1.Розрахунок структурної схеми пристрою.
1.1. Вибір навантаження.
Для того аби звуковідтворення було якісним , забезпечуемо:
Ргч= n*Pвих=2*15=30 Вт
Так, як проектується підсилювач для магнітофону, то навантаженням підсилювача буде переносна акустична система ”Електроіка” 50АС-061М , яка має наступні параметри:
Pном=35 Вт
Rном=4 Ом
1.2. Для розрахунку обираємо двотактну схему з додатковою симетрією плеч.
|
|
|
|
|
|
Рис. 1. Схема кінцевих каскадів підсилювача.
1.3. Визначаємо величину корисної потужності, що віддається транзистором одного плеча , для цього скористаємося формулою :
Визначимо
напругу живлення для підсилювача потужності:
1.4. Визначення типів транзисторів підсилювача потужності.
Визначимо потужність розсіювання на колекторі VT4(VT5). При роботі каскаду у режимі класу В. Вибираємо =0.45.
Вимоги до транзисторів кінцевого каскаду:
За параметрами струму напруги і потужності колектора виберемо транзистор КТ817(Г)А, який має такі параметри:
Uке мах = 80 В; Iк мах = 5 А;
Pк доп = 25 Вт-з тепловідводом;
h21e min = 25; Fг = 3 МГц; S = 500 mA/B.
((((((Вибираємо тип транзисторів кінцевого каскаду КТ817А:
Рк доп=20 Вт – з тепло відводом
Uк доп=40 В Iк доп=3 А h21е мін=20
fгр=3 МГц S0=1.2 А/В
r`б=8 Ом Uзал=2 В))))))))))))))))))
Для обраного транзистора розраховуемо допустиму потужність :
Рк доп=25 Вт >9,167 Вт
Розраховуємо необхідну напругу живлення:
< 5 A
Отже, вибрані транзистори підходять за всіма параметрами.
Розрахуємо коефіцієнт підсилення за потужністю:
Необхідна вхідна потужність:
Оскільки транзистори VT2 та VT3 працюють з відсічкою струму, то потужність, що розсіюється на їх колекторах:
Рк=(1.2…1.5)Pвих=1.3*0.43=0.6 Вт
Амплітуда імпульсу cтруму колектора транзисторів VT2, VT3 обчислюється, при максимально можливій амплітуді напруги колектора, за такою формулою:
Вимоги до транзисторів :
На основі цих даних вибирається комплементарна пара ГТ402Г – ГТ404Г з такимми параметрами:
Uке мах = 40 В; Iк мах = 0,5 А;
Pк доп = 0,6 Вт ; h21e min = 60;
Fг = 1 МГц; S = 100 mA/B.
Отже, вибрані транзистори підходять за всіма параметрами.
Обрахуємо максимальний імпульс базового струму та потужність збудження для цих транзисторів:
Визначається величина вхідної потужності транзисторів VT2, VT3, амплітуду струму бази, коефіцієнт підсилення по потужності каскаду на транзисторах VT2, VT3:
((((вибираємо комплементарну пару транзисторів VT2(VT3) типу КТ502Г-КТ503Г, що мають наступні параметри:
Рк доп=0.5 Вт ,Uк доп=40 В , Iк доп=300 мА ,
h21e мін=80 , fгр=5 МГц , S0=150 мА/В ,
r`б=50 Ом
Для вибраних транзисторів:
Рк доп=0.5 Вт > 0.325 Вт
Ек < 0.8Uк доп
15 В < 0.8*40=32 B
Iк доп=300 мА 145*2=280 мА
Отже, вибрані транзистори підходять за всіма параметрами.
Обрахуємо максимальний імпульс базового струму та потужність збудження для цих транзисторів:
Кр=0.7*80=56
Pвх=Pвих/KP=0.325/56=5.8 мВт)))))
Оскільки транзистор VT1 працює в режимі класу А, то потужність, що розсіюється на його колекторі повинна перевищувати вихідну потужність в 8-10 разів, а колекторний струм в 2-4 рази більше, ніж вхідний струм транзисторів VT2 та VT3. Так, як по навантаженням транзистора VT1 буде дві комплементарні пари транзисторів: VT2-VT3 та V7-VT8, то його колекторний струм необхідно збільшити ще у 2 рази:
Pк=10*Pвх=10*5,8=58 мВт
Iк=3*2*Iб=3*2*3,75=22,5 мА
На основі цих даних вибираємо малопотужний транзистор КТ3102В, що має наступні параметри:
Рк доп=0.25 Вт , Uк доп=30 В , Iк доп=100 мА ,
h21e мін=300 , fгр=150 МГц
Для вибраного транзистора:
Рк доп=0.25 Вт > 0.066 Вт
Ек < 0.8Uк доп
15 В < 0.8*30=24 B
Iк доп=100 мА > 22,5 мА
Отже, вибраний транзистор підходить за всіма параметрами.
1.5. Знаходження загального коефіцієнта підсилення каналу за потужністю.
Для знаходження загального коефіцієнта підсилення каналу за потужністю використаємо формулу:
Кр заг(дБ)=10Lg
де: Pдж=
В якості джерела сигналу вибирається головка відтворення магнітофону «Романтік» яка має наступні параметри: Uвих=1 мВ та Rвих=150 Ом, тоді:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.