Ток эмиттера есть сумма базового и коллекторного токов:
Iэ= Iб+ Iк
Отношение приращения коллекторного тока к приращению эмиттерного тока называется коэффициентом передачи тока эмиттера:
a= DIк ¤ DIэ
Обычно коэффициент a близок к единице (0,99).
Отметим, что на ток в цепи коллектор - эмиттер накладывается обратный ток коллектора Iко, обусловленный тепловой генерацией электронно-дырочных пар вблизи коллекторного перехода, поэтому уравнение коллекторного тока имеет вид
Iк = aIэ + Iко,
однако Iко<Iэ и в большинстве случаев величиной Iко можно пренебречь.
Изменение Uбэ приводит к изменению Iэ и, следовательно, к изменению Iк. Большое сопротивление смещенного в обратном направлении коллекторного перехода позволяет выбрать большую величину сопротивления нагрузки в коллекторной цепи, и в этой цепи мощность электрического сигнала может быть значительно больше мощности, затраченной в цепи эмиттерного перехода.
Подобные процессы имеют место и в транзисторах типа р-n-р, только электроны и дырки в них меняются ролями, а полярность источников питания следует изменить на противоположную.
Зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе при различных значениях коллекторного напряжения представляет входную характеристику транзистора: Iэ=f(Uэб) при Uк в качестве параметра. На рисунке 4,а показаны входные характеристики для транзистора типа П16.
а) б)
На графике, изображающем коллекторные характеристики (рисунок 4, б), можно выделить три основные области, соответствующие трем различным режимам работы транзистора:
I область - активный режим, соответствующий значениям Uк-б<0, Uк-э >0. Этот режим является основным в усилительной технике. Для всей активной области характерно, что ток коллектора пропорционален току эмиттера.
II область - режим насыщения, соответствующий значениям Uк-б>0, Uк-э<0. Режим насыщения характерен для большинства ключевых импульсных схем.
III область - режим отсечки Uк-б<0, Uк-э <0. Транзистор находится в запертом состоянии.
Во многих случаях нет необходимости иметь семейства характеристик транзисторов: достаточно знать основные параметры, которые легко могут быть получены из этих характеристик. При этом, так же как и для характеристик, необходимо указывать схему включения транзистора. Основные параметры транзистора в схеме с общей базой - следующие:
дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока
a = d I k ¤d Iэ½Uк=соnst
дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
R э = d U Э ¤d IЭ ½Uк=соnst
дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
Rк = d U к ¤d Iк ½Iэ=соnst
коэффициент внутренней обратной связи по напряжению, характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное:
mэк = d U Э ¤d U к ½Iэ=соnst
Помимо перечисленных параметров важную роль в работе транзистора играет обратный ток коллектора Iко (ток в цепи коллектора при рабочем напряжении на коллекторе и токе эмиттера, равном нулю).
Рассмотренные транзисторы называют биполярными, так как в них действуют положительные и отрицательные носители электрического тока.
1.3 Схема включения транзистора с общей базой
При рассмотрении принципа работы транзистора, постоянные напряжения на эмиттер и коллектор подавались относительно базы, выполняющей роль общей точки. Такая схема включения транзистора называется схемой с общей базой. Схему, приведенную на рисунке 3, можно преобразовать в усилитель напряжения. Для этого в цепь эмиттера включают источник переменного напряжения, которое нужно усилить, а в цепь коллектора включают сопротивление нагрузки и снимают с него усиленное переменное напряжение. Такой усилитель показан на рисунке 5, а.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.