Розробка можливих напрямків реалізації підсилювача для магнітофону

Страницы работы

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.

Содержание работы

1.Розрахунок структурної схеми пристрою.

1.1. Вибір навантаження.

          Для того аби звуковідтворення було якісним , забезпечуемо:

Ргч= n*Pвих=2*15=30 Вт

          Так, як проектується підсилювач для магнітофону, то навантаженням підсилювача буде переносна акустична система ”Електроіка” 50АС-061М , яка має наступні параметри:

                               Pном=35 Вт

                               Rном=4 Ом

1.2. Для розрахунку обираємо  двотактну схему з додатковою симетрією плеч.      

VT1

 

VT4

 

VT2

 

VT3

 

VT5

 

 
     

                Рис. 1. Схема кінцевих каскадів підсилювача.

1.3. Визначаємо величину корисної потужності, що віддається транзистором одного плеча , для цього скористаємося формулою :   


  Визначимо напругу живлення для підсилювача потужності:

1.4. Визначення типів транзисторів підсилювача потужності.

 Визначимо потужність розсіювання на колекторі VT4(VT5). При роботі каскаду у режимі класу В. Вибираємо =0.45.

Вимоги до транзисторів кінцевого каскаду:

За параметрами струму напруги і потужності колектора виберемо транзистор КТ817(Г)А, який має такі параметри:

Uке мах = 80 В; Iк мах = 5 А;

 Pк доп = 25 Вт-з тепловідводом;

 h21e min = 25; Fг =  3 МГц; S = 500 mA/B.

((((((Вибираємо тип транзисторів кінцевого каскаду КТ817А:

Рк доп=20 Вт – з тепло відводом

Uк доп=40 В Iк доп=3 А h21е мін=20

fгр=3 МГц  S0=1.2 А/В

r`б=8 Ом  Uзал=2 В))))))))))))))))))

Для обраного транзистора розраховуемо допустиму потужність :

Рк доп=25 Вт >9,167 Вт

Розраховуємо необхідну напругу живлення:

 < 5 A

Отже, вибрані транзистори підходять за всіма параметрами.

Розрахуємо коефіцієнт підсилення за потужністю:

Необхідна вхідна потужність: 

Оскільки транзистори VT2 та VT3 працюють з відсічкою струму, то потужність, що розсіюється на їх колекторах:

                                         Рк=(1.2…1.5)Pвих=1.3*0.43=0.6 Вт

Амплітуда імпульсу cтруму колектора транзисторів VT2, VT3 обчислюється, при максимально можливій амплітуді напруги колектора, за такою формулою:

Вимоги до транзисторів  :

На основі цих даних вибирається комплементарна пара ГТ402Г – ГТ404Г з такимми параметрами:

Uке мах = 40 В; Iк мах = 0,5 А;

 Pк доп = 0,6 Вт ; h21e min = 60;

 Fг =  1 МГц; S = 100 mA/B.

            Отже, вибрані транзистори підходять за всіма параметрами.

Обрахуємо максимальний імпульс базового струму та потужність збудження для цих транзисторів:

Визначається величина вхідної потужності транзисторів VT2, VT3, амплітуду струму бази, коефіцієнт підсилення по потужності каскаду на транзисторах VT2, VT3:

 ((((вибираємо комплементарну пару транзисторів VT2(VT3) типу КТ502Г-КТ503Г, що мають наступні параметри:

Рк доп=0.5 Вт ,Uк доп=40 В , Iк доп=300 мА ,

h21e мін=80 ,  fгр=5 МГц , S0=150 мА/В ,

r`б=50 Ом

Для вибраних транзисторів:

Рк доп=0.5 Вт > 0.325 Вт

Ек < 0.8Uк доп

15 В < 0.8*40=32 B

Iк доп=300 мА  145*2=280 мА

Отже, вибрані транзистори підходять за всіма параметрами.

Обрахуємо максимальний імпульс базового струму та потужність збудження для цих транзисторів:

Кр=0.7*80=56

Pвх=Pвих/KP=0.325/56=5.8 мВт)))))

Оскільки транзистор VT1 працює в режимі класу А, то потужність, що розсіюється на його колекторі повинна перевищувати вихідну потужність в 8-10 разів, а колекторний струм в 2-4 рази більше, ніж вхідний струм транзисторів VT2 та VT3. Так, як по навантаженням транзистора VT1 буде дві комплементарні пари транзисторів: VT2-VT3 та V7-VT8, то його колекторний струм необхідно збільшити ще у 2 рази:

Pк=10*Pвх=10*5,8=58 мВт

Iк=3*2*Iб=3*2*3,75=22,5 мА

На основі цих даних вибираємо малопотужний транзистор КТ3102В, що має наступні параметри:

Рк доп=0.25 Вт , Uк доп=30 В , Iк доп=100 мА ,

h21e мін=300 , fгр=150 МГц

Для вибраного транзистора:

Рк доп=0.25 Вт > 0.066 Вт

Ек < 0.8Uк доп

15 В < 0.8*30=24 B

Iк доп=100 мА > 22,5 мА

Отже, вибраний транзистор підходить за всіма параметрами.

1.5. Знаходження загального коефіцієнта підсилення каналу за потужністю.

          Для знаходження загального коефіцієнта підсилення каналу за потужністю використаємо формулу:

Кр заг(дБ)=10Lg

де:     Pдж=

          В якості джерела сигналу вибирається головка відтворення магнітофону  «Романтік» яка має наступні параметри: Uвих=1 мВ та Rвих=150 Ом, тоді:

Похожие материалы

Информация о работе

Уважаемые коллеги! Предлагаем вам разработку программного обеспечения под ключ.

Опытные программисты сделают для вас мобильное приложение, нейронную сеть, систему искусственного интеллекта, SaaS-сервис, производственную систему, внедрят или разработают ERP/CRM, запустят стартап.

Сферы - промышленность, ритейл, производственные компании, стартапы, финансы и другие направления.

Языки программирования: Java, PHP, Ruby, C++, .NET, Python, Go, Kotlin, Swift, React Native, Flutter и многие другие.

Всегда на связи. Соблюдаем сроки. Предложим адекватную конкурентную цену.

Заходите к нам на сайт и пишите, с удовольствием вам во всем поможем.