Високочастотна корекція або корекція перехідної характеристики в області малого часу. При необмеженому зростанні частоти, підсилення будь-якого каскаду завжди спадає до нуля. Це викликано впливом міжелектродних та паразитних ємностей і, крім того, в каскадах на БТ збільшення частоти сигналу призводить до зменшення крутості наскрізної характеристики.
Розрізняють декілька варіантів ВЧ корекції
В каскадах з емітерною (витоковою) високочастотною корекцією використовується дія частотно-залежного зворотного зв’язку. Елементи зворотного зв’язку , вводяться в коло емітера (витоку), внаслідок чого каскад в області низьких і середніх частот охоплений глибоким від’ємним зворотним зв’язком за струмом, рис. 3.4.
Розрахунок параметрів елементів НЧ корекції здійснюється, графічним або аналітичним методом, виходячи зі значення коефіцієнта корекції , де і – відповідні сталі часу.
а) б)
Рисунок 3.1 – НЧ корекція
а) б)
Рисунок 3.2 – Еквівалентні схеми каскадів з НЧ корекцією
а) б)
Рисунок 3.3 – Залежності та
а) б)
Рисунок 3.4 – ВЧ витокова (емітерна) корекція
Ємність конденсатора вибирається такою, щоб його опір в області низьких частот і середніх частот був значно більший за , тобто . Напруга зворотного зв’язку , яка виділяється на паралельному з’єднанні , в цій області частот, зменшує коефіцієнт підсилення каскаду.
Рисунок 3.5 – АЧХ каскаду з ВЧ корекцією
При збільшенні частоти сигналу (область ВЧ) шунтуючий вплив ємності конденсатора зменшує напругу , в наслідок чого зростає коефіцієнт підсилення каскаду. Таким чином компенсується зменшення підсилення за рахунок дії міжелектродних і паразитних ємностей і крутості БТ. Очевидно, що в даному випадку корекція АЧХ досягається зменшенням підсилення каскаду в смузі НЧ та СЧ, коли коефіцієнт підсилення дорівнює , де – глибина від’ємного зворотного зв’язку (ВЗЗ) для НЧ і СЧ. Площа підсилення каскаду, в такому випадку зберігається без змін, але верхня гранична частота каскаду збільшується , рис.3.5.
Паралельна індуктивна ВЧ корекція. Підсилювальні каскади на ПТ і БТ з паралельною індуктивною ВЧ корекцією зображені на рис.3.6.(а,б).
Еквівалентні схеми каскадів на ПТ і БТ для області вищих частот зображені на рис.3.7.(а, б). В області ВЧ навантаженням каскаду є паралельний контур з резонансною частотою
.
На низьких та середніх частотах навантаження транзистора практично дорівнює .
Частотна характеристика каскаду з паралельною корекцією наведена на рис.3.8. Форма АЧХ такого каскаду залежить від значення коефіцієнта корекції , що дорівнює квадрату добротності резонансного контуру. Оптимальна частотна характеристика, що забезпечує найбільше розширення смуги без підйому частотної характеристики, досягається при =0,414. У випадку коли на АЧХ виникає підйом. Площа підсилення такого каскаду збільшується
,
де – коефіцієнт, що показує у скільки разів розширюється смуга каскаду з корекцією.
Послідовна індуктивна ВЧ корекція. Каскади на БТ і ПТ з послідовною індуктивною ВЧ корекцією та їх еквівалентні схеми зображені на рис. 3.9.(а,б,в,г).
Коригувальна котушка індуктивності підключена послідовно до розділового конденсатора . Повна паразитна ємність в цьому випадку розділяється на дві ємності і , в результаті чого загальна ємність дорівнює
.
а) б)
Рисунок 3.6 – Каскади з паралельною індуктивною ВЧ корекцією
а) б)
Рисунок 3.7 – Еквівалентні схеми каскадів з паралельною ВЧ корекцією
Рисунок 3.8 – АЧХ каскаду з паралельною індуктивною ВЧ корекцією
а) б)
в) г)
Рисунок 3.9 – Каскади з послідовною індуктивною ВЧ корекцією
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.