
Рисунок. 1.4 – Основные параметры стабилитрона
Uст - напряжение стабилизации, напряжение на стабилитроне при протекании номинального тока;
∆Uст.ном - разброс номинального значения напряжения стабилизации, отклонение напряжения на стабилитроне от номинального значения;
Rдиф.ст - дифференциальное сопротивление стабилитрона, отношение приращения напряжения стабилизации на стабилитроне к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот;
αСТ - температурный коэффициент напряжения стабилизации, отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
Максимально допустимые параметры. К ним относятся: максимальный Iст.max, минимальный Iст.min токи стабилизации, максимально допустимый прямой ток Imax, максимально допустимая рассеиваемая мощность Pmax.
Принцип работы простейшего полупроводникового стабилизатора напряжения рисунок 1.5 основан на использовании нелинейности вольт-амперной характеристики стабилитронов (рисунок 1.3). Простейший полупроводниковый стабилизатор представляет собой делитель напряжения, состоящий из ограничительного резистора Rогр и кремниевого стабилитрона VD. Нагрузка Rн подключается к стабилитрону.

В этом случае напряжение на нагрузке равно напряжению на стабилитроне
URН = UVD = UСТ = 5,6 В (1.10)
а входное напряжение распределяется между Rогр и VD
UВХ = URОГР + UСТ (1.11)
Ток через Rогр согласно первому закону Кирхгофа равен сумме токов нагрузки и стабилитрона
IRОГР = IСТ + IН (1.12)
Величина Rогр выбирается таким образом, чтобы ток через стабилитрон был равен номинальному, т.е. соответствовал середине рабочего участка.
IСТ.НОМ = ( IСТ.МИН + IСТ.МАКС ) / 2 = (3+139)/2=71 mA (1.13)
Согласно условию задачи выберем стабилитрон типа КС456А. Стабилитроны КС456А кремневые, диффузионно-сплавные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 3…139 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). В таблице 5 приведены параметры стабилитрона.
Таблица 1.1 – Основные технические параметры стабилитрона:
| Предельные значения параметров при Т=25°С | Значения параметров при Т=25°С | Тк.мах (Тп.) °С | |||||||
| Uст.ном. B | Iст.ном. mA | Рмакс. mBt | Uстмин В | Uстмакс В | rст. Oм | aст. 10-2%/°С | Iстмин mA | Iстмакс mA | |
| 5,6 | 30,0 | 1000 | 5,04 | 6,16 | 12,0 | 5,0 | 3,0 | 139 | 125 | 
— напряжение стабилизации UСТ = 5.6 В;
— разброс напряжения стабилизации -4..6%;
— минимальный ток стабилизации IСТ.МИН = 30 мА;
— максимальный ток стабилизации IСТ.МАКС = 139 мА
— дифференциальное сопротивление RД = 12 Ом;
— максимально допустимая рассеиваемая мощность PСТ = 0.15 Вт.
2 ОПРЕДЕЛЕНИЕ h- ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
На практике часто пользуются вторичными параметрами транзисторов, характеризующими его как активный линейный четырехполюсник, т.е. прибор, имеющий два входных и два выходных зажима (рисунок 2.1). Вторичные параметры связывают друг с другом входные и выходные переменные токи и напряжения и справедливы только для данного режима транзистора и для малых амплитуд малых приращений тока и напряжения. Поэтому их называют низкочастотными малосигнальными параметрами.
|  | 
U1
Uбэ
Рисунок 2.1 – Линейные четырехполюсники биполярного транзистора
Линейный четырехполюсник характеризуется двумя уравнениями, взаимно связывающими токи и напряжения на входе и выходе. Можно составить шесть пар таких уравнений, определяющих шесть различных систем параметров. В транзисторной технике наиболее широкое распространение получила система h-параметров.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.