Разработка памяти (объём памяти SRAM – 4 Mб, разрядность – 32 бит информационная организация (1Мх32)бит)), страница 2

Адресный селектор нам потребуется, для того чтобы мы смогли выбирать необходимую нам память для процессов записи и чтения. Трансивер используем для обеспечения двунаправленной передачи данных, т.е. передачи данных как от самой памяти на шину DB, так и в обратном направлении, также необходимо буферизировать шину адреса. На шине данных и управления буферы не используется, предположим, что они присутствуют в составе трансивера и адресного селектора. Структурная схема разрабатываемой нами памяти приведена на рисунке 1.

               AB                                                                                   32

                                                                                                                          К другим

DB                                                                 32                   элементам

                                                                                                                          системы

CB                                                        2…n

 

SRAM A CE        DQ WE#

                                                                                                                         32

 

TS

ADDR SEL A          SRAM MEM         FF#

                                                                                                32

                                                                                                       32

					Flash File A CE#      DQ WE#

 

                                                                                                32

 

            Рис. 1. Структурная схема памяти.

Расчёт количества необходимых микросхем памяти

После продолжительных поисков необходимых микросхем, мы нашли подходящие элементы, причем найденные микросхемы полностью удовлетворяют нашим требованиям по организации и информационной емкости. Поэтому нам нет необходимости рассчитывать количество используемых микросхем, очевидно, что мы берем 1 микросхему Paradigm – PDM4M4120 ((1Мх32)бит) для SRAM памяти и 1 микросхему White Electronic Designs – WF2M32-0905 ((2Мх32)бит). Данное решение снизит финансовые затраты и значительно упростит структурную схему нашей памяти.

В итоге мы получили, что количество физических страниц памяти равно 1, поэтому нет необходимости в использовании дешифратора для выбора страниц памяти.

Составление карты памяти:

В адресации разрабатываемой нами памяти участвуют 2 её типа. Следовательно, нам необходимо определить какие адреса будет занимать память SRAM, а какие память FF. Так как для адресации памяти SRAM, исходя из технического задания, необходимо 1M=1*2²⁰=2²⁰ адресов (соответственно адресуемыми битами являются биты A0…A20) и FF, исходя из технического задания, необходимо 2M=2*2²⁰=2²¹ адресов (соответственно адресуемыми битами являются биты A0…A20), то встаёт вопрос, каким образом мы будем различать к какой именно памяти у нас идёт обращение. Для решения этого вопроса воспользуемся оставшимися 11 свободными битами адресации (соответственно это биты A31…A21). Память SRAM будем различать: если бит A21 будет равен 1, а все остальные биты не участвующие в прямой адресации памяти равны 0. Для FF поступим аналогичным образом. Если А22=1 и все остальные свободные биты адресации равны 0. Для наглядности приведём таблицу, в которой будет отражено предложенное нами решение (Таблица 1).