Физика \ Физико-химические основы технологии электронных средств

Исследование технологического процесса эпитаксиального выращивания кремниевых пленок. Технологические расчёты для процесса эпитаксии, страница 6

Оценивается скорость роста в центральной части пластин в условиях 3-ярусного размещения. Соответствующие значения рассчитываются по заданному диаметру пластин с учётом того, что расстояние края пластин верхнего яруса от верхнего края подставки – 1 см, расстояние между пластинами в разных ярусах – 1 см. Оценивается общая средняя толщина, средняя толщина по различным ярусам, среднеквадратичное

Таблица 4.2.

Варианты заданий

Название переменной	Параметр	Номер варианта
Название переменной	Параметр	1	2	3	4	5	6	7	8
ТЕ	Температура эпитаксии, °С	1170 ±40	1100 ±30	1210 ±40	1200 ±40	1170 ±40	1100 ±40	1200 ±40	1200 ±50
TR	Температура реактора, °С	100 ±50	100 ±50	400 ±100	400 ±100	600 ±150	100 ±50	100 ±50	200 ±75
TI	Температура испарителя, °С	20 ±1	25 ±2	27 ±1,5	25 ±5	25 ±5	27 ±2	27 ±3	27 ±1
Q	Общий расход, л/ч	1000 ±150	1500 ±200	3000 ±300	3000 ±300	4000 ±350	4500 ±400	3000 ±450	6000 ±450
С	Концентрация, %	1	1	1	0,5	0,5	0,3	0,3	0,3
Р	Давление на входе реактора, мм рт. ст.	1120 ±100	1200 ±100	1200 ±200	1400 ±200	1500 ±400	2000 ±500	2000 ±500	2000 ±500
Т	Температура газа на входе в реактор, °С	25 ±5	30 ±5	30 ±7	30 ±10	30 ±6	30 ±5	30 ±10	25 ±5
RR	Радиус реактора, см	12±0,5	10±0,5	12±0,5	12,5 ±0,7	18±0,7	17±0,8	12±0,8	20 ±1

Название переменной	Параметр	Номер варианта
Название переменной	Параметр	1	2	3	4	5	6	7	8
RP	Радиус подставки, см	8±0,5	7,5 ±0,5	8,5 ±0,7	9,5 ±0,5	14,5 ±0,5	14 ±0,5	8,5 ±0,8	17 ±0,8
0	Угол, °	0	0	0	0	0	0	0	0
DPL	Диаметр пластин, мм	40	40	60	60	100	76	100	100
DS	Толщина пленки, мкм	6 ±1	7 ±1	8 ±1,5	6 ±1	7 ±1	8 ±1	10 ±1,5	10 ±1
DDQ	Колебания расхода через испаритель	±10%	±15%	±18%	±18%	±17%	±12%	±16%	±10%

отклонение от общего среднего значения. С учётом заданного значения толщины и поля допуска оценивается процент выхода годных. Программа позволяет также исследовать зависимость скорости роста, номинала толщины и среднеквадратичного отклонения от основных параметров технологического процесса: , , , оказывающих наиболее существенное влияние.

4.3. Порядок работы с программой.

После вызова программы и запуска на счёт по команде «MOD» начинается работа в диалоговом режиме. На экран выводится таблица с разделами работы и предлагается выбрать необходимый.

«А. Контрольный расчёт скорости роста эпитаксиальной плёнки». Это тестовый пример, расчёт проводится с использованием параметров, присутствующих в памяти машины, результаты сравниваются с эталонными. Выполнение раздела не является обязательным.

1 2 3 4 5 6 7 8

Скачать файл