Дифференциальное сопротивление RДИФ выпрямительного диода в двух рабочих точках, страница 10

Iсcт - остаточный ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки;

Iз.ут- ток утечки затвора, ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой;

Iзио- обратный ток перехода затвор-исток. при разомкнутом выводе, ток, протекающий по цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми выводами.

Uзиотс - напряжение отсечки полевого транзистора, напряжение между затвором и истоком транзистора с р-n-переходом или МДП транзистора со встроенным каналом, при котором ток стока достигает заданного низкого значения;

Uзипор- пороговое напряжение полевого транзистора, напряжение между затвором и истоком МДП - транзистора с индуцированным каналом, при котором ток стока достигает заданного низкого значения;

Rсuoтк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии транзистора, сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.

Указанные параметры можно определить экспериментально либо по статистическим вольт-амперным характеристикам. В справочниках нередко приводят только один из видов характеристик. Чаще всего стоковые характеристики Ic=f(Ucи) при Uзи=const .

Рассмотрим пример построения семейства стокозатворных характеристик Ic=f(Uзи) при Ucи=const для полевого транзистора КП312Б (рисунок 4.6,а,б). Графическими построениями находим значения токов и напряжений и заносим в таблицу 4.1

Таблица. 4.1

Uзи, В

0

-0,25

-0,5

Из рис.5,6,а

Uси = 0,4 В

Iс , мА

1,1

0,75

0,55

Uси =1,2 В

Iс , мА

2,2

1,4

1

Uси =1,6 В

Iс , мА

2.4

1,6

1,1

Из рис. 5,6,б

Uси =5 В

Iс , мА

2,8

1,9

1,3

Uси =10 В

Iс , мА

3

2

1,3

Uси =15 В

Iс , мА

3

2

1,3

По полученным данным строим семейство кривых, обозначающих зависимость Ic=f(Uзи) при Uси =const (рисунок 4.б,в). Если в справочнике приведены только стокозатворные характеристикиIc=f(Uзи) при Uси =const , то, используя их, можно построить семейство выходных характеристик.

Рассмотрим пример построения семейства стоковых характеристик Ic= f(Ucи) при Uзи =const. по известному семейству стокозатворных характеристик транзистора КП601 (рисунок 4.7,а). По графикам определяем значения токов и напряжений и заносим в таблицу 4.2.

Таблица 4.2

Uси, В

0,5

1

3

5

10

20

Uзи=-8В

Iс, мА

0

8

20

26

35

53

Uзи=-4В

Iс, мА

13

26

66

80

97

120

Uзи=-2В

Iс, мА

30

70

140

160

180

205

Uзи=0В

Iс, мА

60

100

200

260

290

305

По полученным данным строим семейство кривых, обозначающих стокозатворные характеристики Ic=f(Uзи) при Uси = const  (4.7,б).

Рассмотрим пример определения параметров S, Ri, μ и Rо транзистора КП312Б по выходным стоковым характеристикам.

Задаем режим работы транзистора по постоянному току (задаем положение исходной рабочей точки).

Ucио=5В,   Uзио =-0, 5В                                                         (4.9)

Наносим положение ИРТ на характеристику Uзи=-0,5В=const при Uси =5В и определяем (рисунок 4.8) ток стока:              Iсо =1,4 мА                                                         (5.10)

Рисунок 4.8 – Выходные стоковые характеристики