Другие предметы \ Устройства усиления сигналов

Проектування гібридної інтегральної тонкоплівкової мікросхеми радіомікрофона, страница 4

Вносимо дані до формул (1.5-1.6) та отримаємо:

(мВт),

(кОм).

Розрахуємо опір бази за формулою (1.8):

(1.8)

(кОм).

Далі знайдемо коефіцієнти підсилення за струмом напругою та потужністю за виразами:

; (1.9)

; (1.10)

; (1.11)

. (1.12)

Підставимо дані у вирази і отримаємо:

;

Коефіцієнт корисної дії знаходиться за формулою:

(2.12)

Підставимо отримані раніше дані:

За отриманими результатами і перевіркою розрахунків можна сказати, що транзистор буде працювати у робочому режимі по навантажувальній прямій АБ.

3 Розрахунок конструкції плівкових елементів

3.1 Розрахунок плівкових резисторів

Плівкові резистори виготовляються з матеріалів, що характеризуються великим електричним опором і низьким температурним коефіцієнтом опору (ТКО). Резистивні елементи плівкових гібридних мікросхем отримують нанесенням на підкладку резистивних плівок різної конфігурації. Опір плівкового резистора залежить від товщини і ширини плівки,її довжини і матеріалу. Конструктивний розрахунок тонкоплівкових резисторів полягає у визначені форми, геометричних розмірів і мінімальної площі. До тонкоплівкових резисторів пред’являють наступні вимоги: стабільність у часі, мала площа на підкладці, низький температурний коефіцієнт опору, низький рівень шумів, малі значення паразитних параметрів. На рисунку 3.1 показано конфігурації таких резисторів: прямокутна звичайна (рисунок 3.1,а), прямокутна (довжина менша ширини), (рисунок 3.1,б) та складний резистор типу меандр (рисунок 3.1,в).