Напомним, что Ф1 — фаза первой гармоники коллекторного тока, но не фаза напряжения на базе.
Как видно из последнего равенства, входную цепь транзистора можно представить в виде параллельного соединения активной проводимости и емкости:
Здесь
На рис. 1.26 построены графики зависимостей входной проводимости и емкости транзистора от угла отсечки. Расчеты произведены для случая, когда амплитуда возбуждения достаточно велика, так что часть времени транзистор работает в «существенно» активной области, а потому . В этом случае , и входная проводимость и емкость зависят только от параметра инерционности и угла отсечки. Если амплитуда возбуждения недостаточно велика для работы в «существенно» активной области, то расчет входной проводимости и емкости следует проводить по (1.80). Однако порядок величин можно оценить по рис. 1.26 и в этом случае.
Эквивалентные схемы входной и выходной цепей можно представить в виде, изображенном на рис. 1.27.
Входная цепь (левая часть рис. 1.27) состоит из суммарной емкости , аналогичной емкости СкΣ, а также из рассмотренных выше проводимости G1и емкости C1 (1.80).
Выходная цепь (правая часть рис. 1.27) состоит из генератора тока с комплексной амплитудой (1.77), имеющего выходную проводимость и емкость (1.78). Кроме того, параллельно выходной цепи подключается также емкость , равная сумме емкостей коллектор-переход и коллектор-база, поскольку в них также ответвляется часть тока коллектора.
Имея эквивалентные схемы входной и выходной цепей, нетрудно определить эффективность каскада УЧ на транзисторах. В случае оптимального согласования эффективность равна
Здесь введен параметр .
Эффективность является функцией угла отсечки, выбором которого можно ее увеличить. Расчеты показали, что приближенно оптимальный угол отсечки можно принять θопт = 120°/n.
В случае низких частот и больших нагрузок (А, rк→0) оптимальный угол несколько больше приближенного значения; в случае высоких частот и малых нагрузок (А, rк→∞) он несколько меньше. Однако во всех случаях при указанном выборе угла отсечки проигрыш го сравнению с оптимальным значением оказывается небольшим. Поэтому везде при расчетах примем оптимальное значение равным 120°/n.
График зависимости . максимальной эффективности от частоты показан на рис. 1.28.
Как видно из рисунка, с ростом частоты эффективность УЧ на транзисторах падает. При изменении частоты от нуля до значений, соответствующих А = 4, эффективность уменьшается примерно на 10 дб. Следует отметить, что графики рис. 1.28 относятся к нормированной эффективности, деленной на произведение . Это произведение может достигать нескольких десятков и даже сотен, поэтому реальная эффективность УЧ на транзисторах может быть больше единицы, несмотря на то, что нормированная эффективность много меньше ее. Сказанное особенно справедливо для низких частот, где УЧ, как правило, имеют эффективность больше единицы. В результате на низких частотах после нескольких каскадов УЧ амплитуда возбуждения последующих каскадов может оказаться больше допустимой. В этом случае коэффициент связи двух каскадов выбирают меньше оптимального значения. Тогда входная цепь последующего транзистора слабо шунтирует контур, т. е. УЧ на транзисторах можно рассматривать, как аналог УЧ на пентоде.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.