3.6. Нарисуйте вольт-амперную характеристику туннельного диода. Расскажите о его основных параметрах?
3.7. Нарисуйте вольт-амперную характеристику стабилитрона. Расскажите о его основных параметрах?
3.8. Какими параметрами характеризуются переключательные диоды?
3.9. Нарисуйте вольт-амперную характеристику тиристора. Расскажите о его основных параметрах?
3.10. Какие типы тиристоров вы знаете?
4 Требования по содержанию отчета
Отчет должен содержать:
4.1. Титульный лист.
4.2. Схему рисунка 8.
4.3. Значения измеренного прямого тока Iпр для диодов КД209А, КД521А.
4.4. График зависимости Iпр. = f (Uпр.).
4.5. Схему рисунка 9.
4.6. Зависимость тока стабилитрона (Icm) от напряжения стабилитрона (Ucm)
(прямая ветвь).
4.7. Зависимость тока стабилитрона (Icm) от напряжения стабилитрона (Ucm) (обратная ветвь).
4.8. Графики прямой и обратной ветви вольт-амперной характеристики стабилитрона.
4.9. Схему рисунка 10.
4.10. Вольт-амперную характеристику триодного тиристора. Iпр. = f (Uпр.) при токах в управляющем электроде 5, 10, 15 mA.
4.11. График вольтамперной характеристики динистора и диодного тиристора.
Лабораторная работа № 3
Исследование транзистора в схеме с общей базой
Цель работы:
- ознакомление с принципом работы транзистора и схемами их включения;
- ознакомление с методикой измерения входных и выходных характеристик транзистора в схеме с общей базой.
1 Сведения их теории
Транзисторы - полупроводниковые приборы, способные усиливать или генерировать электрические колебания. Транзистор состоит из двух электронно-дырочных переходов, выполненных на одном кристалле (рисунок 1).
В транзисторе имеются три области: эмиттерная, базовая и коллекторная. Переход, который образуется на границе областей эмиттер - база называется эмиттерным, а на границе база-коллектор - коллекторным. Проводимость базы может быть как электронной, так и дырочной, соответственно транзисторы бывают р-n-р или n-р-n-типа.
а) б)
Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков, различие заключается в том, что в транзисторе р-n-р- типа ток через базу переносится дырками, инжектированными из эмиттера, а в транзисторе n-р-n-типа - электронами. В усилительном режиме работы эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном.
Процессы, которые происходят при рассмотрении р-nперехода, будут иметь место и в переходах транзистора.
Если бы эмиттерный и коллекторный переходы находились на большом расстоянии друг от друга и ширина базы была бы значительно больше диффузионной длины, то дырки, инжектированные эмиттерным переходом, не доходили бы до коллектора, а рекомбинировали бы в базе. И такая система из двух разнесенных переходов вела бы себя как два изолированных диода. Причем вольт-амперная характеристика эмиттерного перехода представляла бы прямую, а коллекторного - обратную ветвь характеристики диода.
Особенность транзистора по сравнению с такой конструкцией заключается во взаимном влиянии переходов друг на друга.
Для того чтобы конструкция р-n-р работала как транзистор, необходимо чтобы почти все инжектированные эмиттером дырки доходили до коллекторного перехода, т. е. ширина базы транзистора W должна быть тонкой W<L р(для транзисторов типа n-р-nW<L n ).
Одной из особенностей конструкции транзистора является то, что сопротивление эмиттерной области выбирается во много раз меньше, чем базовой, для конструкции типа р-n-р это означает, что концентрация дырок в эмиттерной области много больше, чем в базовой. Если бы концентрации были равны, то эмиттерный ток состоял бы наполовину из электронов, инжектированных из базы в эмиттер, наполовину из дырок, инжектированных из эмиттера в базу. Так как концентрация дырок в эмиттере очень высокая, практически весь эмиттерный ток состоит из дырок, инжектированных в базу.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.