Напівпровідникові прилади на основі p-n переходу, страница 16

Тип

Uст, В

δU ст, В

Iст, мА

Iст. min, мА

Iст. max, мА

Uпр, В

Рст.max, Вт

Iпр, мА

Iобр, мкА

Uобр, В

rст, Ом

Iст, мА

Стабілітрони загального призначення

КС139Г

3,9

±0,4

5

1

32

0,12

1

50

300

2,73

150

1

КС156А

5,6

±0,56

10

3

55

0,3

1

50

46

10

КС456А

5,6

±0,56

30

3

139

1

10

30

Стабілітрони прецизійні

КС405А

6,2

±0,31

0,5

0,1

60

0,4

200

0,5

КС108А

6,4

±0,32

7,5

3

10

0,07

15

7,5

КС520В

20

±1

5

3

22

0,5

120

5

КС539Г

39

±2

10

3

17

0,72

65

10

Стабілітрони імпульсні

КС175Е

7,5

±0,4

5

3

17

0,125

1,5

20

50

6,0

30

5

КС191Е

9,1

±0,5

5

3

14

0,125

1,5

20

50

7

30

5

КС213Е

13

±0,7

5

3

10

0,125

1,5

20

50

10

30

5

Стабілітрони двоанодні

КС162А

6,2

±0,4

10

3

22

0,15

500

4,96

35

10

КС182А

8,2

±0,6

5

3

17

0,15

100

6,56

14

5

Стабістори

КС113А

1,3

±0,13

10

1

100

0,18

0,1

1

12

10

КС119А

1,9

±0,19

10

1

100

0,18

0,1

1

15

10

В якості стабілітронів іноді використовують окремі типи кремнієвих діодів, які називають стабісторами. В них використовується лінійна ділянка прямої ВАХ діода, яка забезпечується високим рівнем концентрації основних носіїв. Їх особливість – можливість одержання низьких робочих напруг (див. табл. 3.8).

На рис. 3.20 приводиться зовнішній вигляд корпусу деяких типів стабілітронів.

Рис. 3.21

Серед стабілітронів слід виділити групу приладів, які характеризуються значно більшим рівнем шуму, порівняно з іншими. Вони використовуються як генератори "білого" шуму. Прикладом таких приладів можна назвати 2Г401. За виглядом ВАХ і схемою включення вони практично не відрізняються від стабілітронів, але їх режим роботи вибирається так, щоб зворотній струм був менше мінімального струму стабілізації. При малих струмах напруга пробою нестабільна в результаті чого мають місце його коливання випадкового характеру. Спектр коливань досить широкий (до 3.5 МГц), а спектральна щільність підкоряється закону рівномірної щільності.

3.5.4. Варикапи

 Варикапи – напівпровідникові прилади, в яких використовується залежність ємності p-n переходу від величини зворотньої напруги.

Наявність ємності p-n переходу, в відповідності до попередніх пояснень, обумовлена тим, що на обидва боки від межі розподілу p- і n- шарів знаходяться об’ємні заряди, які створені іонами домішок. Фактично p-n перехід представляє собою плоский конденсатор. Наявність такої ємності проявляється протіканням через p-n перехід струму за рахунок зміни об'ємних зарядів при зміні напруги на p-n переході. Вона може бути визначена відомим  рівнянням: