Разработка памяти (объём памяти SRAM – 4 Mб, разрядность – 32 бит информационная организация (1Мх32)бит)), страница 4

Параметр	Максимальное значение	Единица измерения
SRAM
Input Capacitance, (Control) СIN	20	пФ
Input Capacitance, (Address) СIN	60	пФ
IN/OUT Capacitance, (Data) СOUT	15	пФ
Flash File
Input Capacitance, (Control) СIN	20	пФ
Input Capacitance, (Address) СIN	50	пФ
IN/OUT Capacitance, (Data) СOUT	20	пФ

Расчёт нагрузки, создаваемой микросхемами памяти на линию адреса.

Расчёт будем производить по формуле:

,

где  – коэффициент объединения;

N_{слов_блока} – количество слов, хранимых блоком;

N_{слов_ИМС}  - количество слов выбранной ИМС памяти;

m_{разр_блока} – разрядность разрабатываемого блока;

m_{разр_ИМС} – разрядность выбранной ИМС памяти;

С_монт  - паразитная монтажная ёмкость;

С_{IN ИМС} – входная ёмкость ИМС (параметр из таблицы 2).

Для расчётов примем значение паразитной ёмкости С_монт=20 пФ.

Для памяти SRAM:

пФ

Для памяти Flash:

пФ

Допустимое значение нагрузки, создаваемой микросхемой памяти равно 5-7пФ. Рассчитанное значение нагрузки превышает допустимую величину, поэтому необходимо использовать буфер.

Расчёт нагрузки, создаваемой микросхемами памяти на линию данных.

Расчёт производится по аналогичной формуле:

,

где  – коэффициент объединения;

N_{слов_ИМС}  - количество слов выбранной ИМС памяти;

С_{OUT ИМС} – выходная ёмкость ИМС (параметр из таблицы 2).

С_монт=20 пФ.

Для памяти SRAM:

пФ

Для памяти Flash:

пФ

Допустимое значение нагрузки, создаваемой микросхемой памяти равно 5-7пФ. Рассчитанное значение нагрузки превышает допустимую величину, поэтому необходимо использовать буфер. Но так как мы применяем трансивер, то в буферизации нет необходимости, потому что в состав трансивера входит буфер.

Расчёт нагрузки, создаваемой микросхемами памяти на линию управления.

где  – коэффициент объединения;

С_{IN ИМС} – входная ёмкость ИМС по входам управления (параметр из таблицы 2).

Для расчётов примем значение паразитной ёмкости С_монт=20пФ.

Для памяти SRAM:

пФ

Для памяти Flash:

пФ

Допустимое значение нагрузки, создаваемой микросхемой памяти равно 5-7пФ. Рассчитанное значение нагрузки превышает допустимую величину, поэтому необходимо буферизировать управляющие сигналы.

Теперь необходимо выбрать номиналы интерфейсных элементов, нагрузочная способность которых (ёмкостная) должна превышать расчётное значение нагрузок, полученных для каждой функциональной линии.  Напряжения питания ИЭ должны совпадать с напряжением питания микросхем памяти, т.е. 5±10 В. Буфер и трансивер должны иметь разрядности, совпадающие с разрядностями шин адреса и данных (32 бита). В качестве адресного селектора используем программируемую логику (ПЛ). Как уже было сказано ранее нам необходимо анализировать 11 бит адреса и 1 бит шины управления, поэтому нужно выбрать такую ПЛ, которая имеет не менее 12 входов, но использование ПЛ с большим числом входов не желательно так как это будет не рационально (в условиях свободного выбора элементов). Также не стоит выбирать ПЛ с большим числом макро ячеек, это объясняется малым числом использования булевых функций.

Выбор типономиналов произведём на справочных интернет ресурсах ведущих фирм производителей микроэлектроники.

Исходя из предъявленных нами требований к типономиналам интерфейсных элементов свой выбор остановим на следующих типономиналах:

Адресный селектор - ATF22LV10C фирмы Atmel. Программируемое логическое устройство на базе  электрического стирания (EE PLD). Напряжение питания от 3.0В до 5.0В. 12 входов, 10 выходов. Максимальная задержка распространения 10 нс.

Буфер - SN74ALVTH52244 фирмы Texas Instruments. Состоит из восьми четырёхразрядных буферов, каждый из которых имеет свой вход OE#. Питающее напряжение 5±10% В. ТТЛ-совместимые входы и выходы. Время максимальной задержки распространения сигнала 3нс.