Підкладка виготовляється із ситалу СТ50-1. Розрізання ситалу, здійснюється методом скрайбування. Ситал легко розрізаються алмазом.
Навісні компоненти закріплюються на платах ГІС за допомогою спеціальних клеїв, смол, компаундів та поступового створення з’єднань їх виводів з контактними площадками шляхом термокомпресії, пайки чи зварювання.
Застосовується два способи захисту плівкових інтегральних мікросхем від впливу зовнішніх чинників і від механічних пошкоджень: без корпусний захист (герметизація компаундами) і корпусний захист (герметизація за допомогою твердих корпусів різного типу). Корпусний захист рекомендується застосовувати при тривалій (більш ніж десять діб) експлуатації мікросхем в умовах підвищеної вологості. Корпус повинен мати достатню механічну міцність, малу масу і габарити, надійну електричну ізоляцію. Крім того, всередині нього слід підтримувати достатньо стабільні температурні умови.
При монтажі у металоскляному, металокерамічному, метало - полімерному або пластмасовому корпусі плата приклеюється до основи корпуса клеями, смолами чи компаундами. З’єднання зовнішніх контактних площадок з виводами корпусу здійснюється, зварюванням чи пайкою.
Корпус герметизується за допомогою вакуумної заливки, листового пресування або склеювання.
7 Тепловий розрахунок мікросхеми
Для проведення розрахунку теплового режиму мікросхеми
мають бути відомі наступні початкові дані: тип конструкції мікросхеми, для якої
ведеться розрахунок; товщина підкладки м; коефіцієнт теплопровідності підкладки
, Вт/(м
град); температура корпуса мікросхеми
, 0С; максимально допустима температура
плівкових резисторів tR max доп, 0С;
максимально допустима температура плівкових конденсаторів tС max доп,
0С; максимально допустима температура навісних компонентів tН
max доп, 0С.
Розрахунок розпочинають з вибору типу корпусу, для корпуса зображеного І типу визначимо тепловий опір rt [8].
Для корпусу конструкції І типу:
(7.1)
(7.2)
де =
10-3м – товщина плати ,
Вт/м
с – коефіцієнт теплопровідності плати
м2
с/Вт
Розрахуємо максимальну питому потужність розсіювання Р0’ на поверхні підкладки при будь – якому розміщенні на ній тепловідводних елементів:
, (7.3)
де =1250С
– максимально допустима температура навісних елементів ,
=
600С – температура корпуса
, (7.4)
де - потужність, розсіювання
навісних елементів ,
-
ширина навісного компонента,
-
довжина навісного компонента,
-
внутрішній тепловий опір навісного компонента
Аналізуючи схему розраховуємо для
транзисторів,
тоді задаємось = 0.016 Вт
=
10-3 ,
=
10-3,
= 20 0С/Вт
0С,
тоді (кВт/м2).
Визначаємо максимально можливі температури елементів:
Для плівкових елементів:
tR max = tk + rt (P0 + PHmax), (7.5)
де PHmax – потужність навісних резисторів
PHmax =125, тому, що навісних резисторів не має
tR max = 60 + (110860+125) =1100C.
Для плівкових конденсаторів:
tС max = tk + 0.5 rt ( P0+ PHmax ) , (7.6)
тоді підставивши дані отримаємо:
tС max
=60+ =850C.
Для навісних конденсаторів:
tС
н max = tk + rt
P0 + , (7.7)
тоді підставимо дані і отримаємо:
tС
н max = 60+ +
=1250C.
Для плівкових індуктивностей:
tL max = tk + 0.5 rt ( P0+ PHmax ) (7.8)
тоді підставивши дані отримаємо:
tL max
=60+ =850C.
Для навісного без корпусного транзистора:
tТ н max = tk + rt P0 +
тоді підставивши дані отримаємо:
tТ н max =60+ =1250C.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.