Ток эмиттера есть сумма базового и коллекторного токов:
Iэ= Iб+ Iк
Отношение приращения коллекторного тока к приращению эмиттерного тока называется коэффициентом передачи тока эмиттера:
a= DIк ¤ DIэ
Обычно коэффициент a близок к единице (0,99).
Отметим, что на ток в цепи коллектор - эмиттер накладывается обратный ток коллектора Iко, обусловленный тепловой генерацией электронно-дырочных пар вблизи коллекторного перехода, поэтому уравнение коллекторного тока имеет вид
Iк = aIэ + Iко,
однако Iко<Iэ и в большинстве случаев величиной Iко можно пренебречь.
Изменение Uбэ приводит к изменению Iэ и, следовательно, к изменению Iк. Большое сопротивление смещенного в обратном направлении коллекторного перехода позволяет выбрать большую величину сопротивления нагрузки в коллекторной цепи, и в этой цепи мощность электрического сигнала может быть значительно больше мощности, затраченной в цепи эмиттерного перехода.
Подобные процессы имеют место и в транзисторах типа р-n-р, только электроны и дырки в них меняются ролями, а полярность источников питания следует изменить на противоположную.
Зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе при различных значениях коллекторного напряжения представляет входную характеристику транзистора: Iэ=f(Uэб) при Uк в качестве параметра. На рисунке 4,а показаны входные характеристики для транзистора типа П16.
![]() |
![]() |
а) б)
На графике, изображающем коллекторные характеристики (рисунок 4, б), можно выделить три основные области, соответствующие трем различным режимам работы транзистора:
I область - активный режим, соответствующий значениям Uк-б<0, Uк-э >0. Этот режим является основным в усилительной технике. Для всей активной области характерно, что ток коллектора пропорционален току эмиттера.
II область - режим насыщения, соответствующий значениям Uк-б>0, Uк-э<0. Режим насыщения характерен для большинства ключевых импульсных схем.
III область - режим отсечки Uк-б<0, Uк-э <0. Транзистор находится в запертом состоянии.
Во многих случаях нет необходимости иметь семейства характеристик транзисторов: достаточно знать основные параметры, которые легко могут быть получены из этих характеристик. При этом, так же как и для характеристик, необходимо указывать схему включения транзистора. Основные параметры транзистора в схеме с общей базой - следующие:
дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока
a = d I k ¤d Iэ½Uк=соnst
дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
R э = d U Э ¤d IЭ ½Uк=соnst
дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
Rк = d U к ¤d Iк ½Iэ=соnst
коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное:
mэк = d U Э ¤d U к ½Iэ=соnst
Помимо перечисленных параметров важную роль в работе транзистора играет обратный ток коллектора Iко (ток в цепи коллектора при рабочем напряжении на коллекторе и токе эмиттера, равном нулю).
Рассмотренные транзисторы называют биполярными, так как в них действуют положительные и отрицательные носители электрического тока.
1.3 Схема включения транзистора с общей базой
При рассмотрении принципа работы транзистора, постоянные напряжения на эмиттер и коллектор подавались относительно базы, выполняющей роль общей точки. Такая схема включения транзистора называется схемой с общей базой. Схему, приведенную на рисунке 3, можно преобразовать в усилитель напряжения. Для этого в цепь эмиттера включают источник переменного напряжения, которое нужно усилить, а в цепь коллектора включают сопротивление нагрузки и снимают с него усиленное переменное напряжение. Такой усилитель показан на рисунке 5, а.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.