Високочастотна корекція або корекція перехідної характеристики в області малого часу. При необмеженому зростанні частоти, підсилення будь-якого каскаду завжди спадає до нуля. Це викликано впливом міжелектродних та паразитних ємностей і, крім того, в каскадах на БТ збільшення частоти сигналу призводить до зменшення крутості наскрізної характеристики.
Розрізняють декілька варіантів ВЧ корекції
В каскадах з емітерною (витоковою) високочастотною корекцією використовується
дія частотно-залежного зворотного зв’язку. Елементи зворотного зв’язку ,
вводяться
в коло емітера (витоку), внаслідок чого каскад в області низьких і середніх
частот охоплений глибоким від’ємним зворотним зв’язком за струмом, рис. 3.4.
Розрахунок параметрів елементів НЧ корекції здійснюється, графічним або
аналітичним методом, виходячи зі значення коефіцієнта корекції , де
і
– відповідні сталі часу.
а) б)
Рисунок 3.1 – НЧ корекція
а) б)
Рисунок 3.2 – Еквівалентні схеми каскадів з НЧ корекцією
а) б)
Рисунок
3.3 – Залежності та
а) б)
Рисунок 3.4 – ВЧ витокова (емітерна) корекція
Ємність конденсатора вибирається
такою, щоб його опір в області низьких частот і середніх частот був значно
більший за
, тобто
.
Напруга зворотного зв’язку
, яка виділяється
на паралельному з’єднанні
,
в цій області частот, зменшує
коефіцієнт підсилення каскаду.
Рисунок 3.5 – АЧХ каскаду з ВЧ корекцією
При збільшенні частоти сигналу (область ВЧ) шунтуючий вплив ємності
конденсатора зменшує напругу
, в наслідок чого зростає коефіцієнт
підсилення каскаду. Таким чином компенсується зменшення підсилення за рахунок
дії міжелектродних і паразитних ємностей
і
крутості БТ. Очевидно, що в даному випадку корекція АЧХ досягається зменшенням
підсилення каскаду в смузі НЧ та СЧ, коли коефіцієнт підсилення дорівнює
, де
–
глибина від’ємного зворотного зв’язку (ВЗЗ) для НЧ і СЧ. Площа підсилення
каскаду, в такому випадку зберігається без змін, але верхня гранична частота
каскаду збільшується
, рис.3.5.
Паралельна індуктивна ВЧ корекція. Підсилювальні каскади на ПТ і БТ з паралельною індуктивною ВЧ корекцією зображені на рис.3.6.(а,б).
Еквівалентні схеми каскадів на ПТ і БТ для області вищих частот зображені на рис.3.7.(а, б). В області ВЧ навантаженням каскаду є паралельний контур з резонансною частотою
.
На низьких та середніх частотах навантаження транзистора практично
дорівнює .
Частотна характеристика каскаду з паралельною корекцією наведена на
рис.3.8. Форма АЧХ такого каскаду залежить від значення коефіцієнта корекції , що дорівнює квадрату добротності
резонансного контуру. Оптимальна частотна характеристика, що забезпечує
найбільше розширення смуги без підйому частотної характеристики, досягається
при
=0,414. У випадку коли
на АЧХ виникає підйом. Площа підсилення
такого каскаду збільшується
,
де – коефіцієнт, що показує у скільки
разів розширюється смуга каскаду з корекцією.
Послідовна індуктивна ВЧ корекція. Каскади на БТ і ПТ з послідовною індуктивною ВЧ корекцією та їх еквівалентні схеми зображені на рис. 3.9.(а,б,в,г).
Коригувальна котушка індуктивності підключена послідовно до розділового
конденсатора . Повна паразитна ємність
в цьому випадку розділяється на дві
ємності
і
,
в результаті чого загальна ємність дорівнює
.
а) б)
Рисунок 3.6 – Каскади з паралельною індуктивною ВЧ корекцією
а) б)
Рисунок 3.7 – Еквівалентні схеми каскадів з паралельною ВЧ корекцією
Рисунок 3.8 – АЧХ каскаду з паралельною індуктивною ВЧ корекцією
а) б)
в) г)
Рисунок 3.9 – Каскади з послідовною індуктивною ВЧ корекцією
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.