Практические занятия и курсовое проектирование по дисциплине "Квантовые и оптоэлектронные приборы и устройства", страница 6

Таблица 1.2

Параметры серийных твердотельных и полупроводниковых лазеров

Марка лазера

Активная среда

Длина волны, мкм

Мощность излучения, мВт

Расходи-мость из-лучения,

м рад

Срок службы,

ч

Габариты излучателя,

мм

ЛТН-101

ИАГ

1,06

63

10

1000

400 х 130 х 160

ЛТН-102

ИАГ

1,06

125

10

1000

400 х 130 х 160

ЛТН-103

ИАГ

1,06

250

10

1000

400 х 130 х 160

ЛТН-401

ИАГ

0,53

2

10

1000

400 х 130 х 160

ЛТИ-501

ИАГ

1,06

8

2

500

1000 х 130 х 160

ЛТИ-502

ИАГ

1,06

16

2

100

1000 х 130 х 160

ЛТИ-701

ИАГ

0,53

4

1,5

500

1000 х 130 х 160

ЛТИ-702

ИАГ

0,53

2

1,5

100

1000 х 130 х 160

ГОР-100М

Рубин

0,69

100 Дж (5×10-2 Гц)

40

-

1000 х 130 х 160

Арзни-206

Рубин

0,69

2 Дж (2 Гц)

10

-

-

ГОС-30

Стекло

1,06

30 Дж

(5×10-3 Гц)

3

-

-

ГОС-1000

Стекло

1,06

1000 Дж

( 2×10-3 Гц)

-

-

-

ИЛПН-102

GaAs

0,82...0,92

5×10-3

-

10000

20 x 15 x 5

ИЛНП-210Б

GaAs

0,86...0,8

3×10-3

-

10000

20 x 15 x 5

ИЛПН-2-1-3А

GaAs

0,76...0,8

30×10-3

-

10000

Ø 9 х 6

ИЛПН-108

GaAs

0,81...0,88

40×10-3

-

5000

Ø 11,4 х 8,6

ИЛПН-112

GaAs

0,78...0,88

250×10-3

-

5000

Ø 11,4 х 9