Iс.оcт - остаточный ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки;
Iз.ут- ток утечки затвора, ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой;
Iзио- обратный ток перехода затвор-исток. при разомкнутом выводе, ток, протекающий по цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми выводами.
Uзиотс - напряжение отсечки полевого транзистора, напряжение между затвором и истоком транзистора с р-n-переходом или МДП транзистора со встроенным каналом, при котором ток стока достигает заданного низкого значения;
Uзипор- пороговое напряжение полевого транзистора, напряжение между затвором и истоком МДП - транзистора с индуцированным каналом, при котором ток стока достигает заданного низкого значения;
Rсuoтк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии транзистора, сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
Указанные параметры можно определить экспериментально либо по статистическим вольт-амперным характеристикам. В справочниках нередко приводят только один из видов характеристик. Чаще всего стоковые характеристики Ic=f(Ucи) при Uзи=const .
Рассмотрим пример построения семейства стокозатворных характеристик Ic=f(Uзи) при Ucи=const для полевого транзистора КП312Б (рисунок 4.6,а,б). Графическими построениями находим значения токов и напряжений и заносим в таблицу 4.1
Таблица. 4.1
Uзи, В |
0 |
-0,25 |
-0,5 |
||
Из рис.5,6,а |
Uси = 0,4 В |
Iс , мА |
1,1 |
0,75 |
0,55 |
Uси =1,2 В |
Iс , мА |
2,2 |
1,4 |
1 |
|
Uси =1,6 В |
Iс , мА |
2.4 |
1,6 |
1,1 |
|
Из рис. 5,6,б |
Uси =5 В |
Iс , мА |
2,8 |
1,9 |
1,3 |
Uси =10 В |
Iс , мА |
3 |
2 |
1,3 |
|
Uси =15 В |
Iс , мА |
3 |
2 |
1,3 |
По полученным данным строим семейство кривых, обозначающих зависимость Ic=f(Uзи) при Uси =const (рисунок 4.б,в). Если в справочнике приведены только стокозатворные характеристикиIc=f(Uзи) при Uси =const , то, используя их, можно построить семейство выходных характеристик.
Рассмотрим пример построения семейства стоковых характеристик Ic= f(Ucи) при Uзи =const. по известному семейству стокозатворных характеристик транзистора КП601 (рисунок 4.7,а). По графикам определяем значения токов и напряжений и заносим в таблицу 4.2.
Таблица 4.2
Uси, В |
0,5 |
1 |
3 |
5 |
10 |
20 |
|
Uзи=-8В |
Iс, мА |
0 |
8 |
20 |
26 |
35 |
53 |
Uзи=-4В |
Iс, мА |
13 |
26 |
66 |
80 |
97 |
120 |
Uзи=-2В |
Iс, мА |
30 |
70 |
140 |
160 |
180 |
205 |
Uзи=0В |
Iс, мА |
60 |
100 |
200 |
260 |
290 |
305 |
По полученным данным строим семейство кривых, обозначающих стокозатворные характеристики Ic=f(Uзи) при Uси = const (4.7,б).
Рассмотрим пример определения параметров S, Ri, μ и Rо транзистора КП312Б по выходным стоковым характеристикам.
Задаем режим работы транзистора по постоянному току (задаем положение исходной рабочей точки).
Ucио=5В, Uзио =-0, 5В (4.9)
Наносим положение ИРТ на характеристику Uзи=-0,5В=const при Uси =5В и определяем (рисунок 4.8) ток стока: Iсо =1,4 мА (5.10)
Рисунок 4.8 – Выходные стоковые характеристики
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.