Основы радиоэлектроники: Лабораторный практикум. Часть 1, страница 15

          В этой схеме использовано общепринятое условное изображение транзистора р-n-p-типа. Условное обозначение для транзистора n-p-n-типа показано на рисунке 5, б. У транзистора n-p-n-типа полярность напряжений, подаваемых на эмиттер и коллектор, противоположна полярности напряжений в схеме с p-n-p-транзистором.

Рисунок 5

          Коэффициентом передачи напряжения K_н называют отношение амплитуд или действующих значений переменных напряжений на выходе (U_вых) и на входе (U_вх) усилителя. Входом усилителя являются зажимы эмиттер-база, а выходом считается вход следующего каскада или зажимы, к которым подключается внешняя нагрузка.

          Как правило, сопротивление R_E во много раз превышает входное сопротивление транзистора переменному току R_вх

 

            Для схемы с общей базой входное сопротивление транзистора очень близко к величине дифференциального сопротивления диода

,

где I_E - постоянная составляющая тока эмиттера, мА. Поэтому можно считать, что ток от источника сигнала - генератора (Е_г, R_г), показанного на рисунках 5, а и б, не ответвляется в сопротивление R_E и целиком течет в эмиттер,

          Емкость разделительного конденсатора С₁ берут достаточно большой, чтобы выполнялось условие

 

где R_г - сопротивление источника переменного напряжения, R_BX - входное сопротивление транзистора, равное для рассматриваемой схемы r_d

.

          Входной переменный ток

 

          Чтобы не проявлялась нелинейность входной характеристики, необходимо иметь сопротивление источника сигнала

          Для выполнения данного условия при малом сопротивлении источника сигнала включают дополнительное сопротивление. Таким образом, в данном случае можно считать

          Выходные характеристики транзистора почти параллельны оси абсцисс. Это говорит о том, что выходное сопротивление транзистора для переменного тока в схеме с общей базой очень велико и составляет несколько мегом.

          Выходное сопротивление транзистора в схеме с общей базой на практике всегда много больше сопротивления нагрузки. Поэтому можно считать, что выходной переменный ток не зависит от сопротивления нагрузки и равен

.

          Параметр h_21b называется коэффициентом передачи тока при малом сигнале в схеме с общей базой в режиме короткого замыкания коллекторной цепи и по определению равен

.

          Коэффициент h_21b является характеристикой передачи малого сигнала в отличие от введенного ранее параметра h_21B в, являющегося характеристикой передачи большого сигнала.

          Так как

,

коэффициент передачи напряжения

.

Если в схемах на рисунке 5 включена внешняя нагрузка R¢_н, показанная штриховой линией, то

, где

.

2  Экспериментальная часть

            Лабораторная работа по снятию входных и выходных характеристик транзистора с общей базой проводится в следующей последовательности:

2.1. Собрать схему согласно рисунка 6.

PA1 - прибор комбинированный 43101; R1 - резистор 100 W; R2 - резистор переменный 470 W; С1 - конденсатор 3300 pF (подключается при наличии помех ); VT1 - транзистор КТ315А; PS1 - осциллограф; SA1 - тумблер МТ1.

Рисунок 6

2.2. Подключить схему к гнездам блока ПГ " + 5 V "; " + 15 V "; " – 0 ".

2.3. Изменяя резистором R2 входные напряжения (U_эб) от 0 до 0,9 V, снять входную характеристику транзистора I_э = f (U_эб) при напряжении коллектора (U_кб) 0; 5; 10 V (U_кб = 0 при отключенном тумблере SA1)

2.4. Собрать схему согласно рисунка 7.

2.5. Изменяя резистором R4 напряжение U_кб от 0,8 до 0 V, снять отрицательную ветвь выходной характеристики транзистора I_к = f (U_кб) при установке эмиттерного тока 10, 20, 30 mA.

 

PA1, PA2 - комбинированный  прибор 43101; PV1 - комбинированный прибор Ц4342; R1 - резистор 100 W; R2 - резистор переменный 2,2 W; R3 - резистор 3,3 kW;  R4 - резистор переменный 470 W; VT1 - транзистор КТ315А.