Uбэо = 0,84 В (2.30)
Рисунок 2.3 – Статистические входные характеристики
Определение параметра h11э
В соответствии с (2.17) для выполнения условия Ukэ = const выберем две точки на характеристике Ukэ = 5 В рядом с ИРТ (рисунок 2.3).
Для точки А: Uбэа = 0,9В ; Iба=11 мА ; Uкэа = 5 В
Для точки В: Uбэв = 0,6 В ; Iбв=6 мА ; Uкэв = 5 В (2.31)
Для ИРТ: Uбэо = 0,84 В ;Iбо = 10 мА ; Uкэо = 5 В
Как видно, для всех трех точек выполняется условие Ukэ=5В=const по графикам (см. рис.2.3) определяем приращения ∆Uбэ и ∆ Iб точками А и В и находим параметр h11э.
h11Э =ΔuБЭ /ΔiБ │при Uкэ=const =(Uбэа–Uбэв)/(Iба–Iбв)=(0,9В-0,6В)/(11мА-6мА)=60 Ом
(2.32)
Определение параметра h12э
В соответствии с (2.18) для выполнения условия Iб=сonst на характеристике Uкэ =0 выберем точку С, для которой Iб = 10 мА (рисунок 2.3).
Для точки C: Uбэc = 0,7 В ; Uкэс = 0 В ; Iбс =10 мА (2.33)
Для ИРТ: Uбэc = 0,7 В ; Uкэо = 5 В ; Iбо = 10 мА
Как видно, для этих двух точек выполняется условие Iб=10 мА = const. По графикам (рисунок 2.3) определим приращение ∆Uбэ и ∆Uкэ между точками С и ИРТ и находим параметр h12э.
h12Э=ΔuБЭ/ΔuКЭ│приIб=const=(Uбэ0–Uбэс)/(Uкэ0–Uкэс)=(0,84В-0,7В)/(5В-0В)=0,028. (2.34)
Параметры h21э и h22э определяют, по выходным статическим вольт-амперным характеристикам (рисунок 2.4). Для того чтобы нанести положение ИРТ : Iбо = 10 мА, Uкэо=10В, возьмем выходную характеристику при Iб=10мА, и на ней отметим точку, соответствующую Ukэo = 10В. После этого для заданной ИРТ найдём
Iко=3 мА (2.35)
Определение параметра h21э
В соответствии с (2.19) для выполнения условия Uкэ=const выберем две точки ,
G и F выше и ниже ИРТ на характеристиках Iб = 15 мА и Iб = 5 мА, для которых Uкэ = 10В (рисунок 2.4).
Рисунок 2.4 - Выходные статические вольтамперные характеристики
Для точки G: IкG = 5мА ; IбG = 15 мА ; UкэG = 10В
Для точки F: IкF = 0.8мА ; IбF = 5 мА ; UкF = 10В (2.36)
Для ИРТ: Iко = 3мА ; Iбo = 10 мА ; Uкэо = 10В
Как видно, для этих трех точек выполняется условие Uкэ = 10В = const.
По графикам (рисунок 2.4) определяем приращение ∆Iк и ∆Iб между точками G и F и находим параметр h21э
h21Э = ΔiК /ΔiБ │при Uкэ=const =( IкG–IкF)/(IбG–IбF)=(5мА-0.8мА)/(15мА-5мА)=0.42мА (2.37)
Определение параметра h22э
В соответствии с (2.20) для выполнения условия Iб=const выберем на характеристике Iб= 10 мА две точки Д и Е (рисунок 2.4).
Для точки Д: Iкд = 2,5 мА ; Uкэд = 4В ; Iбд = 10мА.
Для точки Е: Iке = 4 мА ; Uкэе = 16 В ; Iбе = 10 мА
Для ИРТ: Ikо = 3 мА ; Ukэо = 10В ; Iбо = 10мА
Как видно, для этих точек выполняется условие Iб = 10 мА = const. По графикам (рисунок 2.4) определяем приращения ∆Ik и ∆Uкэ между точками Д и Е и находим параметр h22э
h22Э=ΔiК/ΔuКЭ│приIб=const=(Ikе-Ikд)/(Uкэе–Uкэд)=(4мА-2,5мА)/(16В- 4В)=0,125мСм (2.39)
Отметим важную особенность, что приращения токов и напряжений при определении различных параметров находятся при разных условиях и поэтому не равны между собой. Например, при расчёте h21э и h22э используется приращение тока коллектора ∆Iк. Однако, в первом случае оно определяется при Uкэ = const, а во втором - при Iб = const. Как было показано ранее,
ΔiК │при Uкэ=const ≠ ΔiК│приIб=const (2.40)
Как уже отмечалось, значения всех параметров транзистора зависят от режима работы транзистора (заданного положения ИРТ).
Кроме того, значения h-параметров зависят от температуры, так как при изменении температуры происходит смещение вольтамперных характеристик.
Таким образом, при определении любого из h-параметров рекомендуется следующая последовательность работы:
I. Нанести положение ИРТ в соответствии с заданным режимом.
II. Выбрать точки согласно условию расчета данного параметра.
III. Определить конечные приращения и рассчитать hпараметр по формуле.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.