В даному курсовому проектуванні поставлена мета навчитись розробляти інтегральні мікросхеми і закріпити свої знання з схемотехніки та мікроелектроніки.
1 Обгрунтування технології виготовлення мікросхеми
В конструктивному відношенні гібридна інтегральна мікросхема – це плата (діелектрична або металева з ізоляційним покриттям), яка розташована в герметично закритому корпусі з виводами і на поверхні якої сформовані плівкові елементи і змонтовані інші компоненти. Поетапне використання різних технологій залежить від виду мікросхеми і її конструктивного призначення.
Навісними компонентами є активні елементи (транзистори, діоди або навіть інші мікросхеми), а за товстоплівковою або тонкоплівковою технологією виконуються пасивні елементи ( резистори, конденсатори, котушки індуктивності ).
Розробляючи мікросхему треба мати схему електричну принципову, знати її умови експлуатації і майбутнє застосування. Всі параметри і значення для обраної мікросхеми треба підбирати зі спеціальної технічної літератури та інші матеріали, які відносяться до розроблюваної мікросхеми.
Під час проведення проектування розробляються всі необхідні параметри для того щоб мати уявлення про функції і габаритні розміри мікросхеми. І накреслюється коло задач, які необхідно рішити в процесі ескізного проектування даної мікросхеми.
На етапі ескізного проектування готовиться комплекс конструкторських документів, в яких мають вирішуватись принципові конструктивні рішення, роботи виробу [8].
Етап розробки технічної документації на мікросхему містить наступні стадії: розробку конструкторської документації, для виготовлення зразка мікросхеми, щоб дослідити та налагодити по результатам випробуванням, розробку документації, для виготовлення і випробування серії таких мікросхем, розробку і виправлення документації, для установлення серійного або масового виготовлення.
Гібридні мікросхеми виготовляються на діелектричній підкладці. Транзистори за плівковою технологією зазвичай виготовляють окремо, тому їх називають не елементами, а компонентами мікросхеми. З метою економії об’єму транзистори застосовують в без корпусному оформленні. Пасивні елементи: резистори, конденсатори, котушки індуктивності, з’єднання та контактні площадки виконуються методом плівкової технології. В даному випадку тонкоплівкової технології.
Розрізняють гібридні інтегральні мікросхеми товстоплівкові і тонкоплівкові, які відрізняються не так товщиною плівок як технологією виготовлення. Оскільки при виготовленні тонкоплівкових ГІС, пасивні елементи виготовляються методом вакуумного напилення провідникових резистивних і діелектричних шарів товщиною порядку десятих і сотих доль мікрометра. Тому, незважаючи на більшу ціну, в даному курсовому проекті ми будемо розробляти саме таку мікросхему, оскільки товстоплівкова технологія має нижчу точність і відтворюваність значень параметрів.
Методом фотолітографії, за допомогою фотошаблонів формуються всі плівкові елементи, контактні площадки і провідники. При монтажі у корпус плата в більшості випадків приклеюється до основи корпуса клеями, смолами чи компаундами. З’єднання зовнішніх контактних площадок з виводами корпусу найефективніше здійснювати зварюванням, хоча можна і пайкою, але це може зменшувати надійність мікросхеми.
Тонкоплівкові гібридні інтегральні мікросхеми володіють якісними функціональними можливостями і добрими експлуатаційними характеристиками, які дозволяють створювати апаратуру з високими, як технічними так і економічними показниками. Отже у даному курсовому проекті радіомікрофон раціонально виконувати за тонкоплівкою технологією, оскільки вона має ряд позитивних переваг над товстоплівковою технологією, хоча набагато затратніша і енергоємна.
2 Вибір режиму роботи транзистора КТ3102Б
Робочий режим транзистора – це режим
роботи транзистора, при якому він працює з навантаженням 
у вихідному ланцюгу. Зазвичай опір
навантаження в сотні разів менший вихідного опору самого транзистора.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.