Структурные дефекты и примеси в полупроводниках, страница 15

Из таблицы видно, что диффузия Sb в приповерхностных слоях происходит медленнее, нежели диффузии ее в объеме HgSe. Мы склонны считать, что это связано с возникновением на поверхности новой фазы (например, HgSe +Sb2Se3), которая и приводит к замедлению процесса диффузии. Однако этот вопрос требует еще дополнительного исследования.