж,

ε =  k                                                                                                            (38)

44. Приведенная критическая температура

=                                                                                                      (39)

45. Коэффициент поверхностного натяжения, дин/см, (для неполярных жидкостей, не проявляющих водородных связей)

γ(Т)  = ·Q,                                                                                                     (40)

где                                                                                                                 Q =                                                                                                             (41)

α_кр – критический коэффициент Риделя (α_кр = 13,25651)

Давление измеряется в атмосферах, а температура в Кельвинах.
Определить γ для T_ПЛ.

γ(T_ПЛ) = 3.096·10⁹ дин/см

46.Парахор,     ,   (при   ,  )

P_ch(T)  =    P_ch(T)  =  2.426·10³                                                                                                             (42)

                                                                                          (43)

                                                                                                                                         (44)
Содержание отчета

1. Цель работы.

2. Рисунки объемной P–V_M–T  фазовой диаграммы вещества его элементарной  кристаллической ячейки.

3. Измеренные    и    рассчитайте     параметры       монокристаллического полупроводника: формулы, размерности, полный численный расчет.