Разработка памяти (объём памяти SRAM – 4 Mб, разрядность – 32 бит информационная организация (1Мх32)бит)), страница 3

                                                                                                        Таблица 1

Биты адресации / Тип памяти	SRAM	Flash File
A31	0	0
A30	0	0
…	…	…
A22	0	1
A21	1	0
A20	*	*
…	…	…
A0	*	*

Функцию “арбитра” для выбора типа памяти возложим на адресный селектор. Который будет формировать определённые сигналы, поступающие к каждой из памятей при той или иной адресации.

Приведём рисунок, иллюстрирующий распределение адресного пространства между памятями (Рис. 2). Для компактности отображения номеров адресов воспользуемся шестнадцатеричной системой счисления. При составлении карты памяти незанятые области адресного пространства будем считать резервными.

 

                         FFFF FFFF

                                                  Резерв

                      004F FFFF

                                                  Flash File

                          0030 0000      

                                         

                          002F FFFF     

                                                  SRAM

                         0020 0000

                                                  Резерв

                     0000 0000

Рис. 2. Распределение адресного пространства между памятями

Разработка адресного селектора:

Так как ранее мы оговорили, что для выбора типа памяти будем использовать адресный селектор, то опишем, каким именно образом он будет формировать необходимые нам сигналы, свидетельствующие об обращении к типу запоминающего устройства. Для этого воспользуемся логическими выражениями и приведём термы произведения выражений на выходе селектора при анализе входных сигналов.

При составлении карты памяти мы определили, что для анализа типа памяти нам необходимо проверят “лишние” биты А31…А21. Также на вход адресного селектора подадим сигнал обращения к памяти MEM, свидетельствующий об обращении к памяти.

Исходя из наших размышлений, получаем, что сигнал CE для памяти SRAM формируется следующим образом:

.

Для памяти типа FF получаем:

.

Также будемформировать сигнал, который свидетельствует о попадании адреса в резервную область адресного пространства (сигнал “обращение по недействительному адресу”). Обозначим  его как  EA (Error Address).

.

Данный сигнал мы формируем лишь в том случае если в нашей системе не присутствует каких-либо других устройств использующих адресное пространство процессора. Этот сигнал направим на шину управления.

Помимо этих сигналов адресный селектор должен формировать сигнал, разрешающий работу трансивера. Трансивер должен активизироваться в том случае если происходит обращение к одному из типов памяти (SRAM или Flash). Получаем:

.

Выбор интерфейсных элементов:

Для выбора интерфейсных элементов нам необходимо рассчитать нагрузку создаваемую микросхемами накопителя на линии данных, адреса и управления.

Так как микросхемы памяти выполнены по КМОП технологии, то нет необходимости определять токовые нагрузки создаваемые памятями в виду незначительности этого параметра (единицы микроампер). Также малы токи утечки буферов находящихся в Z-состоянии.

Перейдём к расчёту ёмкостной нагрузки. Для этого нам потребуются значения ёмкостных параметров микросхем памяти. Эти значения определим из технической документации. Для удобства их использования приведём таблицу 2, в которой сведём эти характеристики.

                                                        Таблица 2. Емкостные параметры памяти SRAM и Flash