Напівпровідникові прилади на основі p-n переходу, страница 26

L-483

Пропускний колір + матеріал

Довжина хвилі

(нм)

Тип лінзи

(м)

Кут огляду

Мін.

Макс.

L-483HDT

GaP

700

черв. розсіюв.

0.5

3.2

100°

L-483EDT

GaAsP/GaP

625

оранж. розсіюв.

3.2

12.5

100°

L-483GDT

GaP

565

зелен. розсіюв.

1.3

8

100°

Тип

Пропускний колір + матеріал

Довжина хвилі

(нм)

Тип лінзи

(м)

Кут огляду

Мін.

Макс.

L-1053HDT

GaP

700

черв. розсіюв.

0.5

2

110°

L-1053IDT

GaAsP/GaP

625

черв. розсіюв.

5

12.5

110°

L-1053GDT

GaP

565

зелен. розсіюв.

2

8

110°

L-1053YDT

GaAsP/GaP

590

жовте розсіюв.

2

8

110°

Вітчизняні світодіоди

Тип

Колір

Iv (В)

мкд (кд/м2)

Iпр, мА

lм, мкм

Uпр,

В

Iпр, мА

Uзв, В

Iпр max, мА

Маса, г

АЛ307А

червоний

0,15

10

0,666

2

10

2

20

0,35

АЛ112К

червоний

(1000)

10

0,68

2

10

2

12

0,5

АЛ307Г

зелений

1,5

20

0,566

2,5

20

2

22

0,35

АЛ307И

оранж.

0,4

10

0,56; 0,7

2,5

10

2

22

0,35

АЛ307Д

жовтий

0,4

10

0,56; 2,5

2,5

10

2

22

0,35

KM-4457

Пропускний колір + матеріал

Довжина хвилі

(нм)

Тип лінзи

(м)

Кут огляду

KM-4457ID

GaAsP/GaP

625

черв. розсіюв.

8

50

170°

KM-4457EC

GaAsP/GaP

625

водяне розсіюв.

12,5

60

150°

KM-4457SGD

GaP

565

зелен. розсіюв.

8

40

170°

Значне місце в використанні СВД посідають оптрони – оптоелектронні прилади, в одному корпусі яких розміщені випромінювачі і фотоприймачі, конструктивно і оптично поєднані між собою (рис.1.21).

Принцип дії будь-якого оптрона базується на подвійному перетворенні енергії, а принцип роботи його зрозумілий без допоміжних пояснень.

Як елемент схеми оптрон по своїх технічних параметрах характеризується фотоприймачем. Але принципова особливість його полягає в забезпеченні високої електричної ізоляції між входом і виходом, строго однонаправленим потоком інформації, що забезпечує абсолютну відсутність впливу виходу на вхід, а також широкої смуги пропускання (для діодних оптронів).

До того ж, використання оптронів забезпечує ряд суттєвих позитивних властивостей схемам, в яких вони використовуються:

-  можливість безконтактного керування електронними об’єктами;

-  відсутність впливу електромагнітних перешкод на канал передачі інформації.

Технічні характеристики оптронів задаються як СВД, так і фотоприймачами, але частотні властивості, швидкодія, коефіцієнт передачі в основному визначаються фотоприймачами. До того ж, одними з важливих параметрів оптронів є параметри ізоляції між входом та виходом. Сучасні оптрони мають пробивну напругу ізоляції до 5 кВ. В табл. і приводяться технічні характеристики деяких типів оптронів  різних фірм виготовлення.

Магнітодіоди

Магнітодіод– напівпровідниковий діод, в якому використовується зміна ВАХ під дією магнітного поля. Відмінність від випрямляючих діодів полягає в тому, що магнітодіод виготовляється з високоомного напівпровідника з провідністю, близькою до власної, а довжина бази в декілька разів перевищує довжину дифузійного пробігу носіїв. В таких діодах визначальними є процеси, що залежать від рекомбінації і руху нерівновісних носіїв в базі і на поверхні напівпровідника.