Напівпровідникові прилади на основі p-n переходу, страница 2

Область напівпровідників на межі розділу двох структур, в якій за рахунок дифузії створився нескомпенсований об’ємний заряд, називається p-n переходом. Поява нескомпенсованих об’ємних зарядів приводить до зниження енергетичних рівнів в n- області і підвищення в р- області. Тобто, енергетичні діаграми кожного з напівпровідників почнуть зміщуватись, і цей процес зупиниться тоді, коли рівні Фермі WФn і WФр співпадуть. При цьому на межі розділення напівпровідників рівень Фермі буде проходити через середину забороненої зони. Фактично це означає, що в цій площині напівпровідник характеризується наявністю лише власної, бездомішкової провідності, тобто буде мати високий опір. Зміщена діаграма енергетичних рівнів при цьому буде мати вигляд, приведений на рис. 3.3.

Рис. 3.3

Об’ємні заряди прикордонної області стають перешкодою на шляху переміщення основних носіїв з однієї області в іншу. Це приводить до того, що тільки носії великих енергій можуть подолати цю перешкоду, яка називається потенційним бар’єром. Як результат, знижується величина струму через бар’єр за рахунок дифузії. З іншого боку, поява об’ємних зарядів приводить до появи направленого електричного поля з потенціалом j0, який сприяє появі дрейфової складової струму. Зонна діаграма дає можливість визначити величину потенційного бар’єру:

,

(3.1)

де Wip, Win – енергетичні рівні середини забороненої зони для напівпровідників р- і n-типів.

 Враховуючи, що W= -qU, формула (3.1) з врахуванням формул (2.7), (2.8) може бути зображена у вигляді:

(3.2)

тобто контактна різниця потенціалів залежить від відношення концентрації носіїв зарядів одного знаку.

Об’ємні заряди межі розподілу p- і n- структур, що створюють потенційний бар’єр j0, називаються p-n переходом. Особливість потенційного бар’єру полягає в тому, що його висота, потенціал j0, залежить від температури.

Оскільки вже при кімнатній температурі всі домішкові атоми іонізуються, то концентрація електронів в n- напівпровіднику буде визначатись концентрацією домішок Nn , тобто:

nn0 = Nn .

(3.3)

Аналогічно, для  р- напівпровідника з концентрацією домішок NA :

pp0 = Np .

(3.4)

Враховуючи умову (3.4), можемо записати:

nn0 × pn0 = n i 2 ,

звідки, враховуючи (3.3) і (3.4), обчислюються концентрації неосновних носіїв в домішкових напівпровідникових структурах.

pn0 » ni2/ Nn ;    np0 » ni2/ Np ,

(3.5)

З врахуванням  (3.5) формула (3.2) може бути зображена в вигляді:

j0= jТ ×ln(Nn×Np/ ni2),

з якого витікає, що висота потенційного бар’єру однозначно визначається концентраціями домішок в напівпровідникових структурах.

Джерелом дрейфового струму являються неосновні носії p- і n- областей (позначені квадратами). Як результат, зменшення Iдиф приводить до зростання Iдр і появи усталеного режиму, наслідком якого є умова:

Iдр+ Iдиф = 0,

якій відповідає величина потенційного бар’єру j0.

Рис. 3.4

Наочна форма описання роботи р-n переходу приведена в [ Шарупич ]. Вона ілюструється рис. 3.4. Для оцінки руху дірок і електронів в полі р-n переходу  приймається, що дірки – це легкі повітряні кульки, які легко пливуть по потоку валентної зони (справа наліво), а електрони, що рухаються проти поля, зображаються у вигляді важких кульок, що скочуються по нахилу зони провідності. Основна маса дірок з р- шару дифундує зліва направо в область переходу, але не може подолати потенційний бар’єр і повертається в р- структуру. Дірки n- області, як повітряні кульки, легко спливають в р- області і створюють дрейфову складову струму через перехід. Аналогічна картина має місце при аналізі руху електронів.