Лазерная подгонка тонкоплёночных резисторов. Особенности топологического проектирования

Страницы работы

Содержание работы

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Северо-Западный государственный заочный технический университет

Кафедра технологии и дизайна радиоэлектронной техники

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

По дисциплине: Технология радиоэлектронных средств. Часть 2.

Тема: Лазерная подгонка тонкоплёночных резисторов. Особенности топологического проектирования.

Выполнил студент: Хованский Михаил Юрьевич

Институт: РЭ

Курс: 5

Специальность: 210201

Шифр: 5540300077

Преподаватель: А.И.Адер

Оценка:

Подпись преподавателя:

Дата: 17.03.2010

Санкт-Петербург

2010

Содержание

Введение

Термический анализ лазерного нагрева тонкой пленки

Подгонка резисторов

Особенности топологического проектирования.

Заключение

Библиографический список.

ВВЕДЕНИЕ

В начале 60-х годов исследователи, занимавшиеся лазерами, обнаружили, что рубиновый лазер способен плавить и испарять в небольших количествах металл. За прошедшие два десятилетия проведены многочисленные исследования эффектов, происходящих при поглощении поверхностью материала мощного лазерного излучения. К концу 60-х годов начинается применение лазеров на производстве. Успехи в создании мощных СО2-лазеров позволили к началу 70-х годов обеспечить сварку с глубоким проплавлением, что расширило область толщин материала, пригодных для лазерной обработки. В настоящее время лазеры используются во многих технологических процессах, связанных с обработкой материалов. Применительно к таким операциям, как подгонка резисторов и сверление отверстий в керамике, лазерная обработка уже успела стать главным методом. Для других операций – сварки, резки, термообработки – лазерная технология успешно конкурирует с традиционными методами. Открываются и новые направления исследований в области применения лазерной технологии, особенно при обработке полупроводников. Появляются возможности для создания новых методов получения полупроводниковых элементов путем лазерного выращивания и отжига точечных дефектов после ионной имплантации. В статье рассмотрены физические явления, лежащие в основе лазерной технологии, и приводится обзор главных ее применений.

Вскоре после изобретения лазера (1960) исследователи, работая с имевшимися в то время маломощными рубиновыми лазерами, обнаружили, что их излучение способно в небольших количествах плавить и испарять материалы, особенно если луч сфокусирован на поверхности поглощающего материала. Излюбленным способом демонстрации возможности лазера в то время было прожигание импульсным излучением отверстий в тонкой металлической фольге. Стало ясно, что подобный эффект может привести к практическому применению лазеров для бесконтактной обработки материалов, что открывало весьма заманчивые перспективы.

Следует напомнить, что в начале 60-х годов лазеры были еще чисто лабораторными приборами, требовавшими постоянного ухода; к тому же те из них, которые были пригодны для обработки материалов, могли работать только в импульсном режиме с низкой частотой повторения импульсов, что лучше всего проявлялось на примере рубинового лазера. Поэтому применение лазерной технологии на практике в те годы было делом сравнительно дорогим и развивалось медленно.

В течение 60-х годов улучшились надежность и ресурс лазеров, повысилась их экономичность. Появились мощные лазеры непрерывного действия. Началось широкое производство лазеров, пригодных для обработки материалов. Все это привело к тому, что к началу 70-х годов лазерная технология стала переходить из стен лабораторий в промышленные цеха.

Дальнейшему развитию лазерной технологии способствовало создание в начале 70-х годов многокиловаттных CO2-лазеров, с появлением которых возникла возможность так называемой обработки с «глубоким проплавлением». Если до этого лазерная обработка металлов ограничивалась относительно тонкими слоями (толщиной до 0,2 см), то теперь «глубокое проплавление» позволило обрабатывать более толстый материал.

На протяжении 70-х годов использование лазерной обработки постоянно расширялось. Правда, происходило это не скачком, а постепенно. Но уже тогда в ряде операций (подгонка резисторов, сверление отверстий в керамике и т. д.) полностью перешли на лазерные методы, а по отношению ко многим другим процессам (резка, сварка, термообработка) лазерная технология по экономическим показателям стала конкурировать с традиционными методами.

ТЕРМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЛАЗЕРНОГО НАГРЕВА ТОНКОЙ ПЛЕНКИ

Лазерная обработка тонкой металлической пленки производится следующим образом:

1) короткие импульсы лазерного излучения фокусируются на поверхности пленки,

2) энергия поглощается металлической пленкой,

3) в результате поглощения пленка нагревается, плавится и (или) испаряется,

4) за счет поверхностного натяжения происходит удаление вещества,

5) наконец, происходит отвод тепла главным образом из-за теплопроводности через подложку. Этот процесс был проанализирован в рамках классической теории теплопроводности. Приняв два упрощающих предположения, получают в аналитическом виде решение, выражающее увеличение температуры пленки как функцию времени, прошедшего после начала поглощения излучения. Эти предположения, сильно уменьшая сложность конечного результата и способствуя его наглядности, физически хорошо обоснованны и справедливы в большинстве представляющих практический интерес случаев.

Во-первых, предполагается, что толщина пленки d и температуропроводность К таковы, что нет сколь-нибудь значительного градиента температуры по толщине пленки; т. е. температура во всех точках пленки одинакова в любой момент времени t данного процесса. Расчеты Стерна показывают, что это предположение справедливо для пленок, у которых 4Kt/d2>>1 и это обычно выполняется.

Во-вторых, считается, что радиальными потоками тепла как в пленке, так и в подложке можно пренебречь, что оправданно в большинстве случаев. Это позволяет считать задачу переноса тепла одномерной.

Пользуясь геометрией и обозначениями, определенными на рис.1 и в табл.1, для увеличения температуры пленки получим

Рис. 1. Геометрия взаимодействия при лазерной обработке тонкой плёнки.

Тепловые постоянные некоторых материалов.                                              Таблица 1

Материал

Плотность ρ, г/см3

Теплоёмкость C, Дж/г·°С

Теплопроводность κ, Вт/см·°С

Температуро-проводность К, см·с-1

Объёмная теплоёмкость ρC, Дж/см3·С

Алюминий

2,70

0,94

2,05

0,81

2,53

Хром

6,92

0,46

0,86

0,27

3,18

Кварц

2,65

0,79

1·10-3

4,8·10-3

2,09

 

Анализ этого результата в ряде предельных случаев проясняет сущность происходящих физических процессов. Во-первых, рассмотрим случай, когда t велико (длинные импульсы) и (или) d мало (очень тонкие пленки); этот случай, который мы будем называть «пределом тонкой пленки/длинного импульса», имеет место при

  или  ;          при

Так как величина ρС для всех материалов приблизительно постоянна, условие (2) означает, что толщина пленки должна быть малой по сравнению с длиной термодиффузии или тепловой глубиной проникновения в подложку. В этом случае увеличение температуры определяется только теплопроводностью подложки, и пленка не играет никакой роли, а лишь служит поглощающей средой на поверхности. Пороговый поток Im (определяемый как поглощаемый поток, необходимый для увеличения температуры пленки до ее точки плавления Тm) равен

 

Похожие материалы

Информация о работе